Wirkungsweise und Technologie von gassensitiven Suspended Gate Feldeffekt-Transistoren mit chemisch aktiven Zinnoxidschichten:
Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: Peschke, Matthias (VerfasserIn)
Format: Abschlussarbeit Buch
Sprache:German
Veröffentlicht: 1990
Schlagworte:
Beschreibung:113 S. Ill., graph. Darst.

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