Untersuchung tiefer Störstellen an Grenzflächen in GaAs-Bauelementen unter Einsatz von Photokapazität- und Photo-Feldeffekttransistor-Messungen:
Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: Tegude, Franz-Josef (VerfasserIn)
Format: Buch
Sprache:German
Veröffentlicht: 1983
Schlagworte:
Beschreibung:Duisburg, Univ., Diss.
Beschreibung:141 S. graph. Darst.

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