Über den Charge Pumping-Effekt bei MOS-Transistoren: I. Untersuchung d. Zusammenhangs zwischen Grenzschichtzuständen u. Charge Pumping-Effekt bei MOS-Transistoren. II. Erweiterte Unters. d. differentiellen Charge Pumping-Effekts bei MDS-Transistoren
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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: Golder, Johannes 1942- (VerfasserIn)
Format: Abschlussarbeit Buch
Sprache:German
Veröffentlicht: 1972
Schlagworte:
Beschreibung:Basel, Diss.. - Aus HPA.44.1971
Aus: HPA ; Vol. 44
Beschreibung:S.387-886

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