Einheitliches Modell zur Beschreibung der Generations- und Ausheilprozesse von Oxidladungen Qot und Grenzflächenzuständen Dit im Siliziumdioxid durch Streß:
Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: Wulf, Friedrich (VerfasserIn)
Format: Buch
Sprache:German
Veröffentlicht: Berlin 1989
Schriftenreihe:Berichte des Hahn-Meitner-Instituts / Hahn-Meitner-Institut <Berlin, West> 465
Schlagworte:
Beschreibung:Zugl.: Berlin, Techn. Univ., Diss., 1988
Beschreibung:128 S.

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