Untersuchungen zur Herstellung von Si-CoSi2-Si-Heterotransistoren für hohe Frequenzen:
Gespeichert in:
1. Verfasser: | |
---|---|
Format: | Buch |
Sprache: | German |
Veröffentlicht: |
Düsseldorf
VDI-Verl.
1993
|
Ausgabe: | Als Ms gedr. |
Schriftenreihe: | Verein Deutscher Ingenieure: [Fortschritt-Berichte VDI / 9]
154 |
Schlagworte: | |
Beschreibung: | Zugl.: Hannover, Univ., Diss. |
Beschreibung: | XI, 115 S. Ill., graph. Darst. |
ISBN: | 3181454095 |
Internformat
MARC
LEADER | 00000nam a2200000 cb4500 | ||
---|---|---|---|
001 | BV007356281 | ||
003 | DE-604 | ||
005 | 19930513 | ||
007 | t | ||
008 | 930513s1993 ad|| mm|| 00||| gerod | ||
020 | |a 3181454095 |9 3-18-145409-5 | ||
035 | |a (OCoLC)246890942 | ||
035 | |a (DE-599)BVBBV007356281 | ||
040 | |a DE-604 |b ger |e rakddb | ||
041 | 0 | |a ger | |
049 | |a DE-91 |a DE-210 |a DE-83 |a DE-11 | ||
084 | |a ZN 4800 |0 (DE-625)157408: |2 rvk | ||
084 | |a ELT 329d |2 stub | ||
084 | |a ELT 280d |2 stub | ||
100 | 1 | |a Uffmann, Dirk |e Verfasser |4 aut | |
245 | 1 | 0 | |a Untersuchungen zur Herstellung von Si-CoSi2-Si-Heterotransistoren für hohe Frequenzen |c Dirk Uffmann |
250 | |a Als Ms gedr. | ||
264 | 1 | |a Düsseldorf |b VDI-Verl. |c 1993 | |
300 | |a XI, 115 S. |b Ill., graph. Darst. | ||
336 | |b txt |2 rdacontent | ||
337 | |b n |2 rdamedia | ||
338 | |b nc |2 rdacarrier | ||
490 | 1 | |a Verein Deutscher Ingenieure: [Fortschritt-Berichte VDI / 9] |v 154 | |
500 | |a Zugl.: Hannover, Univ., Diss. | ||
650 | 0 | 7 | |a Silicium |0 (DE-588)4077445-4 |2 gnd |9 rswk-swf |
650 | 0 | 7 | |a Mischkristall |0 (DE-588)4170112-4 |2 gnd |9 rswk-swf |
650 | 0 | 7 | |a Heterostruktur |0 (DE-588)4123378-5 |2 gnd |9 rswk-swf |
650 | 0 | 7 | |a Hochfrequenztransistor |0 (DE-588)4123385-2 |2 gnd |9 rswk-swf |
650 | 0 | 7 | |a Cobalt |0 (DE-588)4070047-1 |2 gnd |9 rswk-swf |
655 | 7 | |0 (DE-588)4113937-9 |a Hochschulschrift |2 gnd-content | |
689 | 0 | 0 | |a Silicium |0 (DE-588)4077445-4 |D s |
689 | 0 | 1 | |a Cobalt |0 (DE-588)4070047-1 |D s |
689 | 0 | 2 | |a Mischkristall |0 (DE-588)4170112-4 |D s |
689 | 0 | 3 | |a Heterostruktur |0 (DE-588)4123378-5 |D s |
689 | 0 | 4 | |a Hochfrequenztransistor |0 (DE-588)4123385-2 |D s |
689 | 0 | |5 DE-604 | |
810 | 2 | |a 9] |t Verein Deutscher Ingenieure: [Fortschritt-Berichte VDI |v 154 |w (DE-604)BV047505631 |9 154 | |
999 | |a oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-004745232 |
Datensatz im Suchindex
_version_ | 1804121602419326976 |
---|---|
any_adam_object | |
author | Uffmann, Dirk |
author_facet | Uffmann, Dirk |
author_role | aut |
author_sort | Uffmann, Dirk |
author_variant | d u du |
building | Verbundindex |
bvnumber | BV007356281 |
classification_rvk | ZN 4800 |
classification_tum | ELT 329d ELT 280d |
ctrlnum | (OCoLC)246890942 (DE-599)BVBBV007356281 |
discipline | Elektrotechnik Elektrotechnik / Elektronik / Nachrichtentechnik |
edition | Als Ms gedr. |
format | Book |
fullrecord | <?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?><collection xmlns="http://www.loc.gov/MARC21/slim"><record><leader>01813nam a2200481 cb4500</leader><controlfield tag="001">BV007356281</controlfield><controlfield tag="003">DE-604</controlfield><controlfield tag="005">19930513 </controlfield><controlfield tag="007">t</controlfield><controlfield tag="008">930513s1993 ad|| mm|| 00||| gerod</controlfield><datafield tag="020" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">3181454095</subfield><subfield code="9">3-18-145409-5</subfield></datafield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(OCoLC)246890942</subfield></datafield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(DE-599)BVBBV007356281</subfield></datafield><datafield tag="040" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-604</subfield><subfield code="b">ger</subfield><subfield code="e">rakddb</subfield></datafield><datafield tag="041" ind1="0" ind2=" "><subfield code="a">ger</subfield></datafield><datafield tag="049" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-91</subfield><subfield code="a">DE-210</subfield><subfield code="a">DE-83</subfield><subfield code="a">DE-11</subfield></datafield><datafield tag="084" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">ZN 4800</subfield><subfield code="0">(DE-625)157408:</subfield><subfield code="2">rvk</subfield></datafield><datafield tag="084" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">ELT 329d</subfield><subfield code="2">stub</subfield></datafield><datafield tag="084" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">ELT 280d</subfield><subfield code="2">stub</subfield></datafield><datafield tag="100" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">Uffmann, Dirk</subfield><subfield code="e">Verfasser</subfield><subfield code="4">aut</subfield></datafield><datafield tag="245" ind1="1" ind2="0"><subfield code="a">Untersuchungen zur Herstellung von Si-CoSi2-Si-Heterotransistoren für hohe Frequenzen</subfield><subfield code="c">Dirk Uffmann</subfield></datafield><datafield tag="250" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">Als Ms gedr.</subfield></datafield><datafield tag="264" ind1=" " ind2="1"><subfield code="a">Düsseldorf</subfield><subfield code="b">VDI-Verl.</subfield><subfield code="c">1993</subfield></datafield><datafield tag="300" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">XI, 115 S.</subfield><subfield code="b">Ill., graph. Darst.</subfield></datafield><datafield tag="336" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">txt</subfield><subfield code="2">rdacontent</subfield></datafield><datafield tag="337" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">n</subfield><subfield code="2">rdamedia</subfield></datafield><datafield tag="338" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">nc</subfield><subfield code="2">rdacarrier</subfield></datafield><datafield tag="490" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">Verein Deutscher Ingenieure: [Fortschritt-Berichte VDI / 9]</subfield><subfield code="v">154</subfield></datafield><datafield tag="500" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">Zugl.: Hannover, Univ., Diss.</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Silicium</subfield><subfield code="0">(DE-588)4077445-4</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Mischkristall</subfield><subfield code="0">(DE-588)4170112-4</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Heterostruktur</subfield><subfield code="0">(DE-588)4123378-5</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Hochfrequenztransistor</subfield><subfield code="0">(DE-588)4123385-2</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Cobalt</subfield><subfield code="0">(DE-588)4070047-1</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="655" ind1=" " ind2="7"><subfield code="0">(DE-588)4113937-9</subfield><subfield code="a">Hochschulschrift</subfield><subfield code="2">gnd-content</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="0"><subfield code="a">Silicium</subfield><subfield code="0">(DE-588)4077445-4</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="1"><subfield code="a">Cobalt</subfield><subfield code="0">(DE-588)4070047-1</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="2"><subfield code="a">Mischkristall</subfield><subfield code="0">(DE-588)4170112-4</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="3"><subfield code="a">Heterostruktur</subfield><subfield code="0">(DE-588)4123378-5</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="4"><subfield code="a">Hochfrequenztransistor</subfield><subfield code="0">(DE-588)4123385-2</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2=" "><subfield code="5">DE-604</subfield></datafield><datafield tag="810" ind1="2" ind2=" "><subfield code="a">9]</subfield><subfield code="t">Verein Deutscher Ingenieure: [Fortschritt-Berichte VDI</subfield><subfield code="v">154</subfield><subfield code="w">(DE-604)BV047505631</subfield><subfield code="9">154</subfield></datafield><datafield tag="999" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-004745232</subfield></datafield></record></collection> |
genre | (DE-588)4113937-9 Hochschulschrift gnd-content |
genre_facet | Hochschulschrift |
id | DE-604.BV007356281 |
illustrated | Illustrated |
indexdate | 2024-07-09T17:00:35Z |
institution | BVB |
isbn | 3181454095 |
language | German |
oai_aleph_id | oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-004745232 |
oclc_num | 246890942 |
open_access_boolean | |
owner | DE-91 DE-BY-TUM DE-210 DE-83 DE-11 |
owner_facet | DE-91 DE-BY-TUM DE-210 DE-83 DE-11 |
physical | XI, 115 S. Ill., graph. Darst. |
publishDate | 1993 |
publishDateSearch | 1993 |
publishDateSort | 1993 |
publisher | VDI-Verl. |
record_format | marc |
series2 | Verein Deutscher Ingenieure: [Fortschritt-Berichte VDI / 9] |
spelling | Uffmann, Dirk Verfasser aut Untersuchungen zur Herstellung von Si-CoSi2-Si-Heterotransistoren für hohe Frequenzen Dirk Uffmann Als Ms gedr. Düsseldorf VDI-Verl. 1993 XI, 115 S. Ill., graph. Darst. txt rdacontent n rdamedia nc rdacarrier Verein Deutscher Ingenieure: [Fortschritt-Berichte VDI / 9] 154 Zugl.: Hannover, Univ., Diss. Silicium (DE-588)4077445-4 gnd rswk-swf Mischkristall (DE-588)4170112-4 gnd rswk-swf Heterostruktur (DE-588)4123378-5 gnd rswk-swf Hochfrequenztransistor (DE-588)4123385-2 gnd rswk-swf Cobalt (DE-588)4070047-1 gnd rswk-swf (DE-588)4113937-9 Hochschulschrift gnd-content Silicium (DE-588)4077445-4 s Cobalt (DE-588)4070047-1 s Mischkristall (DE-588)4170112-4 s Heterostruktur (DE-588)4123378-5 s Hochfrequenztransistor (DE-588)4123385-2 s DE-604 9] Verein Deutscher Ingenieure: [Fortschritt-Berichte VDI 154 (DE-604)BV047505631 154 |
spellingShingle | Uffmann, Dirk Untersuchungen zur Herstellung von Si-CoSi2-Si-Heterotransistoren für hohe Frequenzen Silicium (DE-588)4077445-4 gnd Mischkristall (DE-588)4170112-4 gnd Heterostruktur (DE-588)4123378-5 gnd Hochfrequenztransistor (DE-588)4123385-2 gnd Cobalt (DE-588)4070047-1 gnd |
subject_GND | (DE-588)4077445-4 (DE-588)4170112-4 (DE-588)4123378-5 (DE-588)4123385-2 (DE-588)4070047-1 (DE-588)4113937-9 |
title | Untersuchungen zur Herstellung von Si-CoSi2-Si-Heterotransistoren für hohe Frequenzen |
title_auth | Untersuchungen zur Herstellung von Si-CoSi2-Si-Heterotransistoren für hohe Frequenzen |
title_exact_search | Untersuchungen zur Herstellung von Si-CoSi2-Si-Heterotransistoren für hohe Frequenzen |
title_full | Untersuchungen zur Herstellung von Si-CoSi2-Si-Heterotransistoren für hohe Frequenzen Dirk Uffmann |
title_fullStr | Untersuchungen zur Herstellung von Si-CoSi2-Si-Heterotransistoren für hohe Frequenzen Dirk Uffmann |
title_full_unstemmed | Untersuchungen zur Herstellung von Si-CoSi2-Si-Heterotransistoren für hohe Frequenzen Dirk Uffmann |
title_short | Untersuchungen zur Herstellung von Si-CoSi2-Si-Heterotransistoren für hohe Frequenzen |
title_sort | untersuchungen zur herstellung von si cosi2 si heterotransistoren fur hohe frequenzen |
topic | Silicium (DE-588)4077445-4 gnd Mischkristall (DE-588)4170112-4 gnd Heterostruktur (DE-588)4123378-5 gnd Hochfrequenztransistor (DE-588)4123385-2 gnd Cobalt (DE-588)4070047-1 gnd |
topic_facet | Silicium Mischkristall Heterostruktur Hochfrequenztransistor Cobalt Hochschulschrift |
volume_link | (DE-604)BV047505631 |
work_keys_str_mv | AT uffmanndirk untersuchungenzurherstellungvonsicosi2siheterotransistorenfurhohefrequenzen |