Moderne Bauelemente von Schottky-Gate-Feldeffekt-Transistoren aus III - V-Verbindungshalbleitern:
Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: Schubert, Erdmann (VerfasserIn)
Format: Buch
Sprache:Undetermined
Veröffentlicht: 1985
Schlagworte:
Beschreibung:Stuttgart, Univ., Diss., 1986
Beschreibung:XI, 128, A19 S. Ill., graph. Darst.

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