Schweeger, G. (1992). Technologie und Charakterisierung des Bipolar-Mode-Feldeffekttransistors auf Galliumarsenid (Als Ms. gedr.). Shaker.
Chicago-Zitierstil (17. Ausg.)Schweeger, Giorgio. Technologie Und Charakterisierung Des Bipolar-Mode-Feldeffekttransistors Auf Galliumarsenid. Als Ms. gedr. Aachen: Shaker, 1992.
MLA-Zitierstil (9. Ausg.)Schweeger, Giorgio. Technologie Und Charakterisierung Des Bipolar-Mode-Feldeffekttransistors Auf Galliumarsenid. Als Ms. gedr. Shaker, 1992.
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