On the origin of 1/f noise in epitaxial GaAs:
Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: Ren, Lin (VerfasserIn)
Format: Buch
Sprache:English
Veröffentlicht: 1993
Schlagworte:
Beschreibung:Eindhoven, Techn. Univ., Diss. - Zsfassung in niederländ. Sprache
Beschreibung:VI, 103 S. graph. Darst.

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