Gezielte Herstellung von radialen Profilen des spezifischen Widerstands phosphordotierter, versetzungsfreier Siliciumeinkristalle: Silicium für überkopfzündfeste Thyristoren
Gespeichert in:
| 1. Verfasser: | |
|---|---|
| Format: | Buch |
| Sprache: | Undetermined |
| Veröffentlicht: |
München
ZLDI
1976
|
| Schriftenreihe: | Deutschland <Bundesrepublik>. Bundesmin. für Forschung u. Technologie: Forschungsber. Technolog. Forschung u. Entwicklung.
1976,33=Elektronik. |
| Schlagworte: | |
| Beschreibung: | 71 S. graph. Darst. |
Internformat
MARC
| LEADER | 00000nam a2200000 cb4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | BV007381950 | ||
| 003 | DE-604 | ||
| 005 | 00000000000000.0 | ||
| 007 | t | ||
| 008 | 930421s1976 d||| |||| 00||| und d | ||
| 035 | |a (OCoLC)632409697 | ||
| 035 | |a (DE-599)BVBBV007381950 | ||
| 040 | |a DE-604 |b ger |e rakddb | ||
| 041 | |a und | ||
| 049 | |a DE-355 |a DE-19 | ||
| 100 | 1 | |a Keller, Wolfgang |e Verfasser |4 aut | |
| 245 | 1 | 0 | |a Gezielte Herstellung von radialen Profilen des spezifischen Widerstands phosphordotierter, versetzungsfreier Siliciumeinkristalle |b Silicium für überkopfzündfeste Thyristoren |
| 264 | 1 | |a München |b ZLDI |c 1976 | |
| 300 | |a 71 S. |b graph. Darst. | ||
| 336 | |b txt |2 rdacontent | ||
| 337 | |b n |2 rdamedia | ||
| 338 | |b nc |2 rdacarrier | ||
| 490 | 1 | |a Deutschland <Bundesrepublik>. Bundesmin. für Forschung u. Technologie: Forschungsber. Technolog. Forschung u. Entwicklung. |v 1976,33=Elektronik. | |
| 650 | 0 | 7 | |a Schmelzzone |0 (DE-588)4498118-1 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Einkristall |0 (DE-588)4013901-3 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Kristallzüchtung |0 (DE-588)4140616-3 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Silicium |0 (DE-588)4077445-4 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 689 | 0 | 0 | |a Silicium |0 (DE-588)4077445-4 |D s |
| 689 | 0 | 1 | |a Einkristall |0 (DE-588)4013901-3 |D s |
| 689 | 0 | 2 | |a Schmelzzone |0 (DE-588)4498118-1 |D s |
| 689 | 0 | 3 | |a Kristallzüchtung |0 (DE-588)4140616-3 |D s |
| 689 | 0 | |5 DE-604 | |
| 830 | 0 | |a Deutschland <Bundesrepublik>. Bundesmin. für Forschung u. Technologie: Forschungsber. Technolog. Forschung u. Entwicklung. |v 1976,33=Elektronik. |w (DE-604)BV000004400 |9 1976,33 | |
| 999 | |a oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-004769131 | ||
Datensatz im Suchindex
| _version_ | 1804121634535112704 |
|---|---|
| any_adam_object | |
| author | Keller, Wolfgang |
| author_facet | Keller, Wolfgang |
| author_role | aut |
| author_sort | Keller, Wolfgang |
| author_variant | w k wk |
| building | Verbundindex |
| bvnumber | BV007381950 |
| ctrlnum | (OCoLC)632409697 (DE-599)BVBBV007381950 |
| format | Book |
| fullrecord | <?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?><collection xmlns="http://www.loc.gov/MARC21/slim"><record><leader>01612nam a2200373 cb4500</leader><controlfield tag="001">BV007381950</controlfield><controlfield tag="003">DE-604</controlfield><controlfield tag="005">00000000000000.0</controlfield><controlfield tag="007">t</controlfield><controlfield tag="008">930421s1976 d||| |||| 00||| und d</controlfield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(OCoLC)632409697</subfield></datafield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(DE-599)BVBBV007381950</subfield></datafield><datafield tag="040" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-604</subfield><subfield code="b">ger</subfield><subfield code="e">rakddb</subfield></datafield><datafield tag="041" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">und</subfield></datafield><datafield tag="049" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-355</subfield><subfield code="a">DE-19</subfield></datafield><datafield tag="100" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">Keller, Wolfgang</subfield><subfield code="e">Verfasser</subfield><subfield code="4">aut</subfield></datafield><datafield tag="245" ind1="1" ind2="0"><subfield code="a">Gezielte Herstellung von radialen Profilen des spezifischen Widerstands phosphordotierter, versetzungsfreier Siliciumeinkristalle</subfield><subfield code="b">Silicium für überkopfzündfeste Thyristoren</subfield></datafield><datafield tag="264" ind1=" " ind2="1"><subfield code="a">München</subfield><subfield code="b">ZLDI</subfield><subfield code="c">1976</subfield></datafield><datafield tag="300" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">71 S.</subfield><subfield code="b">graph. Darst.</subfield></datafield><datafield tag="336" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">txt</subfield><subfield code="2">rdacontent</subfield></datafield><datafield tag="337" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">n</subfield><subfield code="2">rdamedia</subfield></datafield><datafield tag="338" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">nc</subfield><subfield code="2">rdacarrier</subfield></datafield><datafield tag="490" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">Deutschland <Bundesrepublik>. Bundesmin. für Forschung u. Technologie: Forschungsber. Technolog. Forschung u. Entwicklung.</subfield><subfield code="v">1976,33=Elektronik.</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Schmelzzone</subfield><subfield code="0">(DE-588)4498118-1</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Einkristall</subfield><subfield code="0">(DE-588)4013901-3</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Kristallzüchtung</subfield><subfield code="0">(DE-588)4140616-3</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Silicium</subfield><subfield code="0">(DE-588)4077445-4</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="0"><subfield code="a">Silicium</subfield><subfield code="0">(DE-588)4077445-4</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="1"><subfield code="a">Einkristall</subfield><subfield code="0">(DE-588)4013901-3</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="2"><subfield code="a">Schmelzzone</subfield><subfield code="0">(DE-588)4498118-1</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="3"><subfield code="a">Kristallzüchtung</subfield><subfield code="0">(DE-588)4140616-3</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2=" "><subfield code="5">DE-604</subfield></datafield><datafield tag="830" ind1=" " ind2="0"><subfield code="a">Deutschland <Bundesrepublik>. Bundesmin. für Forschung u. Technologie: Forschungsber. Technolog. Forschung u. Entwicklung.</subfield><subfield code="v">1976,33=Elektronik.</subfield><subfield code="w">(DE-604)BV000004400</subfield><subfield code="9">1976,33</subfield></datafield><datafield tag="999" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-004769131</subfield></datafield></record></collection> |
| id | DE-604.BV007381950 |
| illustrated | Illustrated |
| indexdate | 2024-07-09T17:01:06Z |
| institution | BVB |
| language | Undetermined |
| oai_aleph_id | oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-004769131 |
| oclc_num | 632409697 |
| open_access_boolean | |
| owner | DE-355 DE-BY-UBR DE-19 DE-BY-UBM |
| owner_facet | DE-355 DE-BY-UBR DE-19 DE-BY-UBM |
| physical | 71 S. graph. Darst. |
| publishDate | 1976 |
| publishDateSearch | 1976 |
| publishDateSort | 1976 |
| publisher | ZLDI |
| record_format | marc |
| series | Deutschland <Bundesrepublik>. Bundesmin. für Forschung u. Technologie: Forschungsber. Technolog. Forschung u. Entwicklung. |
| series2 | Deutschland <Bundesrepublik>. Bundesmin. für Forschung u. Technologie: Forschungsber. Technolog. Forschung u. Entwicklung. |
| spelling | Keller, Wolfgang Verfasser aut Gezielte Herstellung von radialen Profilen des spezifischen Widerstands phosphordotierter, versetzungsfreier Siliciumeinkristalle Silicium für überkopfzündfeste Thyristoren München ZLDI 1976 71 S. graph. Darst. txt rdacontent n rdamedia nc rdacarrier Deutschland <Bundesrepublik>. Bundesmin. für Forschung u. Technologie: Forschungsber. Technolog. Forschung u. Entwicklung. 1976,33=Elektronik. Schmelzzone (DE-588)4498118-1 gnd rswk-swf Einkristall (DE-588)4013901-3 gnd rswk-swf Kristallzüchtung (DE-588)4140616-3 gnd rswk-swf Silicium (DE-588)4077445-4 gnd rswk-swf Silicium (DE-588)4077445-4 s Einkristall (DE-588)4013901-3 s Schmelzzone (DE-588)4498118-1 s Kristallzüchtung (DE-588)4140616-3 s DE-604 Deutschland <Bundesrepublik>. Bundesmin. für Forschung u. Technologie: Forschungsber. Technolog. Forschung u. Entwicklung. 1976,33=Elektronik. (DE-604)BV000004400 1976,33 |
| spellingShingle | Keller, Wolfgang Gezielte Herstellung von radialen Profilen des spezifischen Widerstands phosphordotierter, versetzungsfreier Siliciumeinkristalle Silicium für überkopfzündfeste Thyristoren Deutschland <Bundesrepublik>. Bundesmin. für Forschung u. Technologie: Forschungsber. Technolog. Forschung u. Entwicklung. Schmelzzone (DE-588)4498118-1 gnd Einkristall (DE-588)4013901-3 gnd Kristallzüchtung (DE-588)4140616-3 gnd Silicium (DE-588)4077445-4 gnd |
| subject_GND | (DE-588)4498118-1 (DE-588)4013901-3 (DE-588)4140616-3 (DE-588)4077445-4 |
| title | Gezielte Herstellung von radialen Profilen des spezifischen Widerstands phosphordotierter, versetzungsfreier Siliciumeinkristalle Silicium für überkopfzündfeste Thyristoren |
| title_auth | Gezielte Herstellung von radialen Profilen des spezifischen Widerstands phosphordotierter, versetzungsfreier Siliciumeinkristalle Silicium für überkopfzündfeste Thyristoren |
| title_exact_search | Gezielte Herstellung von radialen Profilen des spezifischen Widerstands phosphordotierter, versetzungsfreier Siliciumeinkristalle Silicium für überkopfzündfeste Thyristoren |
| title_full | Gezielte Herstellung von radialen Profilen des spezifischen Widerstands phosphordotierter, versetzungsfreier Siliciumeinkristalle Silicium für überkopfzündfeste Thyristoren |
| title_fullStr | Gezielte Herstellung von radialen Profilen des spezifischen Widerstands phosphordotierter, versetzungsfreier Siliciumeinkristalle Silicium für überkopfzündfeste Thyristoren |
| title_full_unstemmed | Gezielte Herstellung von radialen Profilen des spezifischen Widerstands phosphordotierter, versetzungsfreier Siliciumeinkristalle Silicium für überkopfzündfeste Thyristoren |
| title_short | Gezielte Herstellung von radialen Profilen des spezifischen Widerstands phosphordotierter, versetzungsfreier Siliciumeinkristalle |
| title_sort | gezielte herstellung von radialen profilen des spezifischen widerstands phosphordotierter versetzungsfreier siliciumeinkristalle silicium fur uberkopfzundfeste thyristoren |
| title_sub | Silicium für überkopfzündfeste Thyristoren |
| topic | Schmelzzone (DE-588)4498118-1 gnd Einkristall (DE-588)4013901-3 gnd Kristallzüchtung (DE-588)4140616-3 gnd Silicium (DE-588)4077445-4 gnd |
| topic_facet | Schmelzzone Einkristall Kristallzüchtung Silicium |
| volume_link | (DE-604)BV000004400 |
| work_keys_str_mv | AT kellerwolfgang gezielteherstellungvonradialenprofilendesspezifischenwiderstandsphosphordotierterversetzungsfreiersiliciumeinkristallesiliciumfuruberkopfzundfestethyristoren |