Höhere Genauigkeit in Entwurf und Analyse kritischer Funktionen in integrierten digitalen N-MOS-LSI-Schaltungen durch genauere Schaltungssimulation und elektronenmikroskopische Potentialmessungen:
Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: Hernaut, Krunoslav (VerfasserIn)
Format: Buch
Sprache:German
Veröffentlicht: Dortmund 1978
Schlagworte:
Beschreibung:Dortmund, Univ., Diss., 1978
Beschreibung:200 S.

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