Untersuchung des Einflusses von Dotierungen auf das Kristallpotential von Silizium durch Beugung im konvergenten Elektronenbündel:
Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: Voss, Reiner (VerfasserIn)
Format: Mikrofilm Buch
Sprache:Undetermined
Veröffentlicht: 1979
Schlagworte:
Beschreibung:Berlin, Techn. Univ., Diss.
Beschreibung:92, 22 Bl.: 2 Mikrofiches 24 x

Es ist kein Print-Exemplar vorhanden.

Fernleihe Bestellen Achtung: Nicht im THWS-Bestand!