Hybrid-Verfahren zur Modellierung leistungselektronischer Bauelemente:
Gespeichert in:
| 1. Verfasser: | |
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| Format: | Abschlussarbeit Buch |
| Sprache: | German |
| Veröffentlicht: |
Düsseldorf
VDI-Verl.
1993
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| Ausgabe: | Als Ms. gedr. |
| Schriftenreihe: | Verein Deutscher Ingenieure: [Fortschrittberichte VDI / 21]
143 |
| Schlagworte: | |
| Online-Zugang: | Inhaltsverzeichnis |
| Beschreibung: | XI, 136 S. Ill., graph. Darst. |
| ISBN: | 3181443212 |
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INHALTSVERZEICHNIS
LISTE DER VERWENDETEN FORMELZEICHEN VIII
PHYSIKALISCHE KONSTANTEN.VIII
PHYSIKALISCHE GROESSEN.VIII
1 EINLEITUNG 1
2 GRUNDLAGEN 3
2.1 EIGENSCHAFTEN VON LEISTUNGSHALBLEITERN. 3
2.2 DIE AMBIPOLARE DIFFUSION. 7
2.2.1 PHYSIKALISCHE BESCHREIBUNG DES AUSRAEUMVORGANGES . . 7
2.2.2 GRUNDLEGENDE NAEHERUNGEN. 8
2.2.3 DIE AMBIPOLARE DIFFUSIONSGLEICHUNG. 12
2.2.4 GUELTIGKEITGRENZEN DER AMBIPOLAREN DIFFUSIONSGLEICHUNG 13
2.2.5 DIE LADUNGSKONTROLLGLEICHUNG.14
2.3 UEBERBLICK UEBER BISHERIGE LOESUNGSANSAETZE.15
2.3.1 QUASISTATISCHE MODELLE.15
2.3.2 SUBCIRCUIT MODEUE.17
2.3.3 MATHEMATISCHE MODELLE.17
3 DIE HYBRID-METHODE 20
3.1 PRINZIP DER HYBRID-METHODE.20
3.1.1 BESCHREIBUNG DER V-ZONE IM FALL Q 0.21
3.1.2 BESCHREIBUNG DER I/-ZONE IM FALL Q = 0.22
3.2 LOESUNG DER AMBIPOLAREN DIFFUSIONSGLEICHUNG.23
3.2.1 STATIONAERE LOESUNG DER AMBIPOLAREN DIFFUSIONSGLEICHUNG 24
BIBLIOGRAFISCHE INFORMATIONEN
HTTP://D-NB.INFO/940007681
VI
INHALTSVERZEICHNIS
3.2.2 DYNAMISCHE LOESUNG DER AMBIPOLAREN DIFFUSIONSGLEI
CHUNG .28
3.3 BERECHNUNG DES SPERRVERHALTENS.42
3.3.1 STATIONAERER FALL.42
3.3.2 DYNAMISCHER FALL.43
4 DAS DIODENMODELL 46
4.1 GRUNDLAGEN.46
4.1.1 STATISCHES VERHALTEN.47
4.1.2 DYNAMISCHES VERHALTEN.-.48
4.2 BERECHNUNG DER LADUNGSTRAEGERVERTEILUNG.51
4.2.1 BERECHNUNG DER RANDBEDINGUNGEN.51
4.2.2 STATIONAERER FALL.55
4.2.3 DYNAMISCHER FALL.57
4.2.4 EINFLUSS DES EMITTERWIRKUNGSGRADES.60
4.3 BERECHNUNG DER DIODENSPANNUNG.62
4.3.1 BERECHNUNG DER SPANNUNG AN DEN DOTIERUNGSSTUFEN . . 63
4.3.2 BERECHNUNG DES OHMSCHEN SPANNUNGSABFALLS UND DER
GRADIENTENSPANNUNG.- YY 64
4.3.3 BERECHNUNG DER SPANNUNG UEBER DER RAUMLADUNGSZONE 66
5 DAS TR ANSIST ORMODELL 72
5.1 GRUNDLAGEN.72
5.1.1 AUFBAU DES LEISTUNGSTRANSISTORS.72
5.1.2 STATISCHES VERHALTEN.73
5.1.3 DYNAMISCHES VERHALTEN.75
5.2 AUFBAU DES TRANSISTORMODELLS.77
5.3 BERECHNUNG DER LADUNGSTRAEGERVERTEILUNG.79
5.3.1 BESTIMMUNG DER RANDBEDINGUNGEN.79
5.3.2 STATIONAERER FALL.80
5.3.3 DYNAMISCHER FALL.82
5.4 BERECHNUNG DER SPANNUNGEN.85
6 DAS IGBT-MODELL 86
6.1 GRUNDLAGEN.86
6.1.1 AUFBAU DES IGBTS.86
6.1.2 STATISCHES VERHALTEN.88
6.1.3 DYNAMISCHES VERHALTEN.89
INHALTSVERZEICHNIS
VII
6.2 AUFBAU DES IGBT-MODELLS.90
6.3 BESCHREIBUNG DER MOS-KAPAZITAETEN.92
6.4 BERECHNUNG DER LADUNGSTRAEGERVERTEILUNG.93
6.4.1 RANDBEDINGUNGEN .93
6.4.2 STATIONAERER FALL.94
6.4.3 DYNAMISCHER FALL.95
6.5 BERECHNUNG DER SPANNUNGEN.96
7 THERMISCHES VERHALTEN 98
7.1 STATISCHE TEMPERATUREFFEKTE.98
7.2 DYNAMISCHE TEMPERATUREFFEKTE.101
8 ERGEBNISSE 107
8.1 TESTSCHALTUNGEN.107
8.1.1 TESTSCHALTUNG FUER DIE DIODE.109
8.1.2 TESTSCHALTUNG FUER TRANSISTOR UND IGBT.110
8.2 CHARAKTERISIERUNG DER TESTSCHALTUNGEN.112
8.3 SIMULATIONSERGEBNISSE .114
8.3.1 DIODE.114
8.3.2 TRANSISTOR.114
8.3.3 IGBT.115
8.4 RECHENZEIT.124
9 ZUSAMMENFASSUNG 127
LITERATURVERZEICHNIS 129
SACHVERZEICHNIS
134 |
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