Entwicklung von modulationsdotierten Feldeffekttransistoren für monolithisch integrierte Höchstfrequenzschaltungen:
Gespeichert in:
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| Format: | Buch |
| Sprache: | German |
| Veröffentlicht: |
Aachen
Mainz
1994
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| Ausgabe: | 1. Aufl. |
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| Beschreibung: | Zugl.: Aachen, Techn. Hochsch., Diss., 1994 |
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INHALTSVERZEICHNIS
INHALTSVERZEICHNIS
.
1
VERZEICHNIS
DER
VERWENDETEN
ABKUERZUNGEN,
SYMBOLE
UND
FORMELZEICHEN
.
3
1.
EINLEITUNG
.
7
1.1
ZIELSETZUNG,
AUFGABENSTELLUNG
.
7
1.2
BEGRIFFSDEFINITIONEN
.
8
1.3
GLIEDERUNG
DER
ARBEIT
.
8
2.
KLEINSIGNALMODELL
VON
MODFETS
.
10
2.1
VERWENDETES
ERSATZSCHALTBILD
.
10
2.2
BESTIMMUNG
DER
PARASITAEREN
WIDERSTAENDE
UND
INDUKTIVITAETEN
.
13
2.3
BESTIMMUNG
DER
PARASITAEREN
PAD-KAPAZITAETCN
.
14
3.
TRANSISTOROPTIMIERUNG
DURCH
VARIATION
DES
IN-GEHALTS
IM
KANAL
.
18
3.1
THEORIE
DER
LADUNGSTRAEGERSTEUERUNG
.
18
3.2
ABHAENGIGKEIT
DER
MATERIALDATEN
VOM
IN-GEHALT
.
24
3.3
ABHAENGIGKEIT
DER
TRANSISTORDATEN
VOM
IN-GEHALT
.
27
4.
TRANSISTOROPTIMIERUNG
DURCH
VARIATION
DER
VERTIKALSTRUKTUR
DER
MODFETS
.
33
4.1
LADUNGSTRAEGERTRANSPORT-THEORIE
.
33
4.2
EINFLUSS
DES
ASPECT-RATIOS
AUF
DIE
TRANSISTORDATEN
.
37
4.3
ERGEBNISSE
FUER
PSEUDOMORPHE
MODFETS
MIT
0.16
JUN
GATELAENGE
.
42
5.
VERWENDUNG
GEEIGNETER
TRANSISTOR
UND
SCHALTUNGSKONZEPTE
ZUR
STEIGERUNG
DER
BANDBREITE
.
.45
5.1
VERGLEICH
VON
KASKADIERTEN
COMMON-SOURCC-FETS
UND
CASCODE-SCHALTUNGCN
.
45
5.2
EINFLUSS
DER
TRANSISTORABMESSUNGEN
AUF
DAS
HOECHSTFREQUENZVERHALTEN
.
50
6.
SCHALTUNGSERGEBNISSE
VON
MMICS
.
52
6.1
BREITBANDVERSTAERKER
.
52
6.2
SCHMALBANDVERSTAERKER
.
55
7.
ZUSAMMENFASSUNG
UND
AUSBLICK
.
57
7.1
ZUSAMMENFASSUNG
.
57
7.2
AUSBLICK
.
58
8.
LITERATURVERZEICHNIS
.
59
9.
DANKSAGUNGEN
.
65
8
8
10.
ANHANG
.
10.1
HERSTELLUNG
VON
MMICS
10.2
LISTE
EIGENER
VEROEFFENTLICHUNGEN,
DIE
IM
ZUSAMMENHANG
MIT
DIESER
ARBEIT
STEHEN
.
67
10.3
STICHWORTVERZEICHNIS
.71
10.4
LEBENSLAUF
.
72
2 |
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