Feng, Y. (1991). Numerical simulation of two-dimensional electron transport in GaAs MESFETS using fully nonstationary transport models (Als Ms. gedr.). VDI Verl.
Chicago-Zitierstil (17. Ausg.)Feng, Yukun. Numerical Simulation of Two-dimensional Electron Transport in GaAs MESFETS Using Fully Nonstationary Transport Models. Als Ms. gedr. Düsseldorf: VDI Verl, 1991.
MLA-Zitierstil (9. Ausg.)Feng, Yukun. Numerical Simulation of Two-dimensional Electron Transport in GaAs MESFETS Using Fully Nonstationary Transport Models. Als Ms. gedr. VDI Verl, 1991.
Achtung: Diese Zitate sind unter Umständen nicht zu 100% korrekt.