Untersuchung des Einflusses von Dotierungen auf das Kristallpotential von Silizium durch Beugung im konvergenten Elektronenbündel:
Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: Voss, Rainer (VerfasserIn)
Format: Mikrofilm Buch
Sprache:Undetermined
Veröffentlicht: 1979
Schlagworte:
Beschreibung:Berlin (West), Techn.Univ., Diss.
Beschreibung:92, 23 ungez.S.auf 2 Microfiches: Ill., graph.Darst.

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