Untersuchung der Ursache für das Burstrauschen von bipolaren Transistoren in integrierten Schaltkreisen:
Gespeichert in:
| 1. Verfasser: | |
|---|---|
| Format: | Buch |
| Sprache: | Undetermined |
| Veröffentlicht: |
Eggenstein-Leopoldshafen
Kernforschungszentrum
1980
|
| Schriftenreihe: | Deutschland <Bundesrepublik>. Bundesmin. für Forschung und Technologie: Forschungsbericht. Technologische Forschung und Entwicklung.
1980,96=Elektronik. |
| Schlagworte: | |
| Beschreibung: | 32 S. graph. Darst. |
Internformat
MARC
| LEADER | 00000nam a2200000 cb4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | BV007538874 | ||
| 003 | DE-604 | ||
| 005 | 20050622 | ||
| 007 | t | ||
| 008 | 930421s1980 d||| |||| 00||| und d | ||
| 035 | |a (OCoLC)632912053 | ||
| 035 | |a (DE-599)BVBBV007538874 | ||
| 040 | |a DE-604 |b ger |e rakddb | ||
| 041 | |a und | ||
| 049 | |a DE-355 | ||
| 100 | 1 | |a Hintzmann, Kurt-Dieter |e Verfasser |4 aut | |
| 245 | 1 | 0 | |a Untersuchung der Ursache für das Burstrauschen von bipolaren Transistoren in integrierten Schaltkreisen |
| 264 | 1 | |a Eggenstein-Leopoldshafen |b Kernforschungszentrum |c 1980 | |
| 300 | |a 32 S. |b graph. Darst. | ||
| 336 | |b txt |2 rdacontent | ||
| 337 | |b n |2 rdamedia | ||
| 338 | |b nc |2 rdacarrier | ||
| 490 | 1 | |a Deutschland <Bundesrepublik>. Bundesmin. für Forschung und Technologie: Forschungsbericht. Technologische Forschung und Entwicklung. |v 1980,96=Elektronik. | |
| 650 | 0 | 7 | |a Bipolartransistor |0 (DE-588)4145669-5 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Burst |g Nachrichtentechnik |0 (DE-588)4807487-1 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Rauschen |0 (DE-588)4048606-0 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Planartechnik |0 (DE-588)4174785-9 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Bipolarschaltung |0 (DE-588)4145667-1 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Gitterbaufehler |0 (DE-588)4125030-8 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Silicium |0 (DE-588)4077445-4 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 689 | 0 | 0 | |a Burst |g Nachrichtentechnik |0 (DE-588)4807487-1 |D s |
| 689 | 0 | |5 DE-604 | |
| 689 | 1 | 0 | |a Bipolarschaltung |0 (DE-588)4145667-1 |D s |
| 689 | 1 | |5 DE-604 | |
| 689 | 2 | 0 | |a Planartechnik |0 (DE-588)4174785-9 |D s |
| 689 | 2 | 1 | |a Silicium |0 (DE-588)4077445-4 |D s |
| 689 | 2 | |5 DE-604 | |
| 689 | 3 | 0 | |a Gitterbaufehler |0 (DE-588)4125030-8 |D s |
| 689 | 3 | |5 DE-604 | |
| 689 | 4 | 0 | |a Bipolartransistor |0 (DE-588)4145669-5 |D s |
| 689 | 4 | 1 | |a Rauschen |0 (DE-588)4048606-0 |D s |
| 689 | 4 | |8 1\p |5 DE-604 | |
| 830 | 0 | |a Deutschland <Bundesrepublik>. Bundesmin. für Forschung und Technologie: Forschungsbericht. Technologische Forschung und Entwicklung. |v 1980,96=Elektronik. |w (DE-604)BV000004400 |9 1980,96 | |
| 999 | |a oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-004911732 | ||
| 883 | 1 | |8 1\p |a cgwrk |d 20201028 |q DE-101 |u https://d-nb.info/provenance/plan#cgwrk | |
Datensatz im Suchindex
| _version_ | 1804121834766991360 |
|---|---|
| any_adam_object | |
| author | Hintzmann, Kurt-Dieter |
| author_facet | Hintzmann, Kurt-Dieter |
| author_role | aut |
| author_sort | Hintzmann, Kurt-Dieter |
| author_variant | k d h kdh |
| building | Verbundindex |
| bvnumber | BV007538874 |
| ctrlnum | (OCoLC)632912053 (DE-599)BVBBV007538874 |
| format | Book |
| fullrecord | <?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?><collection xmlns="http://www.loc.gov/MARC21/slim"><record><leader>02155nam a2200505 cb4500</leader><controlfield tag="001">BV007538874</controlfield><controlfield tag="003">DE-604</controlfield><controlfield tag="005">20050622 </controlfield><controlfield tag="007">t</controlfield><controlfield tag="008">930421s1980 d||| |||| 00||| und d</controlfield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(OCoLC)632912053</subfield></datafield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(DE-599)BVBBV007538874</subfield></datafield><datafield tag="040" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-604</subfield><subfield code="b">ger</subfield><subfield code="e">rakddb</subfield></datafield><datafield tag="041" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">und</subfield></datafield><datafield tag="049" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-355</subfield></datafield><datafield tag="100" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">Hintzmann, Kurt-Dieter</subfield><subfield code="e">Verfasser</subfield><subfield code="4">aut</subfield></datafield><datafield tag="245" ind1="1" ind2="0"><subfield code="a">Untersuchung der Ursache für das Burstrauschen von bipolaren Transistoren in integrierten Schaltkreisen</subfield></datafield><datafield tag="264" ind1=" " ind2="1"><subfield code="a">Eggenstein-Leopoldshafen</subfield><subfield code="b">Kernforschungszentrum</subfield><subfield code="c">1980</subfield></datafield><datafield tag="300" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">32 S.</subfield><subfield code="b">graph. Darst.</subfield></datafield><datafield tag="336" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">txt</subfield><subfield code="2">rdacontent</subfield></datafield><datafield tag="337" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">n</subfield><subfield code="2">rdamedia</subfield></datafield><datafield tag="338" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">nc</subfield><subfield code="2">rdacarrier</subfield></datafield><datafield tag="490" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">Deutschland <Bundesrepublik>. Bundesmin. für Forschung und Technologie: Forschungsbericht. Technologische Forschung und Entwicklung.</subfield><subfield code="v">1980,96=Elektronik.</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Bipolartransistor</subfield><subfield code="0">(DE-588)4145669-5</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Burst</subfield><subfield code="g">Nachrichtentechnik</subfield><subfield code="0">(DE-588)4807487-1</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Rauschen</subfield><subfield code="0">(DE-588)4048606-0</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Planartechnik</subfield><subfield code="0">(DE-588)4174785-9</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Bipolarschaltung</subfield><subfield code="0">(DE-588)4145667-1</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Gitterbaufehler</subfield><subfield code="0">(DE-588)4125030-8</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Silicium</subfield><subfield code="0">(DE-588)4077445-4</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="0"><subfield code="a">Burst</subfield><subfield code="g">Nachrichtentechnik</subfield><subfield code="0">(DE-588)4807487-1</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2=" "><subfield code="5">DE-604</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="1" ind2="0"><subfield code="a">Bipolarschaltung</subfield><subfield code="0">(DE-588)4145667-1</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="1" ind2=" "><subfield code="5">DE-604</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="2" ind2="0"><subfield code="a">Planartechnik</subfield><subfield code="0">(DE-588)4174785-9</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="2" ind2="1"><subfield code="a">Silicium</subfield><subfield code="0">(DE-588)4077445-4</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="2" ind2=" "><subfield code="5">DE-604</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="3" ind2="0"><subfield code="a">Gitterbaufehler</subfield><subfield code="0">(DE-588)4125030-8</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="3" ind2=" "><subfield code="5">DE-604</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="4" ind2="0"><subfield code="a">Bipolartransistor</subfield><subfield code="0">(DE-588)4145669-5</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="4" ind2="1"><subfield code="a">Rauschen</subfield><subfield code="0">(DE-588)4048606-0</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="4" ind2=" "><subfield code="8">1\p</subfield><subfield code="5">DE-604</subfield></datafield><datafield tag="830" ind1=" " ind2="0"><subfield code="a">Deutschland <Bundesrepublik>. Bundesmin. für Forschung und Technologie: Forschungsbericht. Technologische Forschung und Entwicklung.</subfield><subfield code="v">1980,96=Elektronik.</subfield><subfield code="w">(DE-604)BV000004400</subfield><subfield code="9">1980,96</subfield></datafield><datafield tag="999" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-004911732</subfield></datafield><datafield tag="883" ind1="1" ind2=" "><subfield code="8">1\p</subfield><subfield code="a">cgwrk</subfield><subfield code="d">20201028</subfield><subfield code="q">DE-101</subfield><subfield code="u">https://d-nb.info/provenance/plan#cgwrk</subfield></datafield></record></collection> |
| id | DE-604.BV007538874 |
| illustrated | Illustrated |
| indexdate | 2024-07-09T17:04:17Z |
| institution | BVB |
| language | Undetermined |
| oai_aleph_id | oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-004911732 |
| oclc_num | 632912053 |
| open_access_boolean | |
| owner | DE-355 DE-BY-UBR |
| owner_facet | DE-355 DE-BY-UBR |
| physical | 32 S. graph. Darst. |
| publishDate | 1980 |
| publishDateSearch | 1980 |
| publishDateSort | 1980 |
| publisher | Kernforschungszentrum |
| record_format | marc |
| series | Deutschland <Bundesrepublik>. Bundesmin. für Forschung und Technologie: Forschungsbericht. Technologische Forschung und Entwicklung. |
| series2 | Deutschland <Bundesrepublik>. Bundesmin. für Forschung und Technologie: Forschungsbericht. Technologische Forschung und Entwicklung. |
| spelling | Hintzmann, Kurt-Dieter Verfasser aut Untersuchung der Ursache für das Burstrauschen von bipolaren Transistoren in integrierten Schaltkreisen Eggenstein-Leopoldshafen Kernforschungszentrum 1980 32 S. graph. Darst. txt rdacontent n rdamedia nc rdacarrier Deutschland <Bundesrepublik>. Bundesmin. für Forschung und Technologie: Forschungsbericht. Technologische Forschung und Entwicklung. 1980,96=Elektronik. Bipolartransistor (DE-588)4145669-5 gnd rswk-swf Burst Nachrichtentechnik (DE-588)4807487-1 gnd rswk-swf Rauschen (DE-588)4048606-0 gnd rswk-swf Planartechnik (DE-588)4174785-9 gnd rswk-swf Bipolarschaltung (DE-588)4145667-1 gnd rswk-swf Gitterbaufehler (DE-588)4125030-8 gnd rswk-swf Silicium (DE-588)4077445-4 gnd rswk-swf Burst Nachrichtentechnik (DE-588)4807487-1 s DE-604 Bipolarschaltung (DE-588)4145667-1 s Planartechnik (DE-588)4174785-9 s Silicium (DE-588)4077445-4 s Gitterbaufehler (DE-588)4125030-8 s Bipolartransistor (DE-588)4145669-5 s Rauschen (DE-588)4048606-0 s 1\p DE-604 Deutschland <Bundesrepublik>. Bundesmin. für Forschung und Technologie: Forschungsbericht. Technologische Forschung und Entwicklung. 1980,96=Elektronik. (DE-604)BV000004400 1980,96 1\p cgwrk 20201028 DE-101 https://d-nb.info/provenance/plan#cgwrk |
| spellingShingle | Hintzmann, Kurt-Dieter Untersuchung der Ursache für das Burstrauschen von bipolaren Transistoren in integrierten Schaltkreisen Deutschland <Bundesrepublik>. Bundesmin. für Forschung und Technologie: Forschungsbericht. Technologische Forschung und Entwicklung. Bipolartransistor (DE-588)4145669-5 gnd Burst Nachrichtentechnik (DE-588)4807487-1 gnd Rauschen (DE-588)4048606-0 gnd Planartechnik (DE-588)4174785-9 gnd Bipolarschaltung (DE-588)4145667-1 gnd Gitterbaufehler (DE-588)4125030-8 gnd Silicium (DE-588)4077445-4 gnd |
| subject_GND | (DE-588)4145669-5 (DE-588)4807487-1 (DE-588)4048606-0 (DE-588)4174785-9 (DE-588)4145667-1 (DE-588)4125030-8 (DE-588)4077445-4 |
| title | Untersuchung der Ursache für das Burstrauschen von bipolaren Transistoren in integrierten Schaltkreisen |
| title_auth | Untersuchung der Ursache für das Burstrauschen von bipolaren Transistoren in integrierten Schaltkreisen |
| title_exact_search | Untersuchung der Ursache für das Burstrauschen von bipolaren Transistoren in integrierten Schaltkreisen |
| title_full | Untersuchung der Ursache für das Burstrauschen von bipolaren Transistoren in integrierten Schaltkreisen |
| title_fullStr | Untersuchung der Ursache für das Burstrauschen von bipolaren Transistoren in integrierten Schaltkreisen |
| title_full_unstemmed | Untersuchung der Ursache für das Burstrauschen von bipolaren Transistoren in integrierten Schaltkreisen |
| title_short | Untersuchung der Ursache für das Burstrauschen von bipolaren Transistoren in integrierten Schaltkreisen |
| title_sort | untersuchung der ursache fur das burstrauschen von bipolaren transistoren in integrierten schaltkreisen |
| topic | Bipolartransistor (DE-588)4145669-5 gnd Burst Nachrichtentechnik (DE-588)4807487-1 gnd Rauschen (DE-588)4048606-0 gnd Planartechnik (DE-588)4174785-9 gnd Bipolarschaltung (DE-588)4145667-1 gnd Gitterbaufehler (DE-588)4125030-8 gnd Silicium (DE-588)4077445-4 gnd |
| topic_facet | Bipolartransistor Burst Nachrichtentechnik Rauschen Planartechnik Bipolarschaltung Gitterbaufehler Silicium |
| volume_link | (DE-604)BV000004400 |
| work_keys_str_mv | AT hintzmannkurtdieter untersuchungderursachefurdasburstrauschenvonbipolarentransistoreninintegriertenschaltkreisen |