Point and extended defects in semiconductors:
Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Format: Tagungsbericht Buch
Sprache:Undetermined
Veröffentlicht: New York u. a. Plenum Pr. 1989
Schriftenreihe:NATO: NATO advanced science institutes series / B 202.
Schlagworte:
Beschreibung:X, 287 S. Ill., graph. Darst.

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