Technologie und Charakterisierung des Bipolar-Mode-Feldeffekttransistors auf Galliumarsenid:
Gespeichert in:
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| Format: | Abschlussarbeit Buch |
| Sprache: | German |
| Veröffentlicht: |
Aachen
Shaker
1992
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| Ausgabe: | Als Ms. gedr. |
| Schriftenreihe: | Reihe Elektrotechnik
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| Beschreibung: | II, 160 S. Ill., graph. Darst. |
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