Hochdosisimplantation von Stickstoff in Silizium: e. Technik zur Erzeugung von dielektr. isolierten CMOS-Bauelementen mit hoher Integrationsdichte
Gespeichert in:
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| Format: | Buch |
| Sprache: | German |
| Veröffentlicht: |
Düsseldorf
VDI Verl.
1986
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| Ausgabe: | Als Ms. gedr. |
| Schriftenreihe: | Verein Deutscher Ingenieure: Fortschritt-Berichte VDI / 9
64 |
| Schlagworte: | |
| Beschreibung: | Literaturverz. S. 138 - 151. - Zugl.: Dortmund, Univ., Diss., 1986 |
| Beschreibung: | 152 S. Ill., graph. Darst. |
| ISBN: | 3181464090 |
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