Generation von Oxidanladungen und Phasengrenzzuständen im MOS-System durch Tunnelinjektion und ionisierende Bestrahlung:
Gespeichert in:
| 1. Verfasser: | |
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| Format: | Buch |
| Sprache: | German |
| Veröffentlicht: |
Berlin-Wannsee
Hahn-Meitner-Inst. f. Kernforschung, Bereich Datenverarb. u. Elektronik
1983
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| Schriftenreihe: | Berichte des Hahn-Meitner-Instituts
398. |
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