Physik der Halbleiteroberfläche: 21. Arbeitstagung, Binz, 2. - 7. 4. 1990
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Inhaltsverzeichnis Seite
1
L.
DSweritz,
R.
Hey,
J.
Herzog
Beitrüge dynamischer HHEED-Ubtersuehungen zum Verständnis der
Entwicklung von Oberflächen und Grenzflächen während des MBE-
Waehstums von GaAs und AI
вв^
As 1
2 D. Hennig, S. tfilke
Tiefe Störetellen in der N№e von Heterogrenzfl&ohen an Bei¬
spiel von Silizium in GaAs/AlAs 9
3 T. Dittrieh
Ftotoreflexionaneaaunean an Quantum-Well-Strukturen 13
4 D. Schulze, Q. Sobeoh,
β.
Paasch, U. Preppemau
Thermokraft
zweidieensionaler Elektroneneysterae im starken
Magnetfeld 17
5
Le T. T. îuyen, H.
Окакакі,
P.
Arai,
T.
Sugano
Studii»
der
OberflSohe
yon
InP
und der
Grensfluche
InP
/РЯ
23
6
H. Flietner
Dengling Bond
Defekt· ala Rekoretruktioneserrtren
und ihre Be¬
ziehung zum kotnplexen Bandstrukturmodell 27
7 P. Hotsch, R. Sohleeinger, F. Janieti
Elektronenraikroakopiaohe Charakterieierung der elektrooheeiieohen
Metal
labeoheidung auf N-GeAs
(Inmersión
Plating)
31
о Б· йетег^
0*
Неулвпп
Der Einfluß hochsohaelsendsr Metallisierungen auf das elektrisch«
Verhalten von N-GaAs-echottkykontaicten 35
9 B. Schubert
Charakterisierung von KtS-Strukturen
Аи-АЫЦ-Яь,
JMLTe
(зрЮ.ЗС©
und 0.225) duroh C(U>- und GCUi-üeseungen
¿ 3
^~* * 39
10 0. Janiak, T. Troll
Korrelation von optischen und elektrischen Messungen an Queck^
■ilberoadaliateUurid (0.2
X
0.3) 43
11 0. KSller
StabilitJtteuiìtereutìiungen
an QKKIsolatorsehichten 47
12 J. KrQger, J. Flrmter
AES/ARXPS-üntersuriiuneen an thermieoh oxydierte« SUioiusnitrid 51
13 J. Heeg, J. Finster
XFS/XAES^kitersuchungen zur Struktur von Silioiumoxynitriden 57
14
β.
Weidner, M. tettbee, N. Heidner, G. Buchheim
Schnelle theraUohe Oxydation von (100>Si und von LP-Si^ auf
Si
63
15 0. Heidner, J. Xatser,
β.
Morgenstern,
β.
Heidner
Schichtaufbau
nech
schneller thermischer Oxydation
(НТО)
an
ŁF*
SiliaiiBsnitrideohlohten auf Siliziun 67
16
Н.-ЧЈ.
Pitting,
V.
Magdanz, T. Hinget
ЬаШщаЬевііятащ
1» Bin*· und Mehrsshichtdielektrika 71
VI
sette
1?
P. Hagdanz
Untersuchungen
χα
Ladungen in NO- und ONO-Schichten Mittels
CV-Kelvin-Koebination 77
18
Chen
Se
In, K.-E. Ehwald, B. K. GlUck
Verbesserungen am F-QCtMerfahren zur erweiterten Chargen-
eherakteristerung elektrisch-physikalischer Parameter
dee
Halbleiter« und
Isolatore
79
19
S.
Suchheia
В. К.
Glück,
M.
Staude
Neue berffianrngslose Heftnethoden
виг
Charakterisierung von
Oberflächen- und Volumeneigeneohaf
ten
dee MIS-Syeteme
87
20
П.
Berger, G. Buohheim,
В, К.
Cluck
EinsatE voti Queokeilbereooden in
der Halbleitermeßtechnik 91
21
Z.
Gergintecnew,
D.
Sohipanski, R. Herzer
Grunälag« der Modellierung von vertikalen MIS-Leiatungs-
transiatoren 95
22 K. Hübner, D. Sohipanski, R. Herrer
Hodellierunx der Randgestaltung einen 10OO V-Bipolartransistora 99
23 F. Janusohmnki
Simulation der Langaeitstabilitlit eines N-Kanal
ИОЅРЕТ
in
umersohiedlichen
Betriabesustande«
103
24 W. Ptiaeel
Der EinfluB von Kaeeerstofr in SIPOS-Passivierungeechiehten,
Rrjçehnieee
der Meßtechniechen CharakteriBierung 107
25 S. Bau, P. Sutter
Der Einfluß von teeeerstoff in SlPOS-Paaeivierungaeehiohten
- TechnologiBoh* Aspekte 111
26
V.
Henrion
Optische Charakterisierun« von SIPOS-Sohiohten 115
27
Й.
Beiehe, S. Hopfs
TER
in-eltu Untersuchungen zur Kristallisation von
a-Si-Sehlohten 123
28 J, «eideowm,
X.
Wencel
Die induktive Methode zur Bestimmung der Leitfähigkeit und der
Rekcebinetioralebensdauer von Si-Vafem 127
29 Ch.
Quick,
3. Quick
urfrarotspektrometrieohe Dickenbeetimnung rekrietalliaierter
Fölr-Si-eehichten auf SiOg-Si-lbterlage 131
30
И.
«olf,
W.
tout, M. Harkgraf, H. Herniau, H. Burghardt
Veroieidung
von Auswerte fehlem bei der Termepektrenanalyse
mit der Quasietatiechen-CV-tfethode in Bandkantennühe 135
31 H. Sieber
Untersuchung von Ladungsträgerprofilen in
Silicium
mittels
elektrochemischer CT-Hethode (KCV) 141
VII
Seite
32
К.
Hellig
Ungewöhnliche
Photospannungsimpulse
zur Bestimmung von D 147
33
Α.
Lehmann
Eiehmeßfreie
Verunreinigungskonsentrationabeetimaing
aus
IR-Spektren 151
34
Η. Α. ΚΙοββ
Charakterisierung von Halbleitermikrostrukturen mittels
Kapaiitätsspektroekopie 157
35 H. A. Klone, J. Bollmann
Deep Levels
in Silicon
Introduced by
Low-öiergetic Ions 167
36
J.-Hi. Zettler
Spektroskopische Ellipsoraetrie
»α»
UV bis las
IR
- Neue Kon¬
zepte für ein klassisches Verfahren
arar
Uhtereuchung von Halb-
leitergrenaflachen, -Deckschichten
xeni
-Hlikroetrukturen 173
37 W. Hauffe, H. Klett
Charakterisierung des Schichtaufbaus von Chipflächenkontakten
mit dem Ionenetrahl-BBechungsschnitt—Verfahren und der
Rasterelektronenmikroskopie 181
3Θ
B. Adolph!
LBtfShige Chips 185
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