Technologie bipolarer integrierter Schaltungen: Einführung in die IC-Kristallfertigung
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| Format: | Buch |
| Sprache: | German |
| Veröffentlicht: |
Heidelberg
Hüthig
1991
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| Schriftenreihe: | Mikroelektronik
10 |
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IN DIE IC-KRISTALLFERTIGUNG HUETHIG BUCH VERLAG HEIDELBERG 2008
AGI-INFORMATION MANAGEMENT CONSULTANTS MAY BE USED FOR PERSONAL
PURPORSES ONLY OR BY LIBRARIES ASSOCIATED TO DANDELON.COM NETWORK.
INHALTSVERZEICHNIS VERWENDETE FORMELZEICHEN 9 1 GRUNDBEGRIFFE
INTEGRIERTER SCHALTUNGEN 11 |,;1.1 EINLEITUNG 11 P- |*4.2
BIPOLAR-TECHNIK 13 IL.3 MOS-TECHNIK 15 I SL.4 ANALOG-SCHALTUNGEN 17 S
$15 DIGITAL-SCHALTUNGEN 18 EINE KURZE ENTWICKLUNGSGESCHICHTE DER
ELEKTRONISCHEN BAUELEMENTE . . 21 11 VOM ELEKTRON ZUM FERNSEHEN 21 VOM
DETEKTOR ZUM TRANSISTOR 22 VOM TRANSISTOR ZUM IC 25 VOM KLEIN-IC ZUR
VLSI-SCHALTUNG 28 INHALTSVERZEICHNIS 3 DER KRISTALLFERTIGUNGSPROZESS
BIPOLARER IC 33 3.1 EIN UEBERBLICK UEBER DEN PRODUKTIONSFLUSS ZWISCHEN DEN
FERTIGUNGSSTATIONEN 33 3.2 SAUBERKEITS-ANFORDERUNGEN 39 3.3 DAS
AUSGANGSMATERIAL 44 3.3.1 CHEMISCHE GRUNDLAGEN 45 3.3.2 PHYSIKALISCHE
GRUNDLAGEN 47 3.3.3 GEWINNUNG VON HALBLEITERSILICIUM 59 3.4 DIE I.
OXIDATION 68 3.4.1 PROZESS-GRUNDLAGEN 68 3.4.2 DER OXIDATIONSPROZESS 73
3.4.3 INTERNES GETTERN MIT SI-SAUERSTOFFGEHALT 75 3.4.4
HOCHTEMPERATUR-ZUBEHOER UND OFENREINIGUNG 76 3.5 FOTOLITHOGRAPHIE 78
3.5.1 PRINZIP DER ARBEITSFOLGE EINES MASKIERUNGSSCHRITTES 78 3.5.2
NEGATIV- ODER POSITIVLACK? 81 3.5.3 DIE ZUSAMMENSETZUNG DES FOTOLACKES
82 3.5.4 PRIMERN 84 3.5.5 BELACKUNG 86 3.5.6 SOFT-BAKE 89 3.5.7
BELICHTUNG 91 3.5.8 BELICHTUNGSVERFAHREN 95 3.5.9 ENTWICKLUNG 106 3.5.10
POST-BAKE 109 3.5.11 BEHERRSCHUNG KRITISCHER DIMENSIONEN 112 3.5.12 SIO
2 -NASSAETZEN 114 3.5.13 LACKENTFERNUNG 118 VERZEICHNIS DER BURIED LAYER
PROZESS 123 LL WARUM EINE BN-ZONE? 123 DIFFUSIONSGRUNDLAGEN 125
IONENIMPLANTATION 132 BN-IMPLANTATION UND DIFFUSION 138 MESSUNG VON
SCHICHTWIDERSTAND UND EINDRINGTIEFE 140 DER EPITAXIE-PROZESS 144 F.L
EPITAXIEREAKTIONEN 145 PROZESSABLAUF 147 MESSUNG DER SCHICHTDATEN 149 DER
ISOLATIONS-PROZESS 154 |1 MOEGLICHE BOR-DOTIERVERFAHREN 155
DP-NIEDERSCHLAG UND DIFFUSION 156 WEITERE ISOLATIONSVERFAHREN 160 DER
BASIS- UND WIDERSTANDS-PROZESS 165 BORNITRIDVERFAHREN MIT H 2 -INJEKTION
166 DOTIERUNG MIT BORIMPLANTATION 168 DER EMITTER-PROZESS 171 .MOEGLICHE
PHOSPHOR-DOTIERVERFAHREN 171 . DER SN-KOMBIPROZESS MIT POC1 3 173 ,
BEWERTUNG DES SN-PROZESSES 175 ZUSAMMENFASSUNG DER DIFFUSIONSPROZESSE
179 , TECHNISCHE BEDINGUNGEN DER DIFFUSIONSOEFEN 180 * DER
METALLISIERUNGSPROZESS 183 DER CO-FOTO/AETZPROZESS 183 L GRUNDLAGEN DES
METALL-HALBLEITERKONTAKTES 185 IE METALLISIERUNGSVERFAHREN 189
.PROBLEME DER METALLISIERUNG 199 INHALTSVERZEICHNIS 3.12.5 DER
EST-NASSAETZPROZESS 201 3.12.6 ALU-PLASMAAETZEN 203 3.13
OBERFLAECHENPASSIVIERUNG 211 3.13.1 PYROX-PASSIVIERUNG 213 3.13.2
PLASMANITRID-PASSIVIERUNG 215 3.13.3 WEITERE LPCVD- UND
PELPCVD-VERFAHREN 221 3.13.4 DER CBN-FOTO/AETZPROZESS 223 3.14 DER
ZWEILAGENPROZESS 225 3.14.1 DER INI-SCHRITT 226 3.14.2 ZWISCHENISOLATION
UND CO2-FOTO/AETZPROZESS 227 3.14.3 DER IN2-SCHRITT 227 3.15 DIE
PCM-ENDMESSUNG 229 4 DIE WICHTIGSTEN IC-KOMPONENTEN 231 4.1
NPN-TRANSISTOREN 232 4.2 PNP-TRANSISTOREN 233 4.2.1 LATERALER
PNP-TRANSISTOR 233 4.2.2 VERTIKALER PNP-SUBSTRATTRANSISTOR 234 4.2.3
VERTIKALER PNP-TRANSISTOR MIT FREIVERFUEGBAREM KOLLEKTOR 235 4.3 DIODEN
236 4.4 WIDERSTAENDE 238 4.5 KONDENSATOREN 242 4.5.1
SPERRSCHICHT-KONDENSATOREN 242 4.5.2 MOS-KONDENSATOREN 243
INHALTSVERZEICHNIS 5 DIE I 2 L-TECHNIK 246 5.1 I L-AUFBAU UND
WIRKUNGSWEISE 247 5.2 I Z L-PROZESSE 251 6 LITERATURVERZEICHNIS 255 7
SACHWORTVERZEICHNIS 256
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