Untersuchung von Rekombinationsprozessen und "tiefen" Störstellen in Silizium:
Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: Hangleiter, Andreas (VerfasserIn), Conzelmann, Heinrich (VerfasserIn)
Format: Buch
Sprache:Undetermined
Veröffentlicht: Eggenstein-Leopoldshafen Fachinformationszentrum Energie, Physik, Mathematik 1985
Ausgabe:Als Ms. gedr.
Schlagworte:
Beschreibung:Zsfassung in engl. Sprache. - PST: Investigation of recombination processes and deep impurities in silicon
Beschreibung:105 S. graph. Darst.

Es ist kein Print-Exemplar vorhanden.

Fernleihe Bestellen Achtung: Nicht im THWS-Bestand!