Kristallwachstum von GeSi-Legierungen beim Bridgman-Verfahren:
Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: Karthaus, Engelbert (VerfasserIn)
Format: Buch
Sprache:German
Veröffentlicht: 1990
Schlagworte:
Beschreibung:Aachen, Techn. Hochsch., Diss., 1990. - Auch als: Jül-2418
Beschreibung:151 S. Ill., graph. Darst.

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