Entwicklung einer Zwei-mü-m-Silicon-Gate-CMOS-Technologie zur Herstellung von mikroprozessororientierten VLSI-Schaltkreisen mit einem Versorgungsspannungsbereich von 1,5 bis 5 Volt: = Development of a two mue-m silicon-gate-CMOStechnology for microcomputer oriented VLSI circuits with a supply voltage range of 1.5 to 5 volts
Gespeichert in:
| Format: | Buch |
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| Sprache: | Undetermined |
| Veröffentlicht: |
Bonn
Bundesmin. für Forschung u. Technologie
1984
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| Ausgabe: | Als Ms. gedr. |
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| Beschreibung: | Zsfassung in engl. Sprache |
| Beschreibung: | 246 S. Ill., graph. Darst. |
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