Die Charakterisierung vergrabener Schichten nach umdotierender Ionenimplantation in Silizium im Hinblick auf das Buried Channel Charge-Coupled Device:
Gespeichert in:
| 1. Verfasser: | |
|---|---|
| Format: | Buch |
| Sprache: | German |
| Veröffentlicht: |
Berlin-Wannsee
Hahn-Meitner-Inst. f. Kernforschung, Bereich Datenverarb. u. Elektronik
1981
|
| Schriftenreihe: | HMI-8,368.
|
| Schlagworte: | |
| Beschreibung: | Zsfassung in engl. Sprache. - Zugl.: Berlin, Techn. Univ., Diss. |
| Beschreibung: | 261 S. graph. Darst. |
Internformat
MARC
| LEADER | 00000nam a2200000 cb4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | BV002096806 | ||
| 003 | DE-604 | ||
| 005 | 00000000000000.0 | ||
| 007 | t | ||
| 008 | 890928s1981 d||| m||| 00||| ger d | ||
| 035 | |a (OCoLC)44020499 | ||
| 035 | |a (DE-599)BVBBV002096806 | ||
| 040 | |a DE-604 |b ger |e rakddb | ||
| 041 | 0 | |a ger | |
| 049 | |a DE-91 | ||
| 100 | 1 | |a Bach, H.-G. |e Verfasser |4 aut | |
| 245 | 1 | 0 | |a Die Charakterisierung vergrabener Schichten nach umdotierender Ionenimplantation in Silizium im Hinblick auf das Buried Channel Charge-Coupled Device |
| 246 | 1 | 3 | |a Reportnr. HMI B 368 |
| 264 | 1 | |a Berlin-Wannsee |b Hahn-Meitner-Inst. f. Kernforschung, Bereich Datenverarb. u. Elektronik |c 1981 | |
| 300 | |a 261 S. |b graph. Darst. | ||
| 336 | |b txt |2 rdacontent | ||
| 337 | |b n |2 rdamedia | ||
| 338 | |b nc |2 rdacarrier | ||
| 490 | 0 | |a HMI-8,368. | |
| 500 | |a Zsfassung in engl. Sprache. - Zugl.: Berlin, Techn. Univ., Diss. | ||
| 655 | 7 | |0 (DE-588)4113937-9 |a Hochschulschrift |2 gnd-content | |
| 999 | |a oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-001374377 | ||
Datensatz im Suchindex
| _version_ | 1804116549848530944 |
|---|---|
| any_adam_object | |
| author | Bach, H.-G |
| author_facet | Bach, H.-G |
| author_role | aut |
| author_sort | Bach, H.-G |
| author_variant | h g b hgb |
| building | Verbundindex |
| bvnumber | BV002096806 |
| ctrlnum | (OCoLC)44020499 (DE-599)BVBBV002096806 |
| format | Book |
| fullrecord | <?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?><collection xmlns="http://www.loc.gov/MARC21/slim"><record><leader>01033nam a2200289 cb4500</leader><controlfield tag="001">BV002096806</controlfield><controlfield tag="003">DE-604</controlfield><controlfield tag="005">00000000000000.0</controlfield><controlfield tag="007">t</controlfield><controlfield tag="008">890928s1981 d||| m||| 00||| ger d</controlfield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(OCoLC)44020499</subfield></datafield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(DE-599)BVBBV002096806</subfield></datafield><datafield tag="040" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-604</subfield><subfield code="b">ger</subfield><subfield code="e">rakddb</subfield></datafield><datafield tag="041" ind1="0" ind2=" "><subfield code="a">ger</subfield></datafield><datafield tag="049" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-91</subfield></datafield><datafield tag="100" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">Bach, H.-G.</subfield><subfield code="e">Verfasser</subfield><subfield code="4">aut</subfield></datafield><datafield tag="245" ind1="1" ind2="0"><subfield code="a">Die Charakterisierung vergrabener Schichten nach umdotierender Ionenimplantation in Silizium im Hinblick auf das Buried Channel Charge-Coupled Device</subfield></datafield><datafield tag="246" ind1="1" ind2="3"><subfield code="a">Reportnr. HMI B 368</subfield></datafield><datafield tag="264" ind1=" " ind2="1"><subfield code="a">Berlin-Wannsee</subfield><subfield code="b">Hahn-Meitner-Inst. f. Kernforschung, Bereich Datenverarb. u. Elektronik</subfield><subfield code="c">1981</subfield></datafield><datafield tag="300" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">261 S.</subfield><subfield code="b">graph. Darst.</subfield></datafield><datafield tag="336" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">txt</subfield><subfield code="2">rdacontent</subfield></datafield><datafield tag="337" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">n</subfield><subfield code="2">rdamedia</subfield></datafield><datafield tag="338" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">nc</subfield><subfield code="2">rdacarrier</subfield></datafield><datafield tag="490" ind1="0" ind2=" "><subfield code="a">HMI-8,368.</subfield></datafield><datafield tag="500" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">Zsfassung in engl. Sprache. - Zugl.: Berlin, Techn. Univ., Diss.</subfield></datafield><datafield tag="655" ind1=" " ind2="7"><subfield code="0">(DE-588)4113937-9</subfield><subfield code="a">Hochschulschrift</subfield><subfield code="2">gnd-content</subfield></datafield><datafield tag="999" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-001374377</subfield></datafield></record></collection> |
| genre | (DE-588)4113937-9 Hochschulschrift gnd-content |
| genre_facet | Hochschulschrift |
| id | DE-604.BV002096806 |
| illustrated | Illustrated |
| indexdate | 2024-07-09T15:40:17Z |
| institution | BVB |
| language | German |
| oai_aleph_id | oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-001374377 |
| oclc_num | 44020499 |
| open_access_boolean | |
| owner | DE-91 DE-BY-TUM |
| owner_facet | DE-91 DE-BY-TUM |
| physical | 261 S. graph. Darst. |
| publishDate | 1981 |
| publishDateSearch | 1981 |
| publishDateSort | 1981 |
| publisher | Hahn-Meitner-Inst. f. Kernforschung, Bereich Datenverarb. u. Elektronik |
| record_format | marc |
| series2 | HMI-8,368. |
| spelling | Bach, H.-G. Verfasser aut Die Charakterisierung vergrabener Schichten nach umdotierender Ionenimplantation in Silizium im Hinblick auf das Buried Channel Charge-Coupled Device Reportnr. HMI B 368 Berlin-Wannsee Hahn-Meitner-Inst. f. Kernforschung, Bereich Datenverarb. u. Elektronik 1981 261 S. graph. Darst. txt rdacontent n rdamedia nc rdacarrier HMI-8,368. Zsfassung in engl. Sprache. - Zugl.: Berlin, Techn. Univ., Diss. (DE-588)4113937-9 Hochschulschrift gnd-content |
| spellingShingle | Bach, H.-G Die Charakterisierung vergrabener Schichten nach umdotierender Ionenimplantation in Silizium im Hinblick auf das Buried Channel Charge-Coupled Device |
| subject_GND | (DE-588)4113937-9 |
| title | Die Charakterisierung vergrabener Schichten nach umdotierender Ionenimplantation in Silizium im Hinblick auf das Buried Channel Charge-Coupled Device |
| title_alt | Reportnr. HMI B 368 |
| title_auth | Die Charakterisierung vergrabener Schichten nach umdotierender Ionenimplantation in Silizium im Hinblick auf das Buried Channel Charge-Coupled Device |
| title_exact_search | Die Charakterisierung vergrabener Schichten nach umdotierender Ionenimplantation in Silizium im Hinblick auf das Buried Channel Charge-Coupled Device |
| title_full | Die Charakterisierung vergrabener Schichten nach umdotierender Ionenimplantation in Silizium im Hinblick auf das Buried Channel Charge-Coupled Device |
| title_fullStr | Die Charakterisierung vergrabener Schichten nach umdotierender Ionenimplantation in Silizium im Hinblick auf das Buried Channel Charge-Coupled Device |
| title_full_unstemmed | Die Charakterisierung vergrabener Schichten nach umdotierender Ionenimplantation in Silizium im Hinblick auf das Buried Channel Charge-Coupled Device |
| title_short | Die Charakterisierung vergrabener Schichten nach umdotierender Ionenimplantation in Silizium im Hinblick auf das Buried Channel Charge-Coupled Device |
| title_sort | die charakterisierung vergrabener schichten nach umdotierender ionenimplantation in silizium im hinblick auf das buried channel charge coupled device |
| topic_facet | Hochschulschrift |
| work_keys_str_mv | AT bachhg diecharakterisierungvergrabenerschichtennachumdotierenderionenimplantationinsiliziumimhinblickaufdasburiedchannelchargecoupleddevice AT bachhg reportnrhmib368 |