Planar Transistoren und Impatt-Dioden mit Ionen-Implantation:
Gespeichert in:
| Format: | Buch |
|---|---|
| Sprache: | Undetermined |
| Veröffentlicht: |
Eggenstein-Leopoldshafen
Kernforschungszentrum
1979
|
| Schriftenreihe: | Deutschland <Bundesrepublik>. Bundesmin. für Forschung und Technologie: Forschungsbericht. Technologische Forschung und Entwicklung.
1979,16=Elektronik. |
| Schlagworte: | |
| Beschreibung: | 59 S. Ill., graph. Darst. |
| ISSN: | 0340-7608 |
Internformat
MARC
| LEADER | 00000nam a2200000 cb4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | BV007515372 | ||
| 003 | DE-604 | ||
| 005 | 00000000000000.0 | ||
| 007 | t | ||
| 008 | 930421s1979 ad|| |||| 00||| und d | ||
| 035 | |a (OCoLC)252414526 | ||
| 035 | |a (DE-599)BVBBV007515372 | ||
| 040 | |a DE-604 |b ger |e rakddb | ||
| 041 | |a und | ||
| 049 | |a DE-355 |a DE-19 | ||
| 245 | 1 | 0 | |a Planar Transistoren und Impatt-Dioden mit Ionen-Implantation |c Mitarb.: Heinz Dorendorf* |
| 264 | 1 | |a Eggenstein-Leopoldshafen |b Kernforschungszentrum |c 1979 | |
| 300 | |a 59 S. |b Ill., graph. Darst. | ||
| 336 | |b txt |2 rdacontent | ||
| 337 | |b n |2 rdamedia | ||
| 338 | |b nc |2 rdacarrier | ||
| 490 | 1 | |a Deutschland <Bundesrepublik>. Bundesmin. für Forschung und Technologie: Forschungsbericht. Technologische Forschung und Entwicklung. |v 1979,16=Elektronik. |x 0340-7608 | |
| 650 | 0 | 7 | |a Planartransistor |0 (DE-588)4174786-0 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Impatt-Diode |0 (DE-588)4161393-4 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Ionenimplantation |0 (DE-588)4027606-5 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 689 | 0 | 0 | |a Planartransistor |0 (DE-588)4174786-0 |D s |
| 689 | 0 | 1 | |a Impatt-Diode |0 (DE-588)4161393-4 |D s |
| 689 | 0 | 2 | |a Ionenimplantation |0 (DE-588)4027606-5 |D s |
| 689 | 0 | |5 DE-604 | |
| 700 | 1 | |a Dorendorf, Heinz |e Sonstige |4 oth | |
| 830 | 0 | |a Deutschland <Bundesrepublik>. Bundesmin. für Forschung und Technologie: Forschungsbericht. Technologische Forschung und Entwicklung. |v 1979,16=Elektronik. |w (DE-604)BV000004400 |9 1979,16 | |
| 999 | |a oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-004891089 | ||
Datensatz im Suchindex
| _version_ | 1804121805597704192 |
|---|---|
| any_adam_object | |
| building | Verbundindex |
| bvnumber | BV007515372 |
| ctrlnum | (OCoLC)252414526 (DE-599)BVBBV007515372 |
| format | Book |
| fullrecord | <?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?><collection xmlns="http://www.loc.gov/MARC21/slim"><record><leader>01498nam a2200349 cb4500</leader><controlfield tag="001">BV007515372</controlfield><controlfield tag="003">DE-604</controlfield><controlfield tag="005">00000000000000.0</controlfield><controlfield tag="007">t</controlfield><controlfield tag="008">930421s1979 ad|| |||| 00||| und d</controlfield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(OCoLC)252414526</subfield></datafield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(DE-599)BVBBV007515372</subfield></datafield><datafield tag="040" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-604</subfield><subfield code="b">ger</subfield><subfield code="e">rakddb</subfield></datafield><datafield tag="041" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">und</subfield></datafield><datafield tag="049" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-355</subfield><subfield code="a">DE-19</subfield></datafield><datafield tag="245" ind1="1" ind2="0"><subfield code="a">Planar Transistoren und Impatt-Dioden mit Ionen-Implantation</subfield><subfield code="c">Mitarb.: Heinz Dorendorf*</subfield></datafield><datafield tag="264" ind1=" " ind2="1"><subfield code="a">Eggenstein-Leopoldshafen</subfield><subfield code="b">Kernforschungszentrum</subfield><subfield code="c">1979</subfield></datafield><datafield tag="300" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">59 S.</subfield><subfield code="b">Ill., graph. Darst.</subfield></datafield><datafield tag="336" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">txt</subfield><subfield code="2">rdacontent</subfield></datafield><datafield tag="337" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">n</subfield><subfield code="2">rdamedia</subfield></datafield><datafield tag="338" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">nc</subfield><subfield code="2">rdacarrier</subfield></datafield><datafield tag="490" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">Deutschland <Bundesrepublik>. Bundesmin. für Forschung und Technologie: Forschungsbericht. Technologische Forschung und Entwicklung.</subfield><subfield code="v">1979,16=Elektronik.</subfield><subfield code="x">0340-7608</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Planartransistor</subfield><subfield code="0">(DE-588)4174786-0</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Impatt-Diode</subfield><subfield code="0">(DE-588)4161393-4</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Ionenimplantation</subfield><subfield code="0">(DE-588)4027606-5</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="0"><subfield code="a">Planartransistor</subfield><subfield code="0">(DE-588)4174786-0</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="1"><subfield code="a">Impatt-Diode</subfield><subfield code="0">(DE-588)4161393-4</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="2"><subfield code="a">Ionenimplantation</subfield><subfield code="0">(DE-588)4027606-5</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2=" "><subfield code="5">DE-604</subfield></datafield><datafield tag="700" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">Dorendorf, Heinz</subfield><subfield code="e">Sonstige</subfield><subfield code="4">oth</subfield></datafield><datafield tag="830" ind1=" " ind2="0"><subfield code="a">Deutschland <Bundesrepublik>. Bundesmin. für Forschung und Technologie: Forschungsbericht. Technologische Forschung und Entwicklung.</subfield><subfield code="v">1979,16=Elektronik.</subfield><subfield code="w">(DE-604)BV000004400</subfield><subfield code="9">1979,16</subfield></datafield><datafield tag="999" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-004891089</subfield></datafield></record></collection> |
| id | DE-604.BV007515372 |
| illustrated | Illustrated |
| indexdate | 2024-07-09T17:03:49Z |
| institution | BVB |
| issn | 0340-7608 |
| language | Undetermined |
| oai_aleph_id | oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-004891089 |
| oclc_num | 252414526 |
| open_access_boolean | |
| owner | DE-355 DE-BY-UBR DE-19 DE-BY-UBM |
| owner_facet | DE-355 DE-BY-UBR DE-19 DE-BY-UBM |
| physical | 59 S. Ill., graph. Darst. |
| publishDate | 1979 |
| publishDateSearch | 1979 |
| publishDateSort | 1979 |
| publisher | Kernforschungszentrum |
| record_format | marc |
| series | Deutschland <Bundesrepublik>. Bundesmin. für Forschung und Technologie: Forschungsbericht. Technologische Forschung und Entwicklung. |
| series2 | Deutschland <Bundesrepublik>. Bundesmin. für Forschung und Technologie: Forschungsbericht. Technologische Forschung und Entwicklung. |
| spelling | Planar Transistoren und Impatt-Dioden mit Ionen-Implantation Mitarb.: Heinz Dorendorf* Eggenstein-Leopoldshafen Kernforschungszentrum 1979 59 S. Ill., graph. Darst. txt rdacontent n rdamedia nc rdacarrier Deutschland <Bundesrepublik>. Bundesmin. für Forschung und Technologie: Forschungsbericht. Technologische Forschung und Entwicklung. 1979,16=Elektronik. 0340-7608 Planartransistor (DE-588)4174786-0 gnd rswk-swf Impatt-Diode (DE-588)4161393-4 gnd rswk-swf Ionenimplantation (DE-588)4027606-5 gnd rswk-swf Planartransistor (DE-588)4174786-0 s Impatt-Diode (DE-588)4161393-4 s Ionenimplantation (DE-588)4027606-5 s DE-604 Dorendorf, Heinz Sonstige oth Deutschland <Bundesrepublik>. Bundesmin. für Forschung und Technologie: Forschungsbericht. Technologische Forschung und Entwicklung. 1979,16=Elektronik. (DE-604)BV000004400 1979,16 |
| spellingShingle | Planar Transistoren und Impatt-Dioden mit Ionen-Implantation Deutschland <Bundesrepublik>. Bundesmin. für Forschung und Technologie: Forschungsbericht. Technologische Forschung und Entwicklung. Planartransistor (DE-588)4174786-0 gnd Impatt-Diode (DE-588)4161393-4 gnd Ionenimplantation (DE-588)4027606-5 gnd |
| subject_GND | (DE-588)4174786-0 (DE-588)4161393-4 (DE-588)4027606-5 |
| title | Planar Transistoren und Impatt-Dioden mit Ionen-Implantation |
| title_auth | Planar Transistoren und Impatt-Dioden mit Ionen-Implantation |
| title_exact_search | Planar Transistoren und Impatt-Dioden mit Ionen-Implantation |
| title_full | Planar Transistoren und Impatt-Dioden mit Ionen-Implantation Mitarb.: Heinz Dorendorf* |
| title_fullStr | Planar Transistoren und Impatt-Dioden mit Ionen-Implantation Mitarb.: Heinz Dorendorf* |
| title_full_unstemmed | Planar Transistoren und Impatt-Dioden mit Ionen-Implantation Mitarb.: Heinz Dorendorf* |
| title_short | Planar Transistoren und Impatt-Dioden mit Ionen-Implantation |
| title_sort | planar transistoren und impatt dioden mit ionen implantation |
| topic | Planartransistor (DE-588)4174786-0 gnd Impatt-Diode (DE-588)4161393-4 gnd Ionenimplantation (DE-588)4027606-5 gnd |
| topic_facet | Planartransistor Impatt-Diode Ionenimplantation |
| volume_link | (DE-604)BV000004400 |
| work_keys_str_mv | AT dorendorfheinz planartransistorenundimpattdiodenmitionenimplantation |