APA (7th ed.) Citation

Schweeger, G. (1992). Technologie und Charakterisierung des Bipolar-Mode-Feldeffekttransistors auf Galliumarsenid (Als Ms. gedr.). Shaker.

Chicago Style (17th ed.) Citation

Schweeger, Giorgio. Technologie Und Charakterisierung Des Bipolar-Mode-Feldeffekttransistors Auf Galliumarsenid. Als Ms. gedr. Aachen: Shaker, 1992.

MLA (9th ed.) Citation

Schweeger, Giorgio. Technologie Und Charakterisierung Des Bipolar-Mode-Feldeffekttransistors Auf Galliumarsenid. Als Ms. gedr. Shaker, 1992.