(1984). Entwicklung einer Zwei-mü-m-Silicon-Gate-CMOS-Technologie zur Herstellung von mikroprozessororientierten VLSI-Schaltkreisen mit einem Versorgungsspannungsbereich von 1,5 bis 5 Volt: = Development of a two mue-m silicon-gate-CMOStechnology for microcomputer oriented VLSI circuits with a supply voltage range of 1.5 to 5 volts (Als Ms. gedr.). Bundesmin. für Forschung u. Technologie.
Chicago-Zitierstil (17. Ausg.)Entwicklung Einer Zwei-mü-m-Silicon-Gate-CMOS-Technologie Zur Herstellung Von Mikroprozessororientierten VLSI-Schaltkreisen Mit Einem Versorgungsspannungsbereich Von 1,5 Bis 5 Volt: = Development of a Two Mue-m Silicon-gate-CMOStechnology for Microcomputer Oriented VLSI Circuits with a Supply Voltage Range of 1.5 to 5 Volts. Als Ms. gedr. Bonn: Bundesmin. für Forschung u. Technologie, 1984.
MLA-Zitierstil (9. Ausg.)Entwicklung Einer Zwei-mü-m-Silicon-Gate-CMOS-Technologie Zur Herstellung Von Mikroprozessororientierten VLSI-Schaltkreisen Mit Einem Versorgungsspannungsbereich Von 1,5 Bis 5 Volt: = Development of a Two Mue-m Silicon-gate-CMOStechnology for Microcomputer Oriented VLSI Circuits with a Supply Voltage Range of 1.5 to 5 Volts. Als Ms. gedr. Bundesmin. für Forschung u. Technologie, 1984.