Theoretische und praktische Untersuchung über das Rauschverhalten von Feldeffekt-Transistoren in Pinchoff-Gebiet:
Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: Kässer, Rudolf (VerfasserIn)
Format: Buch
Sprache:Undetermined
Veröffentlicht: 1973
Schlagworte:
Beschreibung:Zürich, Techn. Hochsch., Diss., 1973
Beschreibung:149 S. graph. Darst.

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