Aufbau einer Molekularstrahlepitaxie-Anlage und Untersuchung des orientierten Schichtwachstums von GaAs- und AlGaAs-Verbindungshalbleiterkristallen:
Gespeichert in:
| 1. Verfasser: | |
|---|---|
| Format: | Abschlussarbeit Buch |
| Sprache: | German |
| Veröffentlicht: |
1990
|
| Schlagworte: | |
| Beschreibung: | 110 S. Ill., graph. Darst. |
Internformat
MARC
| LEADER | 00000nam a2200000 c 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | BV004072035 | ||
| 003 | DE-604 | ||
| 005 | 19930602 | ||
| 007 | t | ||
| 008 | 900920s1990 ad|| m||| 00||| ger d | ||
| 035 | |a (OCoLC)46115705 | ||
| 035 | |a (DE-599)BVBBV004072035 | ||
| 040 | |a DE-604 |b ger |e rakddb | ||
| 041 | 0 | |a ger | |
| 049 | |a DE-12 |a DE-19 |a DE-91 |a DE-355 |a DE-29T |a DE-83 |a DE-11 |a DE-188 | ||
| 084 | |a ELT 280d |2 stub | ||
| 084 | |a PHY 693d |2 stub | ||
| 100 | 1 | |a Goller, Klaus-Werner |e Verfasser |4 aut | |
| 245 | 1 | 0 | |a Aufbau einer Molekularstrahlepitaxie-Anlage und Untersuchung des orientierten Schichtwachstums von GaAs- und AlGaAs-Verbindungshalbleiterkristallen |c vorgelegt von Klaus-Werner Goller |
| 264 | 1 | |c 1990 | |
| 300 | |a 110 S. |b Ill., graph. Darst. | ||
| 336 | |b txt |2 rdacontent | ||
| 337 | |b n |2 rdamedia | ||
| 338 | |b nc |2 rdacarrier | ||
| 502 | |a Hamburg, Univ., Diss., 1990 | ||
| 650 | 0 | 7 | |a Molekularstrahlepitaxie |0 (DE-588)4170399-6 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Aluminiumarsenid |0 (DE-588)4324566-3 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Galliumarsenid |0 (DE-588)4019155-2 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Schichtwachstum |0 (DE-588)4273432-0 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Kristall |0 (DE-588)4033209-3 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Mischkristall |0 (DE-588)4170112-4 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 655 | 7 | |0 (DE-588)4113937-9 |a Hochschulschrift |2 gnd-content | |
| 689 | 0 | 0 | |a Molekularstrahlepitaxie |0 (DE-588)4170399-6 |D s |
| 689 | 0 | 1 | |a Galliumarsenid |0 (DE-588)4019155-2 |D s |
| 689 | 0 | 2 | |a Kristall |0 (DE-588)4033209-3 |D s |
| 689 | 0 | 3 | |a Schichtwachstum |0 (DE-588)4273432-0 |D s |
| 689 | 0 | |5 DE-604 | |
| 689 | 1 | 0 | |a Galliumarsenid |0 (DE-588)4019155-2 |D s |
| 689 | 1 | 1 | |a Aluminiumarsenid |0 (DE-588)4324566-3 |D s |
| 689 | 1 | 2 | |a Mischkristall |0 (DE-588)4170112-4 |D s |
| 689 | 1 | 3 | |a Molekularstrahlepitaxie |0 (DE-588)4170399-6 |D s |
| 689 | 1 | |5 DE-604 | |
| 999 | |a oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-002545721 | ||
Datensatz im Suchindex
| _version_ | 1804118301680336896 |
|---|---|
| any_adam_object | |
| author | Goller, Klaus-Werner |
| author_facet | Goller, Klaus-Werner |
| author_role | aut |
| author_sort | Goller, Klaus-Werner |
| author_variant | k w g kwg |
| building | Verbundindex |
| bvnumber | BV004072035 |
| classification_tum | ELT 280d PHY 693d |
| ctrlnum | (OCoLC)46115705 (DE-599)BVBBV004072035 |
| discipline | Physik Elektrotechnik |
| format | Thesis Book |
| fullrecord | <?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?><collection xmlns="http://www.loc.gov/MARC21/slim"><record><leader>01877nam a2200481 c 4500</leader><controlfield tag="001">BV004072035</controlfield><controlfield tag="003">DE-604</controlfield><controlfield tag="005">19930602 </controlfield><controlfield tag="007">t</controlfield><controlfield tag="008">900920s1990 ad|| m||| 00||| ger d</controlfield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(OCoLC)46115705</subfield></datafield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(DE-599)BVBBV004072035</subfield></datafield><datafield tag="040" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-604</subfield><subfield code="b">ger</subfield><subfield code="e">rakddb</subfield></datafield><datafield tag="041" ind1="0" ind2=" "><subfield code="a">ger</subfield></datafield><datafield tag="049" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-12</subfield><subfield code="a">DE-19</subfield><subfield code="a">DE-91</subfield><subfield code="a">DE-355</subfield><subfield code="a">DE-29T</subfield><subfield code="a">DE-83</subfield><subfield code="a">DE-11</subfield><subfield code="a">DE-188</subfield></datafield><datafield tag="084" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">ELT 280d</subfield><subfield code="2">stub</subfield></datafield><datafield tag="084" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">PHY 693d</subfield><subfield code="2">stub</subfield></datafield><datafield tag="100" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">Goller, Klaus-Werner</subfield><subfield code="e">Verfasser</subfield><subfield code="4">aut</subfield></datafield><datafield tag="245" ind1="1" ind2="0"><subfield code="a">Aufbau einer Molekularstrahlepitaxie-Anlage und Untersuchung des orientierten Schichtwachstums von GaAs- und AlGaAs-Verbindungshalbleiterkristallen</subfield><subfield code="c">vorgelegt von Klaus-Werner Goller</subfield></datafield><datafield tag="264" ind1=" " ind2="1"><subfield code="c">1990</subfield></datafield><datafield tag="300" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">110 S.</subfield><subfield code="b">Ill., graph. Darst.</subfield></datafield><datafield tag="336" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">txt</subfield><subfield code="2">rdacontent</subfield></datafield><datafield tag="337" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">n</subfield><subfield code="2">rdamedia</subfield></datafield><datafield tag="338" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">nc</subfield><subfield code="2">rdacarrier</subfield></datafield><datafield tag="502" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">Hamburg, Univ., Diss., 1990</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Molekularstrahlepitaxie</subfield><subfield code="0">(DE-588)4170399-6</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Aluminiumarsenid</subfield><subfield code="0">(DE-588)4324566-3</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Galliumarsenid</subfield><subfield code="0">(DE-588)4019155-2</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Schichtwachstum</subfield><subfield code="0">(DE-588)4273432-0</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Kristall</subfield><subfield code="0">(DE-588)4033209-3</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Mischkristall</subfield><subfield code="0">(DE-588)4170112-4</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="655" ind1=" " ind2="7"><subfield code="0">(DE-588)4113937-9</subfield><subfield code="a">Hochschulschrift</subfield><subfield code="2">gnd-content</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="0"><subfield code="a">Molekularstrahlepitaxie</subfield><subfield code="0">(DE-588)4170399-6</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="1"><subfield code="a">Galliumarsenid</subfield><subfield code="0">(DE-588)4019155-2</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="2"><subfield code="a">Kristall</subfield><subfield code="0">(DE-588)4033209-3</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="3"><subfield code="a">Schichtwachstum</subfield><subfield code="0">(DE-588)4273432-0</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2=" "><subfield code="5">DE-604</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="1" ind2="0"><subfield code="a">Galliumarsenid</subfield><subfield code="0">(DE-588)4019155-2</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="1" ind2="1"><subfield code="a">Aluminiumarsenid</subfield><subfield code="0">(DE-588)4324566-3</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="1" ind2="2"><subfield code="a">Mischkristall</subfield><subfield code="0">(DE-588)4170112-4</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="1" ind2="3"><subfield code="a">Molekularstrahlepitaxie</subfield><subfield code="0">(DE-588)4170399-6</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="1" ind2=" "><subfield code="5">DE-604</subfield></datafield><datafield tag="999" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-002545721</subfield></datafield></record></collection> |
| genre | (DE-588)4113937-9 Hochschulschrift gnd-content |
| genre_facet | Hochschulschrift |
| id | DE-604.BV004072035 |
| illustrated | Illustrated |
| indexdate | 2024-07-09T16:08:08Z |
| institution | BVB |
| language | German |
| oai_aleph_id | oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-002545721 |
| oclc_num | 46115705 |
| open_access_boolean | |
| owner | DE-12 DE-19 DE-BY-UBM DE-91 DE-BY-TUM DE-355 DE-BY-UBR DE-29T DE-83 DE-11 DE-188 |
| owner_facet | DE-12 DE-19 DE-BY-UBM DE-91 DE-BY-TUM DE-355 DE-BY-UBR DE-29T DE-83 DE-11 DE-188 |
| physical | 110 S. Ill., graph. Darst. |
| publishDate | 1990 |
| publishDateSearch | 1990 |
| publishDateSort | 1990 |
| record_format | marc |
| spelling | Goller, Klaus-Werner Verfasser aut Aufbau einer Molekularstrahlepitaxie-Anlage und Untersuchung des orientierten Schichtwachstums von GaAs- und AlGaAs-Verbindungshalbleiterkristallen vorgelegt von Klaus-Werner Goller 1990 110 S. Ill., graph. Darst. txt rdacontent n rdamedia nc rdacarrier Hamburg, Univ., Diss., 1990 Molekularstrahlepitaxie (DE-588)4170399-6 gnd rswk-swf Aluminiumarsenid (DE-588)4324566-3 gnd rswk-swf Galliumarsenid (DE-588)4019155-2 gnd rswk-swf Schichtwachstum (DE-588)4273432-0 gnd rswk-swf Kristall (DE-588)4033209-3 gnd rswk-swf Mischkristall (DE-588)4170112-4 gnd rswk-swf (DE-588)4113937-9 Hochschulschrift gnd-content Molekularstrahlepitaxie (DE-588)4170399-6 s Galliumarsenid (DE-588)4019155-2 s Kristall (DE-588)4033209-3 s Schichtwachstum (DE-588)4273432-0 s DE-604 Aluminiumarsenid (DE-588)4324566-3 s Mischkristall (DE-588)4170112-4 s |
| spellingShingle | Goller, Klaus-Werner Aufbau einer Molekularstrahlepitaxie-Anlage und Untersuchung des orientierten Schichtwachstums von GaAs- und AlGaAs-Verbindungshalbleiterkristallen Molekularstrahlepitaxie (DE-588)4170399-6 gnd Aluminiumarsenid (DE-588)4324566-3 gnd Galliumarsenid (DE-588)4019155-2 gnd Schichtwachstum (DE-588)4273432-0 gnd Kristall (DE-588)4033209-3 gnd Mischkristall (DE-588)4170112-4 gnd |
| subject_GND | (DE-588)4170399-6 (DE-588)4324566-3 (DE-588)4019155-2 (DE-588)4273432-0 (DE-588)4033209-3 (DE-588)4170112-4 (DE-588)4113937-9 |
| title | Aufbau einer Molekularstrahlepitaxie-Anlage und Untersuchung des orientierten Schichtwachstums von GaAs- und AlGaAs-Verbindungshalbleiterkristallen |
| title_auth | Aufbau einer Molekularstrahlepitaxie-Anlage und Untersuchung des orientierten Schichtwachstums von GaAs- und AlGaAs-Verbindungshalbleiterkristallen |
| title_exact_search | Aufbau einer Molekularstrahlepitaxie-Anlage und Untersuchung des orientierten Schichtwachstums von GaAs- und AlGaAs-Verbindungshalbleiterkristallen |
| title_full | Aufbau einer Molekularstrahlepitaxie-Anlage und Untersuchung des orientierten Schichtwachstums von GaAs- und AlGaAs-Verbindungshalbleiterkristallen vorgelegt von Klaus-Werner Goller |
| title_fullStr | Aufbau einer Molekularstrahlepitaxie-Anlage und Untersuchung des orientierten Schichtwachstums von GaAs- und AlGaAs-Verbindungshalbleiterkristallen vorgelegt von Klaus-Werner Goller |
| title_full_unstemmed | Aufbau einer Molekularstrahlepitaxie-Anlage und Untersuchung des orientierten Schichtwachstums von GaAs- und AlGaAs-Verbindungshalbleiterkristallen vorgelegt von Klaus-Werner Goller |
| title_short | Aufbau einer Molekularstrahlepitaxie-Anlage und Untersuchung des orientierten Schichtwachstums von GaAs- und AlGaAs-Verbindungshalbleiterkristallen |
| title_sort | aufbau einer molekularstrahlepitaxie anlage und untersuchung des orientierten schichtwachstums von gaas und algaas verbindungshalbleiterkristallen |
| topic | Molekularstrahlepitaxie (DE-588)4170399-6 gnd Aluminiumarsenid (DE-588)4324566-3 gnd Galliumarsenid (DE-588)4019155-2 gnd Schichtwachstum (DE-588)4273432-0 gnd Kristall (DE-588)4033209-3 gnd Mischkristall (DE-588)4170112-4 gnd |
| topic_facet | Molekularstrahlepitaxie Aluminiumarsenid Galliumarsenid Schichtwachstum Kristall Mischkristall Hochschulschrift |
| work_keys_str_mv | AT gollerklauswerner aufbaueinermolekularstrahlepitaxieanlageunduntersuchungdesorientiertenschichtwachstumsvongaasundalgaasverbindungshalbleiterkristallen |