Heterostruktur-Bauelemente: Vorträge der ITG-Fachtagung vom 25. bis 27. April 1990 in Schwäbisch Gmünd
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| Sprache: | German |
| Veröffentlicht: |
Berlin [u.a.]
Vde-Verl.
1990
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| Schriftenreihe: | ITG-Fachbericht
112 |
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| Beschreibung: | 284 S. Ill., graph. Darst. 30 cm |
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| adam_text | Inhalt
Vorwort
Grußwort der Stadtverwaltung Schwäbisch-Gmünd
Oberbürgermeister Dr. W. Schuster
Anforderungen an Bauelemente der zukünftigen Breitband-Kommunikation......................... 1
С, Вааск
OEICfe für die Hochgeschwindigkeitsübertragung............................................ 11
0. Hildebrand
Entwurf und Eigenschaften von integrierbaren GaAs/GaAlAs-Multi-Quantum-Well-Lasern
und Absorptionsmodulatoren........................................................... 13
H. Jung, E. Schlosser, G. Arnold
GaAs/GaAlAs-Quantumwell-Laser für höchste Modulationsfrequenzen............................. 19
H. D. Wolf, H. Lang, L.
Korte,
H. Hedrich
Eigenschaften von InGaAs/InGaAsP-MQW-Lasem (1,5
μπι)
...................................... 25
Η.
Düser, F. Fidorra, D. Franke, M.
Morirle,
M.
Rosenzweig,
P.
Wolfram,
D.
Grützmacher
Herstellung und Charakterisierung
einer monolithisch integrierten InGaAsP/InGaAs/lnP-Laser/Treiber-Kombination ..................... 31
F. J. Tegude,
С
Hache, E. Kühn, G. Laube, M, Schilling, F. Schuler, P. Speier
Technologien für Multi-Quantum-Well-Laser................................................. 37
P. Wiedemann, W.
Idler,
С.
Jacob,
M.
Klenk,
U.
Koerner,
P.
Speier,
H.
Schweizer,
R.
Weinmann,
E. Zielinski
InGaAsP/lnP-Laser für sehr hohe Übertragungsgeschwindigkeiten...............,................ 43
R. Weinmann, J. Bouayad-Amine, Q. Busch, W.
Idler,
M. Klenk, U.
Koerner, F. Schuler, H. Schweizer, P. Speier,
K. Wünstel, E. Zielinski
Moderne schnelle Silizium-Biopolartransistoren: heutiger Stand und Tendenzen...................... 49
H.-U. Schreiber,
B. G.
Bosch
Herstellung und Eigenschaften selbstjustierender Si/SiGe-Heterobipolartransistoren.................. 55
P.
Narożny,
D.
Köhlhoff,
H.
Kibbel, E.
Kasper
Photolumineszenz zur Charakterisierung von
Heterostrukturen
für Heterobipolartransistoren............ 61
T. Humer-Hager, H. Tews
Mg-dotierte Basisschichten für GaAs-GaAlAs Heterobipolartransistoren............................ 67
H. Tews, R. Neumann, R, Treichler, P. Zwicknagl
inGaAs/lnP-Heterobipoiartransistoren mit optimalen dc-Eigenschaften............................. 73
F. Dildey, M. Schier, G. Ebbinghaus
Einfluß von Bauform, Strukturgröße und Schichtparameter auf das Frequenzverhalten
desMpn-mPGaAs|P)-SHBT............................................................. 79
K. Mause, F. Fiedler, E. Kuphai,
A. Corbet,
D.
Briggrnann,
G. Pitz
Heteroepitaxie
von GaAs auf
Si:
aktuelle Probleme und Anwendungen in Bauelementen................ 87
K,Ptoog
Pseudomorphe InGaAs/GaAs-Quantentöpfe - MBE-Wachstum und thermische Stabilität................ 93
H, Nickel, R. Lösch, W. Schlapp, H. Leier,
A. Forche!
Anwendung der Gasschichtrotation von Wafern beim Wachstum von InP, GalnAs und GalnAsP
im horizontalen LP-MOVPE-Reaktor....................................................... 99
D. Schmitz, G. Strauch, M. Heyen, H. Jürgensen
Elektrische und optische Eigenschatten von ErAs- und GaAs/ErAs-Vielfachschichten,
hergestellt mit MBE auf GaAs...........................................................105
J. D. Ralston, J. Schneider, H. Müller, F. Fuchs,
R
Wennekers, N.
Herres,
H.
Ennen
Wellenleiter-Integration: Prinzipien, Strukturen und Ill-V-Bauelemente..............................107
G. Schulte-Roth
Wellenlängenselektiver InGaAsP/lnP-Richtkoppler für die Integrierte Optik..........................113
G. Schulte-Roth, P. Clemens,
С
Cremer, G. Heise, H. F. Mahlein, R. März, R. Müller-Nawrath, M. Schienle
WDM-Bauelemente auf der Basis von InGaAsP/lnP-Richtkopplern ................................119
С
Bornnoldt, F. Kappe, H.-P. Nolting, R. Stenzel, H. Venghaus,
C. M.
Wienert
Integriert-optischer Spektograph für WDM-Komponenten.......................................125
С
Cremer
Entwicklung einer „Polarisation Diversity^-Heterodynempfänger-Wellenleiterschaltung auf InP ...........131
P. Albrecht, M. Hamacher, H. Heidrich, D. Hoffmann, H.-P. Nolting, M. Schlak, C. M. Weinert
Trockenätzverfahren für optoelektronische Bauelemente auf inP-Basis.............................137
U. Niggebrügge, R. Müller
InGaAsP/lnP-Laser mit monolithisch integrierter Rücklichtdiode..................................145
K. Wünstel, K. Dütting, J. Bouayad-Amine, W.
Idler
Dämpfungsarme optische InP/InGaAsP-Schalter für die integrierte Optik ...........................151
G. Müller, L. Stoll, G. Schutte-Roth, U.
Wolff
Integrierbarer planarer elektrooptischer AlGaAs-Schottky-Modulator und -Photodetektor...............159
W. Kowalsky, U.
Prank,
K. J.
Ebeling
Schaltverhalten von SEEDs mit integriertem Fabry-Perot-Resonator...............................165
M. Walther,
K. J.
Ebeling
Optimierung von welienleiterintegrierten Photodioden in Vertikalkopplung..........................171
R. Kaiser,
L
Mori,
W.
Rehbein
Signal-Rausch-Messungen
an monolithisch integrierten InGaAs/lnP.-Fe-Photodiode-Feldeffekttransistor-Kombinationen ............177
H. Albrecht,
L
Hoffmann, R.
Penz
Elektrisches Laserparameter-Meß-System..................................................183
W.
Idler,
H.
Schweizer,
К.
Wünstel, F. J. Tegude
Klein- und Großsignal-HF-Simulation von InGaAs/lnP-Lasern....................................189
F. Schuler, W.
Idler,
H.
Schweizer,
E, Zielinski
Charakterisierung von (in,Ga)As/GaAs
strained layer
Multi-Quantum-WeH-Strukturen
mrt
hochauflösender Röntgendiffraktometrie und Computersimulationen...........................195
R. Zaus, J. Peisel, B. Lengeier, J.-P. Reithmaier, M. Schuster, H. Göbel
SiGe-Tunneiresonanz-Elemente auf Si-Substrat..............................................201
J.-F. Luy, F. Schafften H. Jorks, H.
Kibbel
A Metí«
for
Đoutte^Barrfer
Reso*^ .................207
Th. G.
vm
ûe
Roer,
H.
С.
Heytef,
L.
M.
F. Kaufmann,
J. J. M.
Kwaspen,
M. Schemmann, H. P. Joosten,
D. Lenstra,
H. Notetwn,
6.
H. U.
Van Tartwijk,
M. HenW, O. H. Hughes
Doppelbarrieren-Strukturen für elektronische Bauelementanwendungen
resonanter
Tunnelphänomene .... 213
R. D. Schnell, D. Bernklau, J. P. Reithmaier, H. Riechert
Simulation
of MODFETs: physical aspects and new device structures
..............................219
G. Salmer
AIGaAs/lnGaAs
HFEľs
auf GaAs für Systemanwendungen im Millimeterwellenbereich .................225
H. Dämbkes, J. Dickmann, P.
Narożny,
H.
Nickel
Höchstgeschwindigkeits-Heterostruktur-FETs: Grenzen und Möglichkeiten..........................231
E. Kohn
HI-V-MMIC: MESFET oder Heterostruktur-Bauelemente?........................................237
W. Kellner
Si/Ge-Stranined-Layers: Anwendung in Bauelementen.........................................245
E. Kasper
Vergleichende Untersuchungen an GaAs-MESFETs und AlGaAs-GaAs-HEMTs........................249
J. Splettstößer,
С
Werres, R. Stowasser, B. Wolfstädter, S. Obenauf, J. Seiders, G. Ebert, A. Colquhoun
Herstellung und Untersuchung von Heterostruktur-Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate (HIGFET).....255
I.
Gyuro, M. Heuken, J.-H. Reemtsma, F. E. G.
Guimarães,
W.
Prost,
К.
Heime
Rauscharme
HEMT
...................................................................261
H.
Schink,
G.
Belle
Dispersion und Arbeitspunktabhängigkeit des Ausgangswiderstands
in Heterostruktur-Feldeffekttranslstoren...................................................267
W. Brockerhoff, A. Stöhr, W. Prost, H. Meschede, K. Heime
Effektive Ladungsträgergeschwindigkeit in GaAs und InGaAs HEMTs
und Auswirkungen auf die Hochfrequenzeigenschaften........................................273
J. Dickmann,
С
Wölk, H. Dämbkes, H. Nickel, W. Schlapp, R. Lösch
Oer
Reeessed-Gate-Prozeß unter besonderer Berücksichtigung der mit
Е
-Beam
geschriebenen Gates
und des reaktiven lonenätzens..........................................................279
G. Kaufei, A. Hülsmann, W. Patrick,
К. Н.
Gloren E.
Öländer,
J. Hornung
Post-Deadline-Paper:
siehe Beiheft
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