Untersuchungen tiefer Haftstellen an Grenzflächen von Feldeffekttransistoren:
Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: Lee, Gyoo-Yeong (VerfasserIn)
Format: Buch
Sprache:German
Veröffentlicht: 1992
Schlagworte:
Beschreibung:Hannover, Univ., Diss.
Beschreibung:127 S. graph. Darst.

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