Physics of p-n junctions and semiconductor devices:
Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Format: Buch
Sprache:English
Russian
Veröffentlicht: New York u.a. Consultants Bureau 1971
Schlagworte:
Beschreibung:Literaturangabennz
Beschreibung:IX, 366 S. Ill., graph. Darst.

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