Chemische Dampfablagerung: CVD-Grundlagen für die Mikroelektronik
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Berlin
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1982
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MIKROELEKTRONIK MIT 26 ABBILDUNGEN AKADEMIE-VERLAG * BERLIN 1982
INHALTSVERZEICHNIS SEITE 0. EINFUEHRUNG 1 0.1 APPARATUREN ZUR CHEMISCHEN
DAMPFABLAEGERUNG 1 0.2 ZUR STOFFGLIEDERUNG 7 1. DIFFUSIONS- UND
REAKTIONSKINETIK BEI EIN- 8 SEITIGEM REAKTIONSABLAUF 1.1
VORBETRACHTUNGEN UEBER EINSEITIGE ABLAGERUNGS- 8 PROZESSE 1.1.1
SI-ABLAGERUNG 8 1.1.2 ABLAGERUNG AMORPHER ISOLATORSCHICHTEN 9 1.1.3
EPITAXIE BEI AB-VERBINDUNGEN UND DEREN 11 MISCHKRISTALLEN 1.1.4
MODELLREAKTIONEN 12 1.1.5 KOMPLIKATIONSMOEGLICHKEITEN DURCH HOMOGEN- 13
REAKTIONEN {; % 4(4 1.2 DIFFUSIONSKINETIK 17 1.3 KINETIK DER
OBERFLAECHENPROZESSE 21 1.3.1 ALLGEMEINE ANSAETZE 21 1.3.2 VERSUCHE ZUR
VERFEINERTEN BEHANDLUNG DER 23 OBERFLAECHENPROZESSE ( X ) 1.4 KONKURRENZ
ZWISCHEN DIFFUSIONS- UND OBER- 32 FLAECHENREAKTIONSKINETIK 1.4.1
ZERFALLSREAKTIONEN 1. ORDNUNG 33 1.4.2 KOMPLIZIERTERE
ABLAGERUNGSREAKTIONEN 40 1.5 AUSWIRKUNGEN VON
HOMOGENKEIMBILDUNGSPROZESSEN ( X )43 1.5.1 HOMOGENREAKTION UND
HOMOGENKEIMBILDUNG BEI 44 VERNACHLAESSIGUNG DER OBERFLAECHENREAKTION ( X )
VIII 1.5.2 ZUSAMMENWIRKEN VON OBERFLAECHEN- UND HOMOGEN- 51 REAKTION MIT
HOMOGENKEIMBILDUNG ( ) 2. GRUNDLEGENDE VERFAHRENSVARIANTEN UND MODELL-
56 RECHNUNGEN ZUM STOFFUEBERGANG SOWIE ZUR SCHICHTDICKENHOMOGENITAET 2.1
BILANZIERUNG BEI CVD-PROZESSEN 57 2.1.1 STOFFBILANZ 57 2.1.2
MOEGLICHKEITEN ZUR ERWEITERTEN BEHANDLUNG ( X ) 61 2.2 ALLGEMEINE
BEHANDLUNG DER REAKTANTENVERARMUNG 63 UND IHRER KOMPENSATION 2.3
ABLAGERUNG BEI REAKTIONSBEGRENZUNG 68 2.3.1 ATMOSPHAERENDRUCK-ABLAGERUNG
68 2.3.2 ABLAGERUNG BEI UNTERDRUCK (LPCVO) ( X ) 71 2.4 ABLAGERUNG IN
VERTIKALREAKTOREN 75 2.4.1 EIN EINFACHES MODELL ZUR BERECHNUNG DES 76
STOFFUEBERGANGS 2.4.2 VERARMUNGSKOMPENSATION IN VERTIKALEN EPITAXIE- 80
REAKTOREN 2.4.3 ERGEBNISSE UND GUELTIGKEITSBEREICH DER THEORIE 85
LAMINARER GRENZSCHICHTEN ( X ) 2.5 ABLAGERUNG IM HORIZONTALEN
KALTWANDREAKTOR 90 2.5.1 ALLGEMEINES GO 2.5.2 DAS MODELL DER
STAGNIERENDEN GRENZSCHICHT 91 3. ABLAGERUNG BEI ZWEISEITIGEM
REAKTIONSABLAUF 97 3.1 MODELLBETRACHTUNGEN ZUM EINFLUSS DER GLEICH- 98
GEWICHTSLAGE 3.2 CVD-ZAHL UND MORPHOLOGISCHE ASPEKTE ( X ) 102 N 3.3
WEITERE MODELLBETRACHTUNGEN ZUR DIFFUSIONS- 105 BEGRENZTEN ABLAGERUNG
3.4 EINBEZIEHUNG VON SIMULTANGLEICHGEWICHTEN AM 108 BEISPIEL DER
SI-EPITAXIE 3.5 EPITAXIE VON A III B V -HALBLEITERN 113 4. DOTIERUNG UND
STOECHIOMETRIEPROBLEME 116 4.1 DOTIERUNG VON ELEMENTHALBLEITERN 117 4.1.1
STOFFUEBERGANG, OBERFLAECHENPROZESSE UND 118 DOTANTENEINBAU 4.1.2
HALBLEITERELEKTRONISCHE EINFLUESSE 129 4.1.3 DOTIERUNGSHOMOGENITAET UND
AUTODOPING 135 4.2 DOTIERUNG UND EIGENFEHLORDNUNG VON VERBIN- 138
DUNGSHALBLEITERN LITERATUR 145 VERZEICHNIS HAEUFIG VERWENDETER SYMBOLE
153 SACHVERZEICHNIS 155 X ( ) DIESE ABSCHNITTE KOENNEN ZUNAECHST
UEBERSPRUNGEN WERDEN. X
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