Ein Beitrag zum statischen und dynamischen Verhalten von MOS-Feldeffekttransistoren:
Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: Baum, Georg (VerfasserIn)
Format: Buch
Sprache:German
Veröffentlicht: 1969
Schlagworte:
Beschreibung:Aachen, TH, Fak.f.Elektrotechnik, Diss., 1969
Beschreibung:VII, 111 S.

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