Modellierung des Signal- und Rauschverhaltens von Sperrschicht-Feldeffekttransistoren im Sättigungsbereich:
Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: Schröder, Dietmar (VerfasserIn)
Format: Buch
Sprache:German
Veröffentlicht: Braunschweig 1983
Schlagworte:
Beschreibung:Braunschweig, Techn. Univ., Diss.
Beschreibung:196 S. graph. Darst.

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