Herstellung von InP- und InGaAs-Feldeffekttransistoren mit diffundierten p plus -Gates:
Gespeichert in:
| 1. Verfasser: | |
|---|---|
| Format: | Buch |
| Sprache: | Undetermined |
| Veröffentlicht: |
1985
|
| Schlagworte: | |
| Beschreibung: | Duisburg, Univ. Gesamthochsch., Diss. |
| Beschreibung: | V, 135 S. Ill., graph. Darst. |
Internformat
MARC
| LEADER | 00000nam a2200000 c 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | BV002202526 | ||
| 003 | DE-604 | ||
| 005 | 20090706 | ||
| 007 | t | ||
| 008 | 890928s1985 ad|| m||| 00||| und d | ||
| 035 | |a (OCoLC)631307962 | ||
| 035 | |a (DE-599)BVBBV002202526 | ||
| 040 | |a DE-604 |b ger |e rakddb | ||
| 041 | |a und | ||
| 049 | |a DE-91 |a DE-355 | ||
| 084 | |a ELT 321d |2 stub | ||
| 100 | 1 | |a Schmitt, Reinhold Georg |d 1955- |e Verfasser |0 (DE-588)111153875 |4 aut | |
| 245 | 1 | 0 | |a Herstellung von InP- und InGaAs-Feldeffekttransistoren mit diffundierten p plus -Gates |c von Reinhold Georg Schmitt |
| 264 | 1 | |c 1985 | |
| 300 | |a V, 135 S. |b Ill., graph. Darst. | ||
| 336 | |b txt |2 rdacontent | ||
| 337 | |b n |2 rdamedia | ||
| 338 | |b nc |2 rdacarrier | ||
| 500 | |a Duisburg, Univ. Gesamthochsch., Diss. | ||
| 650 | 0 | 7 | |a Feldeffekttransistor |0 (DE-588)4131472-4 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Drei-Fünf-Halbleiter |0 (DE-588)4150649-2 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Gate |g Elektronik |0 (DE-588)4269385-8 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Sperrschicht-FET |0 (DE-588)4213138-8 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 655 | 7 | |0 (DE-588)4113937-9 |a Hochschulschrift |2 gnd-content | |
| 689 | 0 | 0 | |a Sperrschicht-FET |0 (DE-588)4213138-8 |D s |
| 689 | 0 | 1 | |a Drei-Fünf-Halbleiter |0 (DE-588)4150649-2 |D s |
| 689 | 0 | |5 DE-604 | |
| 689 | 1 | 0 | |a Drei-Fünf-Halbleiter |0 (DE-588)4150649-2 |D s |
| 689 | 1 | 1 | |a Feldeffekttransistor |0 (DE-588)4131472-4 |D s |
| 689 | 1 | 2 | |a Gate |g Elektronik |0 (DE-588)4269385-8 |D s |
| 689 | 1 | |5 DE-604 | |
| 999 | |a oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-001446956 | ||
Datensatz im Suchindex
| _version_ | 1804116657826693120 |
|---|---|
| any_adam_object | |
| author | Schmitt, Reinhold Georg 1955- |
| author_GND | (DE-588)111153875 |
| author_facet | Schmitt, Reinhold Georg 1955- |
| author_role | aut |
| author_sort | Schmitt, Reinhold Georg 1955- |
| author_variant | r g s rg rgs |
| building | Verbundindex |
| bvnumber | BV002202526 |
| classification_tum | ELT 321d |
| ctrlnum | (OCoLC)631307962 (DE-599)BVBBV002202526 |
| discipline | Elektrotechnik |
| format | Book |
| fullrecord | <?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?><collection xmlns="http://www.loc.gov/MARC21/slim"><record><leader>01510nam a2200409 c 4500</leader><controlfield tag="001">BV002202526</controlfield><controlfield tag="003">DE-604</controlfield><controlfield tag="005">20090706 </controlfield><controlfield tag="007">t</controlfield><controlfield tag="008">890928s1985 ad|| m||| 00||| und d</controlfield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(OCoLC)631307962</subfield></datafield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(DE-599)BVBBV002202526</subfield></datafield><datafield tag="040" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-604</subfield><subfield code="b">ger</subfield><subfield code="e">rakddb</subfield></datafield><datafield tag="041" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">und</subfield></datafield><datafield tag="049" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-91</subfield><subfield code="a">DE-355</subfield></datafield><datafield tag="084" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">ELT 321d</subfield><subfield code="2">stub</subfield></datafield><datafield tag="100" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">Schmitt, Reinhold Georg</subfield><subfield code="d">1955-</subfield><subfield code="e">Verfasser</subfield><subfield code="0">(DE-588)111153875</subfield><subfield code="4">aut</subfield></datafield><datafield tag="245" ind1="1" ind2="0"><subfield code="a">Herstellung von InP- und InGaAs-Feldeffekttransistoren mit diffundierten p plus -Gates</subfield><subfield code="c">von Reinhold Georg Schmitt</subfield></datafield><datafield tag="264" ind1=" " ind2="1"><subfield code="c">1985</subfield></datafield><datafield tag="300" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">V, 135 S.</subfield><subfield code="b">Ill., graph. Darst.</subfield></datafield><datafield tag="336" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">txt</subfield><subfield code="2">rdacontent</subfield></datafield><datafield tag="337" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">n</subfield><subfield code="2">rdamedia</subfield></datafield><datafield tag="338" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">nc</subfield><subfield code="2">rdacarrier</subfield></datafield><datafield tag="500" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">Duisburg, Univ. Gesamthochsch., Diss.</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Feldeffekttransistor</subfield><subfield code="0">(DE-588)4131472-4</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Drei-Fünf-Halbleiter</subfield><subfield code="0">(DE-588)4150649-2</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Gate</subfield><subfield code="g">Elektronik</subfield><subfield code="0">(DE-588)4269385-8</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Sperrschicht-FET</subfield><subfield code="0">(DE-588)4213138-8</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="655" ind1=" " ind2="7"><subfield code="0">(DE-588)4113937-9</subfield><subfield code="a">Hochschulschrift</subfield><subfield code="2">gnd-content</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="0"><subfield code="a">Sperrschicht-FET</subfield><subfield code="0">(DE-588)4213138-8</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="1"><subfield code="a">Drei-Fünf-Halbleiter</subfield><subfield code="0">(DE-588)4150649-2</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2=" "><subfield code="5">DE-604</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="1" ind2="0"><subfield code="a">Drei-Fünf-Halbleiter</subfield><subfield code="0">(DE-588)4150649-2</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="1" ind2="1"><subfield code="a">Feldeffekttransistor</subfield><subfield code="0">(DE-588)4131472-4</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="1" ind2="2"><subfield code="a">Gate</subfield><subfield code="g">Elektronik</subfield><subfield code="0">(DE-588)4269385-8</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="1" ind2=" "><subfield code="5">DE-604</subfield></datafield><datafield tag="999" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-001446956</subfield></datafield></record></collection> |
| genre | (DE-588)4113937-9 Hochschulschrift gnd-content |
| genre_facet | Hochschulschrift |
| id | DE-604.BV002202526 |
| illustrated | Illustrated |
| indexdate | 2024-07-09T15:42:00Z |
| institution | BVB |
| language | Undetermined |
| oai_aleph_id | oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-001446956 |
| oclc_num | 631307962 |
| open_access_boolean | |
| owner | DE-91 DE-BY-TUM DE-355 DE-BY-UBR |
| owner_facet | DE-91 DE-BY-TUM DE-355 DE-BY-UBR |
| physical | V, 135 S. Ill., graph. Darst. |
| publishDate | 1985 |
| publishDateSearch | 1985 |
| publishDateSort | 1985 |
| record_format | marc |
| spelling | Schmitt, Reinhold Georg 1955- Verfasser (DE-588)111153875 aut Herstellung von InP- und InGaAs-Feldeffekttransistoren mit diffundierten p plus -Gates von Reinhold Georg Schmitt 1985 V, 135 S. Ill., graph. Darst. txt rdacontent n rdamedia nc rdacarrier Duisburg, Univ. Gesamthochsch., Diss. Feldeffekttransistor (DE-588)4131472-4 gnd rswk-swf Drei-Fünf-Halbleiter (DE-588)4150649-2 gnd rswk-swf Gate Elektronik (DE-588)4269385-8 gnd rswk-swf Sperrschicht-FET (DE-588)4213138-8 gnd rswk-swf (DE-588)4113937-9 Hochschulschrift gnd-content Sperrschicht-FET (DE-588)4213138-8 s Drei-Fünf-Halbleiter (DE-588)4150649-2 s DE-604 Feldeffekttransistor (DE-588)4131472-4 s Gate Elektronik (DE-588)4269385-8 s |
| spellingShingle | Schmitt, Reinhold Georg 1955- Herstellung von InP- und InGaAs-Feldeffekttransistoren mit diffundierten p plus -Gates Feldeffekttransistor (DE-588)4131472-4 gnd Drei-Fünf-Halbleiter (DE-588)4150649-2 gnd Gate Elektronik (DE-588)4269385-8 gnd Sperrschicht-FET (DE-588)4213138-8 gnd |
| subject_GND | (DE-588)4131472-4 (DE-588)4150649-2 (DE-588)4269385-8 (DE-588)4213138-8 (DE-588)4113937-9 |
| title | Herstellung von InP- und InGaAs-Feldeffekttransistoren mit diffundierten p plus -Gates |
| title_auth | Herstellung von InP- und InGaAs-Feldeffekttransistoren mit diffundierten p plus -Gates |
| title_exact_search | Herstellung von InP- und InGaAs-Feldeffekttransistoren mit diffundierten p plus -Gates |
| title_full | Herstellung von InP- und InGaAs-Feldeffekttransistoren mit diffundierten p plus -Gates von Reinhold Georg Schmitt |
| title_fullStr | Herstellung von InP- und InGaAs-Feldeffekttransistoren mit diffundierten p plus -Gates von Reinhold Georg Schmitt |
| title_full_unstemmed | Herstellung von InP- und InGaAs-Feldeffekttransistoren mit diffundierten p plus -Gates von Reinhold Georg Schmitt |
| title_short | Herstellung von InP- und InGaAs-Feldeffekttransistoren mit diffundierten p plus -Gates |
| title_sort | herstellung von inp und ingaas feldeffekttransistoren mit diffundierten p plus gates |
| topic | Feldeffekttransistor (DE-588)4131472-4 gnd Drei-Fünf-Halbleiter (DE-588)4150649-2 gnd Gate Elektronik (DE-588)4269385-8 gnd Sperrschicht-FET (DE-588)4213138-8 gnd |
| topic_facet | Feldeffekttransistor Drei-Fünf-Halbleiter Gate Elektronik Sperrschicht-FET Hochschulschrift |
| work_keys_str_mv | AT schmittreinholdgeorg herstellungvoninpundingaasfeldeffekttransistorenmitdiffundiertenpplusgates |