Untersuchung des Einflusses von Dotierungen auf das Kristallpotential von Silizium durch Beugung im konvergenten Elektronenbündel:
Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: Voss, Rainer (VerfasserIn)
Format: Abschlussarbeit Mikrofilm Buch
Sprache:German
Veröffentlicht: 1979
Schlagworte:
Beschreibung:2 Mikrofiches

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