Untersuchung und Herstellung ternärer Hetero-GaP/GaAlP-Epitaxieschichten für Lumineszenzdioden mit Hilfe der Flüssigphasenepitaxie:
Gespeichert in:
1. Verfasser: | |
---|---|
Format: | Buch |
Sprache: | German |
Veröffentlicht: |
1991
|
Schlagworte: | |
Beschreibung: | Aachen, Techn. Hochsch., Diss., 1991 |
Beschreibung: | 112 S. Ill., graph. Darst. |
Internformat
MARC
LEADER | 00000nam a2200000 c 4500 | ||
---|---|---|---|
001 | BV005885251 | ||
003 | DE-604 | ||
005 | 19930331 | ||
007 | t | ||
008 | 921123s1991 gw ad|| m||| 00||| ger d | ||
035 | |a (OCoLC)630270977 | ||
035 | |a (DE-599)BVBBV005885251 | ||
040 | |a DE-604 |b ger |e rakddb | ||
041 | 0 | |a ger | |
044 | |a gw |c DE | ||
049 | |a DE-91 |a DE-29T |a DE-83 |a DE-11 | ||
084 | |a ELT 332d |2 stub | ||
084 | |a ELT 280d |2 stub | ||
100 | 1 | |a Schummers, Reinhard |e Verfasser |4 aut | |
245 | 1 | 0 | |a Untersuchung und Herstellung ternärer Hetero-GaP/GaAlP-Epitaxieschichten für Lumineszenzdioden mit Hilfe der Flüssigphasenepitaxie |c vorgelegt von Reinhard Schummers |
264 | 1 | |c 1991 | |
300 | |a 112 S. |b Ill., graph. Darst. | ||
336 | |b txt |2 rdacontent | ||
337 | |b n |2 rdamedia | ||
338 | |b nc |2 rdacarrier | ||
500 | |a Aachen, Techn. Hochsch., Diss., 1991 | ||
650 | 0 | 7 | |a Lumineszenzdiode |0 (DE-588)4125154-4 |2 gnd |9 rswk-swf |
650 | 0 | 7 | |a Heterostruktur-Bauelement |0 (DE-588)4236378-0 |2 gnd |9 rswk-swf |
650 | 0 | 7 | |a Flüssigphasenepitaxie |0 (DE-588)4154732-9 |2 gnd |9 rswk-swf |
655 | 7 | |0 (DE-588)4113937-9 |a Hochschulschrift |2 gnd-content | |
689 | 0 | 0 | |a Lumineszenzdiode |0 (DE-588)4125154-4 |D s |
689 | 0 | 1 | |a Heterostruktur-Bauelement |0 (DE-588)4236378-0 |D s |
689 | 0 | 2 | |a Flüssigphasenepitaxie |0 (DE-588)4154732-9 |D s |
689 | 0 | |5 DE-604 | |
999 | |a oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-003685309 |
Datensatz im Suchindex
_version_ | 1804120075521753088 |
---|---|
any_adam_object | |
author | Schummers, Reinhard |
author_facet | Schummers, Reinhard |
author_role | aut |
author_sort | Schummers, Reinhard |
author_variant | r s rs |
building | Verbundindex |
bvnumber | BV005885251 |
classification_tum | ELT 332d ELT 280d |
ctrlnum | (OCoLC)630270977 (DE-599)BVBBV005885251 |
discipline | Elektrotechnik |
format | Book |
fullrecord | <?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?><collection xmlns="http://www.loc.gov/MARC21/slim"><record><leader>01404nam a2200385 c 4500</leader><controlfield tag="001">BV005885251</controlfield><controlfield tag="003">DE-604</controlfield><controlfield tag="005">19930331 </controlfield><controlfield tag="007">t</controlfield><controlfield tag="008">921123s1991 gw ad|| m||| 00||| ger d</controlfield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(OCoLC)630270977</subfield></datafield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(DE-599)BVBBV005885251</subfield></datafield><datafield tag="040" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-604</subfield><subfield code="b">ger</subfield><subfield code="e">rakddb</subfield></datafield><datafield tag="041" ind1="0" ind2=" "><subfield code="a">ger</subfield></datafield><datafield tag="044" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">gw</subfield><subfield code="c">DE</subfield></datafield><datafield tag="049" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-91</subfield><subfield code="a">DE-29T</subfield><subfield code="a">DE-83</subfield><subfield code="a">DE-11</subfield></datafield><datafield tag="084" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">ELT 332d</subfield><subfield code="2">stub</subfield></datafield><datafield tag="084" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">ELT 280d</subfield><subfield code="2">stub</subfield></datafield><datafield tag="100" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">Schummers, Reinhard</subfield><subfield code="e">Verfasser</subfield><subfield code="4">aut</subfield></datafield><datafield tag="245" ind1="1" ind2="0"><subfield code="a">Untersuchung und Herstellung ternärer Hetero-GaP/GaAlP-Epitaxieschichten für Lumineszenzdioden mit Hilfe der Flüssigphasenepitaxie</subfield><subfield code="c">vorgelegt von Reinhard Schummers</subfield></datafield><datafield tag="264" ind1=" " ind2="1"><subfield code="c">1991</subfield></datafield><datafield tag="300" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">112 S.</subfield><subfield code="b">Ill., graph. Darst.</subfield></datafield><datafield tag="336" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">txt</subfield><subfield code="2">rdacontent</subfield></datafield><datafield tag="337" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">n</subfield><subfield code="2">rdamedia</subfield></datafield><datafield tag="338" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">nc</subfield><subfield code="2">rdacarrier</subfield></datafield><datafield tag="500" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">Aachen, Techn. Hochsch., Diss., 1991</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Lumineszenzdiode</subfield><subfield code="0">(DE-588)4125154-4</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Heterostruktur-Bauelement</subfield><subfield code="0">(DE-588)4236378-0</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Flüssigphasenepitaxie</subfield><subfield code="0">(DE-588)4154732-9</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="655" ind1=" " ind2="7"><subfield code="0">(DE-588)4113937-9</subfield><subfield code="a">Hochschulschrift</subfield><subfield code="2">gnd-content</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="0"><subfield code="a">Lumineszenzdiode</subfield><subfield code="0">(DE-588)4125154-4</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="1"><subfield code="a">Heterostruktur-Bauelement</subfield><subfield code="0">(DE-588)4236378-0</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="2"><subfield code="a">Flüssigphasenepitaxie</subfield><subfield code="0">(DE-588)4154732-9</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2=" "><subfield code="5">DE-604</subfield></datafield><datafield tag="999" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-003685309</subfield></datafield></record></collection> |
genre | (DE-588)4113937-9 Hochschulschrift gnd-content |
genre_facet | Hochschulschrift |
id | DE-604.BV005885251 |
illustrated | Illustrated |
indexdate | 2024-07-09T16:36:19Z |
institution | BVB |
language | German |
oai_aleph_id | oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-003685309 |
oclc_num | 630270977 |
open_access_boolean | |
owner | DE-91 DE-BY-TUM DE-29T DE-83 DE-11 |
owner_facet | DE-91 DE-BY-TUM DE-29T DE-83 DE-11 |
physical | 112 S. Ill., graph. Darst. |
publishDate | 1991 |
publishDateSearch | 1991 |
publishDateSort | 1991 |
record_format | marc |
spelling | Schummers, Reinhard Verfasser aut Untersuchung und Herstellung ternärer Hetero-GaP/GaAlP-Epitaxieschichten für Lumineszenzdioden mit Hilfe der Flüssigphasenepitaxie vorgelegt von Reinhard Schummers 1991 112 S. Ill., graph. Darst. txt rdacontent n rdamedia nc rdacarrier Aachen, Techn. Hochsch., Diss., 1991 Lumineszenzdiode (DE-588)4125154-4 gnd rswk-swf Heterostruktur-Bauelement (DE-588)4236378-0 gnd rswk-swf Flüssigphasenepitaxie (DE-588)4154732-9 gnd rswk-swf (DE-588)4113937-9 Hochschulschrift gnd-content Lumineszenzdiode (DE-588)4125154-4 s Heterostruktur-Bauelement (DE-588)4236378-0 s Flüssigphasenepitaxie (DE-588)4154732-9 s DE-604 |
spellingShingle | Schummers, Reinhard Untersuchung und Herstellung ternärer Hetero-GaP/GaAlP-Epitaxieschichten für Lumineszenzdioden mit Hilfe der Flüssigphasenepitaxie Lumineszenzdiode (DE-588)4125154-4 gnd Heterostruktur-Bauelement (DE-588)4236378-0 gnd Flüssigphasenepitaxie (DE-588)4154732-9 gnd |
subject_GND | (DE-588)4125154-4 (DE-588)4236378-0 (DE-588)4154732-9 (DE-588)4113937-9 |
title | Untersuchung und Herstellung ternärer Hetero-GaP/GaAlP-Epitaxieschichten für Lumineszenzdioden mit Hilfe der Flüssigphasenepitaxie |
title_auth | Untersuchung und Herstellung ternärer Hetero-GaP/GaAlP-Epitaxieschichten für Lumineszenzdioden mit Hilfe der Flüssigphasenepitaxie |
title_exact_search | Untersuchung und Herstellung ternärer Hetero-GaP/GaAlP-Epitaxieschichten für Lumineszenzdioden mit Hilfe der Flüssigphasenepitaxie |
title_full | Untersuchung und Herstellung ternärer Hetero-GaP/GaAlP-Epitaxieschichten für Lumineszenzdioden mit Hilfe der Flüssigphasenepitaxie vorgelegt von Reinhard Schummers |
title_fullStr | Untersuchung und Herstellung ternärer Hetero-GaP/GaAlP-Epitaxieschichten für Lumineszenzdioden mit Hilfe der Flüssigphasenepitaxie vorgelegt von Reinhard Schummers |
title_full_unstemmed | Untersuchung und Herstellung ternärer Hetero-GaP/GaAlP-Epitaxieschichten für Lumineszenzdioden mit Hilfe der Flüssigphasenepitaxie vorgelegt von Reinhard Schummers |
title_short | Untersuchung und Herstellung ternärer Hetero-GaP/GaAlP-Epitaxieschichten für Lumineszenzdioden mit Hilfe der Flüssigphasenepitaxie |
title_sort | untersuchung und herstellung ternarer hetero gap gaalp epitaxieschichten fur lumineszenzdioden mit hilfe der flussigphasenepitaxie |
topic | Lumineszenzdiode (DE-588)4125154-4 gnd Heterostruktur-Bauelement (DE-588)4236378-0 gnd Flüssigphasenepitaxie (DE-588)4154732-9 gnd |
topic_facet | Lumineszenzdiode Heterostruktur-Bauelement Flüssigphasenepitaxie Hochschulschrift |
work_keys_str_mv | AT schummersreinhard untersuchungundherstellungternarerheterogapgaalpepitaxieschichtenfurlumineszenzdiodenmithilfederflussigphasenepitaxie |