Numerical simulation of two-dimensional electron transport in GaAs MESFETS using fully nonstationary transport models:
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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: Feng, Yukun (VerfasserIn)
Format: Buch
Sprache:English
Veröffentlicht: Düsseldorf VDI Verl. 1991
Ausgabe:Als Ms. gedr.
Schriftenreihe:Verein Deutscher Ingenieure: [Fortschritt-Berichte VDI / 9] 114
Schlagworte:
Beschreibung:Zugl.: Diss.
Beschreibung:IX, 171 S. graph. Darst.
ISBN:3181414093

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