Dünnschichttechnologie:
Gespeichert in:
| Format: | Buch |
|---|---|
| Sprache: | German |
| Veröffentlicht: |
Düsseldorf
VDI-Verl.
1987
|
| Schlagworte: | |
| Online-Zugang: | Inhaltsverzeichnis |
| Beschreibung: | Literaturverz. S. 643 - 683 |
| Beschreibung: | XVIII, 691 S. Ill., graph. Darst. 25 cm |
| ISBN: | 3184006700 |
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| adam_text | DUENNSCHICHTTECHNOLOGIE HERAUSGEGEBEN VON DR.-ING. HARTMUT FREY
DR.RER.NAT. GERHARD KIENEL VERLAG VERLAG DES VEREINS DEUTSCHER
INGENIEURE * DUESSELDORF INHALT FORMELZEICHEN 1 1. ANWENDUNGEN UND
ZUKUENFTIGE ENTWICKLUNGEN DER VAKUUMBESCHICHTUNGS- TECHNIK 5 2. BEDEUTUNG
DER VAKUUMTECHNIK FUER DIE BESCHICHTUNGSTECHNIK 7 2.1. VORBEMERKUNGEN 7
2.2. EINFLUSS DER RESTGASE AUF DIE SCHICHTREINHEIT 8 2.3. VAKUUMERZEUGUNG
10 2.4. VAKUUMMESSUNG 12 2.4.1. WAERMELEITUNGSVAKUUMMETER 12 2.4.2.
REIBUNGSVAKUUMMETER 12 2.4.3. KALTKATODEN-IONISATIONSVAKUUMMETER 13
2.4.4. IONISATIONS-VAKUUMMETER MIT GLUEHKATODE 13 2.4.5.
TOTALDRUCKMESSUNG BEI BESCHICHTUNGSPROZESSEN . . . . . . . . . 13
2.4.5.1. KONVENTIONELLE KATODENZERSTAEUBUNG 13 2.4.5.2. REAKTIVE
KATODENZERSTAEUBUNG 14 2.4.5.3. KONVENTIONELLES AUFDAMPFEN 14 2.4.5.4.
REAKTIVES AUFDAMPFEN 14 2.4.6. PARTIALDRUCKMESSUNG 14 3. AUFDAMPFEN IM
HOCHVAKUUM 16 3.1. VORBEMERKUNGEN 16 B 3.2. PHYSIKALISCHE GRUNDLAGEN 17
3.2.1. VERDAMPFUNGSPROZESS 17 3.2.2. TRANSPORTPHASE 19 3.2.3.
KONDENSATIONSPHASE 21 3.3. VERDAMPFUNGSQUELLEN 22 3.3.1. ALLGEMEINES 22
3.3.2. WIDERSTANDSBEHEIZTE VERDAMPFUNGSQUELLEN 23 3.3.3.
ELEKTRONENSTRAHLVERDAMPFER 27 3.3.3.1. UEBERBLICK 27 3.3.3.2.
PIERCE-KANONEN 28 3.3.3.3. EINBAUKANONEN 29 3.3.3.4. ZUM BETRIEB VON
ELEKTRONENSTRAHLKANONEN 30 VII 3.3.3.5. TIEGEL UND STRAHLFUEHRUNG 31
3.3.3.6. RATENREGELUNG 33 3.3.3.7. AUTOMATISIERUNG 35 3.3.4. SONSTIGE
VERDAMPFUNGSQUELLEN 35 ^3.4. VERDAMPFEN VON VERSCHIEDENEN MATERIALIEN 36
3.4.1. VERDAMPFEN VON METALLEN 36 3.4.2. VERDAMPFEN VON LEGIERUNGEN 36
3.4.2.1. VORBEMERKUNGEN 36 3.4.2.2. FLASH-VERDAMPFUNG 36 3.4.2.3.
SIMULTANVERDAMPFUNG 36 3.4.2.4. SPRINGSTRAHLVERFAHREN 37 3.4.2.5.
EINTIEGELVERFAHREN 38 3.4.3. VERDAMPFEN VON CHEMISCHEN VERBINDUNGEN 41
3.4.3.1. VORBEMERKUNGEN 41 3.4.3.2. VERDAMPFEN BEI GLEICHER
ZUSAMMENSETZUNG VON BESCHICHTUNGSGUT UND GEWUENSCHTER SCHICHT . 41
3.4.3.3. REAKTIVES AUFDAMPFEN 42 4. PLASMATECHNOLOGIE 43 4.1. EINFUEHRUNG
43 4.2. QUASINEUTRALITAET - 43 4.3. CHARAKTERISTISCHE KENNGROESSEN 44
4.3.1. LANGMUIRSCHE PLASMAFREQUENZ 44 4.3.2. DEBYESCHE ABSCHIRMLAENGE 45
4.3.3. LANDAU-LAENGE, PLASMAPARAMETER R 47 4.4. BEWEGUNG GELADENER
TEILCHEN IN ELEKTROMAGNETISCHEN FELDERN 48 4.4.1. MAXWELLSCHE
GLEICHUNGEN 48 4.4.2. BEWEGUNGSGLEICHUNG UND ENERGIESATZ 50 4.4.3.
LARMOR-BEWEGUNG 51 4.5. STOSSBESTIMMTE PLASMEN 53 4.5.1.
GESCHWINDIGKEITSVERTEILUNG 53 4.5.2. MITTLERE FREIE WEGLAENGE,
STOSSFREQUENZEN 56 4.5.3. DRIFTBEWEGUNG VON LADUNGSTRAEGERN IN EINEM
ELEKTRISCHEN FELD UNTER BERUECKSICHTIGUNG VON STOESSEN 57 4.5.4. IONISATION
UND REKOMBINATION 60 4.5.4.1. IONISATIONSPROZESSE 64 4.5.4.1.1.
IONISIERUNG DURCH ELEKTRONENSTOESSE 64 4.5.4.1.2. IONISIERUNG DURCH
ION-ODER ATOMSTOESSE . . . . 65 4.5.4.1.3. STRAHLUNGSINDUZIERTE
IONISATION 65 4.5.4.1.4. IONISATION DURCH STOESSE ZWEITER ART 65
4.5.4.1.5. KUMULATIVE IONISATION 65 4.5.4.1.6. IONISIERUNG DURCH
ELEKTRISCHE FELDER 65 4.5.4.1.7. OBERFLAECHENIONISIERUNG 66 4.5.4.2.
NEUTRALISATIONSPROZESSE 66 VIII 4.5.5. DAS PLASMA ALS KONTINUUM 67
4.5.5.1. THERMODYNAMISCHE GRUNDGLEICHUNGEN 67 4.5.5.2. SAHA-GLEICHUNG 70
4.5.5.3. MASSENERHALTUNGSGESETZ 73 4.5.5.4. IMPULSERHALTUNG 74 4.5.5.5.
ABLEITUNG DES OHMSCHEN GESETZES 76 4.5.5.5.1. VOLLSTAENDIG IONISIERTES
PLASMA 76 4.5.5.5.2. TEILWEISE IONISIERTES PLASMA 80 4.5.5.6. DER
ENERGIESATZ FUER EIN PLASMA 81 4.5.6. TRANSPORTVORGAENGE 83 4.6.
ENTLADUNGSARTEN 88 4.6.1. GLEICHSTROMENTLADUNGEN 88 4.6.1.1.
UNSELBSTAENDIGE GASENTLADUNGEN 88 4.6.1.2. SELBSTAENDIGE GASENTLADUNG 89
4.6.1.2.1. ENERGIEVERTEILUNG DER GASIONEN IN ANOMALEN GLIMMENTLADUNGEN
92 4.6.1.2.2. HOHLKATODENENTLADUNG 94 4.6.2. HOCHFREQUENZENTLADUNG . 96
4.7. KATODENZERSTAEUBUNG 100 4.7.1. EINLEITUNG 100 4.7.2.
ZERSTAEUBUNGSAUSBEUTE 101 4.7.3. ZERSTAEUBUNGSMECHANISMUS 104 4.7.3.1.
ZERSTAEUBUNGSTHEORIE 104 4.7.3.2. SPIKES UND THERMISCHE SPIKES 106 4.7.4.
ZERSTAEUBUNG POLYATOMARER MATERIALIEN 107 4.7.5. ZERSTAEUBUNGSMETHODEN 108
4.7.5.1. KONVENTIONELLE ZERSTAEUBUNGSMETHODEN 108 4.7.5.1.1.
DC-DIODENZERSTAEUBUNG 109 4.7.5.1.2. TRIODENZERSTAEUBUNG 112 4.7.5.1.3.
HF-ZERSTAEUBUNG * 113 4.7.5.1.4. BIAS-ZERSTAEUBUNG 119 4.7.5.1.5.
REAKTIVES ZERSTAEUBEN 120 4.7.5.2. HOCHLEISTUNGSKATODENZERSTAEUBUNG DURCH
MAGNETRONSPUTTERN . . 122 4.7.5.2.1. PRINZIP DER MAGNETRONKATODE 122
4.7.5.2.2. ZERSTAEUBUNGSCHARAKTERISTIKA 123 = 4.8. IONENPLATTIEREN 133
4.8.1. EINLEITUNG 133 4.8.2. ENERGETISCHE AKTIVIERUNG DER SCHICHT 134
4.8.3. VERFAHRENSTECHNIK 137 4.8.4. ANLAGENTECHNIK 143 4.8.5.
ENTWICKLUNGSSTAND 147 4.9. PLASMABEHANDLUNGSMETHODEN 150 4.9.1.
PLASMAPOLYMERISATION 150 4.9.1.1. EINLEITUNG 150 4.9.1.2. PHYSIK UND
CHEMIE DER PLASMAPOLYMERISATION 151 4.9.2. PLASMAHAERTEN (GLIMMNITRIEREN)
. 156 4.9.2.1. EINLEITUNG 156 IX 4.9.2.2. ELEMENTARPROZESSE BEIM
PLASMAHAERTEN 156 4.9.3. TROCKENAETZEN ODER PLASMAUNTERSTUETZTES AETZEN 158
4.9.3.1. EINLEITUNG 158 4.9.3.2. PHYSIKALISCHES AETZEN 161 4.9.3.3.
CHEMISCHES AETZEN 162 4.9.3.4. CHEMISCH-PHYSIKALISCHES AETZEN 163 4.9.3.5.
TROCKENAETZREAKTORSYSTEME 163 4.9.3.6. BEDEUTUNG DES SELEKTIVEN UND
ANISOTROPEN AETZPROZESSES IN DER HALBLEITERTECHNOLOGIE 168 4.9.3.7.
PHOTONENUNTERSTUETZTES CHEMISCHES AETZEN 174 5. EINFLUSS VON
BESCHICHTUNGSPARAMETERN AUF DIE GEFUEGESTRUKTUR DUENNER SCHICHTEN 176 5.1.
VORBEMERKUNGEN 176 5.2. DREIZONENMODELL NACH MOVCHAN UND DEMCHISHIN 177
5.3. STRUKTURMODELL FUER AUFGESTAEUBTE SCHICHTEN NACH THORNTON 178 6.
CHEMICAL-VAPOUR-DEPOSITION (CVD) 183 6.1. EINLEITUNG - 183 6.2.
PHYSIKALISCH-CHEMISCHE GRUNDLAGEN 183 6.2.1. ALLGEMEINES 183 6.2.2.
TRANSPORT DER REAKTIONSPARTNER ZUR REAKTIONSZONE AN DER SUBSTRAT-
OBERFLAECHE 184 6.2.3. REAKTIONSPROZESS AUF DER SUBSTRATOBERFLAECHE 185
6.2.4. KEIMBILDUNG UND SCHICHTWACHSTUM 188 6.3. ANLAGENKONZEPTE 191
6.3.1. DISKONTINUIERLICH ARBEITENDER KALTWAND-REAKTOR
(COLD-WALL-BATCH-REACTOR) 191 6.3.1.1. PRINZIPIELLER AUFBAU 191 6.3.1.2.
KONTAMINATIONSKONTROLLE 193 6.3.1.3. ANWENDUNGSGEBIETE 194 6.3.1.4. VOR-
UND NACHTEILE DER TROMMEL-CVD-SYSTEME 194 6.3.2. AUTOMATISCHE,
KONTINUIERLICHE CVD-ANLAGEN 195 6.3.2.1. PRINZIPIELLER AUFBAU 195
6.3.2.2. KONZEPT EINER KONTINUIERLICH ARBEITENDEN CVD-ANLAGE 198
6.3.2.3. KONTAMINATION 199 6.3.2.4. QUALITAETSVERBESSERUNG DER
SCHICHTEIGENSCHAFTEN DURCH DIE EINFUEH- RUNG KONTINUIERLICH ARBEITENDER
CVD-ANLAGEN 200 6.3.3. NIEDERDRUCK-CVD-SYSTEME (LP-CVD) 202 6.3.3.1.
PRINZIPIELLER AUFBAU 202 6.3.3.2. SCHICHTPARAMETER 203 6.3.3.3.
KONTAMINATION 205 6.3.4. PLASMAUNTERSTUETZTE CVD-PROCESSE (PE-CVD) 205 X
7. IONENSTRAHLBESCHICHTUNG 207 7.1. EINLEITUNG 207 7.2. BESTRAHLUNG
EINES FESTKOERPERS MIT IONEN 207 7.2.1. ELEMENTARPROZESSE 207 7.2.2.
IONENSTRAHLTECHNIKEN 209 7.3. ERZEUGEN EINES IONENSTRAHLS 210 7.3.1.
ANFORDERUNGEN AN DEN IONENSTRAHL 210 7.3.2. AUSWAHL DES SYSTEMS ZUR
ERZEUGUNG EINES IONENSTRAHLS 211 7.3.3. SYSTEMKOMPONENTEN 213 7.3.3.1.
UEBERSICHT 213 7.3.3.2. KAUFMAN-QUELLE 215 7.3.3.3. FREEMAN-IONENQUELLE
218 7.4. BESCHICHTEN MIT IONENSTRAHLEN 218 7.4.1. EINFLUSS VON ENERGIE
UND LADUNG DER IONEN AUF DIE SCHICHTBILDUNG 218 7.4.2. PRIMAERE UND
SEKUNDAERE IONENSTRAHLBESCHICHTUNG 220 7.4.3. ANWENDUNGSBEISPIELE FUER DIE
IONENSTRAHLBESCHICHTUNG 222 7.4.4. VERGLEICH MIT ANDEREN
BESCHICHTUNGSVERFAHREN 225 7.4.5. TRENDS 228 7.4.6.
DURCHSATZANFORDERUNGEN DER MASSENPRODUKTION 230 8. MESSTECHNIK 233 8.1.
EXTRA-SITUM-VERFAHREN 233 8.1.1. OPTISCHE UNTERSUCHUNG
MIKROGEOMETRISCHER EIGENSCHAFTEN . . . . 233 8.1.1.1. MIKROSKOPISCHE
METHODEN 233 8.1.1.1.1. EIGENSCHAFTEN UND KENNGROESSEN DES MIKROSKOPS 233
8.1.1.1.2. LINIENBREITENMESSUNG 237 8.1.1.1.3. RECHNERUNTERSTUETZTE
AUSWERTUNG VON MIKROSKOPBILDERN . . . . 242 8.1.1.1.4. RASTERMIKROSKOPIE
. . : 242 8.1.1.2. INTERFEROMETRISCHES MESSEN VON SCHICHTDICKEN UND
STUFENHOEHEN 244 8.1.1.2.1. SCHICHTDICKENMESSUNG 245 8.1.1.2.2.
STUFENHOEHENMESSUNG . . 246 8.1.2. RAUHEIT VON FESTKOERPEROBERFLAECHEN 248
8.1.2.1. BEGRIFFE UND DEFINITIONEN 248 8.1.2.2. MESSGERAETE UND
MESSMETHODEN 250 8.1.2.2.1. MECHANISCHE MESSUNG (STYLUS-METHODE) 250
8.1.2.2.2. LICHTSCHNITTVERFAHREN 250 8.1.2.2.3. GLANZMESSMETHODE 250
8.1.2.2.4. INTERFERENTIELLE MESSMETHODE 252 8.1.2.2.5. BESTIMMUNG VON
RAUHEITSKENNWERTEN DURCH SPECKLE-KONTRAST- VERFAHREN 252 8.1.2.2.6.
OBERFLAECHENPRUEFUNG DURCH STREULICHT 255 8.1.2.2.7. MESSUNG DER RAUHEIT
DURCH ELEKTRONENSTRAHLINTERFERENZEN . . . 256 8.1.2.2.8.
RASTERTUNNELMIKROSKOP 256 8.1.2.2.9. ELLIPSOMETRISCHE RAUHEITSMESSUNG
256 8.1.3. ELLIPSOMETRIE 257 XI 8.1.3.1. GRUNDLAGEN 257 8.1.3.2.
MESSGERAETE UND MESSTECHNIK 258 8.1.4. UNTERSUCHUNGSMETHODEN PHYSIKALISCHER
EIGENSCHAFTEN 261 8.1.4.1. MESSUNG DER THERMISCHEN LEITFAEHIGKEIT 261
8.1.4.1.1. ALLGEMEINES 261 8.1.4.1.2. EXPERIMENTELLE BESTIMMUNG 261
8.1.4.2. ELEKTRISCHE LEITFAEHIGKEIT 262 8.1.4.2.1. DEFINITION 262
8.1.4.2.2. BESTIMMUNGSMETHODEN 262 8.1.4.3. PHOTOLEITFAEHIGKEIT 263
8.1.4.4. FARBMETRIK 268 8.1.4.4.1. EINLEITUNG 268 8.1.4.4.2. FARBMESSUNG
, 270 8.1.4.4.3. FARBMESSGERAETE 273 8.1.4.5. MESSUNG VON TRANSMISSION,
REFLEXION, ABSORPTION UND STREUUNG 274 8.1.4.5.1. ALLGEMEINES 274
8.1.4.5.2. MESSUNG DER TRANSMISSION 274 8.1.4.5.3. MESSUNG DER REFLEXION
282 8.1.4.5.4. MESSUNG DES GESTREUTEN LICHTES 283 8.1.4.5.5. MESSUNG DER
ABSORPTION 284 8.1.4.6. MESSUNG DES KONTAKTWIDERSTANDES 286 8.1.4.6.1.
ALLGEMEINES 286 8.1.4.6.2. BESTIMMUNGSMETHODEN 286 8.1.4.7. PERMEATION
286 8.1.4.7.1. ALLGEMEINES 286 8.1.4.7.2. MESSPRINZIPIEN 287 8.1.4.7.3.
GERAETEBESCHREIBUNGEN 290 8.1.5. UNTERSUCHUNG MECHANISCH-TECHNOLOGISCHER
EIGENSCHAFTEN 293 8.1.5.1. MECHANISCHE SPANNUNGEN IN DUENNEN SCHICHTEN .
293 8.1.5.1.1. ALLGEMEINES ; 293 8.1.5.1.2. MESSMETHODEN 295 8.1.5.2.
HAERTEMESSUNG 297 8.1.5.2.1. ALLGEMEINES 297 8.1.5.2.2. EINFLUESSE VON
MESSBEDINGUNGEN AUF DIE HAERTEWERTE 298 8.1.5.2.3. PRUEFGERAETE UND IHRE
ANWENDUNG 299 8.1.5.3. HAFTFESTIGKEIT 302 8.1.5.3.1. ALLGEMEINES 302
8.1.5.3.2. MESSMETHODEN UND MESSGERAETE . 303 8.1.5.4. MESSUNG DER
DUKTILITAET VON BESCHICHTUNGEN . . . 307 8.1.5.4.1. DEFINITIONEN .307
8.1.5.4.2. BESTIMMUNGSMETHODEN 307 8.1.5.5. MESSUNG VON PINHOLEDICHTEN
308 8.1.5.5.1. ALLGEMEINES 308 8.1.5.5.2. MESSMETHODEN 308 8.1.5.6.
SCHICHTDICKENMESSUNG MIT NICHTOPTISCHEN METHODEN 310 8.1.5.6.1.
ALLGEMEINES 310 8.1.5.6.2. DIREKTE BESTIMMUNGSMETHODEN 310 8.1.5.6.3.
INDIREKTE BESTIMMUNGSMETHODEN 312 8.1.5.7. KORROSIONSPRUEFUNG 312 8.1.6.
MODERNE VERFAHREN DER OBERFLAECHEN-UND DUENNSCHICHTANALYSE . .314 XII
8.1.6.1. PHYSIKALISCHE GRUNDLAGEN MODERNER METHODEN DER OBERFLAECHEN-
ANALYSE 314 8.1.6.1.1. EINLEITUNG 314 8.1.6.1.2. IONENSPEKTROSKOPIEN 315
8.1.6.1.3. ELEKTRONENSPEKTROSKOPIEN 328 8.1.6.2. ANWENDUNGEN 339
8.1.6.2.1. EINLEITUNG 339 8.1.6.2.2. DUENNFILM- UND
OBERFLAECHENCHARAKTERISIERUNG 340 8.1.6.2.3. OBERFLAECHEN-, DUENNFILM-UND
VOLUMENANALYSE 343 8.1.6.2.4. KOMBINATION MEHRERER ANALYSEMETHODEN 371
8.1.6.2.5. CHARAKTERISIERUNG VON SILIZIDSCHICHTEN 374 8.1.6.3.
LASER-MIKROSONDEN-MASSENANALYSE (LAMMA) 380 8.1.6.3.1. EINLEITUNG 380
8.1.6.3.2. PHYSIKALISCHE GRUNDLAGEN DER LASER-INDUZIERTEN MASSENSPEKTRO-
METRIE 380 8.1.6.3.3. GERAETETECHNISCHES KONZEPT DER LASERMIKROSONDE . .
. . . . . 383 8.1.6.3.4. METHODEN ZUR QUANTIFIZIERUNG 384 8.1.6.3.5.
EXPERIMENTELLE ERGEBNISSE ANHAND TYPISCHER ANWENDUNGS- BEISPIELE 385
8.2. IN-SITU-MESSVERFAHREN 388 8.2.1. EINLEITUNG - . . 388 8.2.2.
RATENMESSUNG MITTELS IONISIERUNG . 389 8.2.3. RATENMESSUNG DURCH
ELEKTRONENINDUZIERTE EMISSIONSSPEKTROSKOPIE (EIES) 390 8.2.4.
RATENMESSUNG MIT ATOMABSORPTIONSSPEKTROSKOPIE (AA) . . . . . 391 8.2.5.
OPTISCHE PROZESSMESSVERFAHREN 391 8.2.5.1. EINLEITUNG 391 8.2.5.2.
APPARATIVER AUFBAU * 392 8.2.5.2.1. ALLGEMEINES 392 8.2.5.2.2.
PHOTOMETER 393 8.2.5.2.3. SPEKTRALPHOTOMETER 394 8.2.5.2.4. EILIPSOMETER
394 8.2.5.3. DARSTELLUNG UND AUSWERTUNG DES MESSSIGNALS 395 8.2.5.4.
THEORETISCHE BERECHNUNG DER OPTISCHEN EIGENSCHAFTEN DUENNER SCHICHTEN
399 8.2.6. SCHWINGQUARZMESSSYSTEM 400 9. ANWENDUNGEN DUENNER SCHICHTEN 403
9.1. ELEKTRISCHE WIDERSTANDSSCHICHTEN 403 9.1.1. EINLEITUNG 403 9.1.2.
NICR-WIDERSTANDSSCHICHTEN 405 9.2. ELEKTRONIK/OPTOELEKTRONIK 410 9.2.1.
EINLEITUNG 410 9.2.2. GRUNDLAGEN AUS DER HALBLEITERPHYSIK 411 9.2.2.1.
DIREKTE UND INDIREKTE HALBLEITER . 411 9.2.2.2. HOMO- UND
HETEROUEBERGAENGE 412 9.2.2.3. GENERATIONS- UND REKOMBINATIONSPROZESSE IN
HALBLEITERN . . . . 418 XIII 9.2.2.4. BEWEGLICHKEIT FREIER LADUNGSTRAEGER
IM HALBLEITER 421 9.2.2.5. MIKROSTRUKTUREFFEKTE 421 9.2.2.6. UEBERGITTER
423 9.2.3. MATERIALIEN 425 9.2.3.1. III-V-VERBINDUNGSHALBLEITER .425
9.2.3.2. PHOTOVOLTAISCHE MATERIALIEN 430 9.2.4. TECHNOLOGIEN 433
9.2.4.1. TECHNOLOGIE DES SIZILIUMS . 433 9.2.4.2. TECHNOLOGIE DER
VERBINDUNGSHALBLEITER 436 9.2.5. BAUELEMENTE . 437 9.2.5.1.
LUMINESZENZDIODEN 438 9.2.5.2. HALBLEITERLASER 440 9.2.5.3.
PHOTODETEKTOREN 446 9.2.5.4. SOLARZELLEN 450 . 9.3. DUENNE SCHICHTEN FUER
DIE OPTIK 455 9.3.1. GRUNDLEGENDES UEBER DIE INTERFERENZ BEI EINFACH- UND
MEHRFACH-, SCHICHTEN 455 9.3.1.1. EINFUEHRUNG 455 9.3.1.2.
REFLEXIONSMINDERNDE SCHICHTEN 456 9.3.1.2.1. AENDERUNG DER REFLEXION
EINES ABSORPTIONSFREIEN SUBSTRATES DURCH AUFBRINGEN EINER DUENNEN SCHICHT
456 9.3.1.2.2. AENDERUNG DER REFLEXION EINES ABSORPTIONSFREIEN SUBSTRATES
DURCH EINE DOPPELSCHICHT 460 9.3.1.2.3. AENDERUNG DER REFLEXION DURCH
DREIFACH-SCHICHTEN 463 9.3.1.3. VIELSCHICHTSYSTEME MIT
REFLEXIONSERHOEHENDER WIRKUNG 466 9.3.2. EINIGE WICHTIGE ANWENDUNGEN
DUENNER SCHICHTEN IN DER OPTIK . . . 467 9.3.2.1. REFLEXIONSMINDERNDE
SCHICHTEN UND SONNENSCHUTZSCHICHTEN . . . 467 9.3.2.1.1. ALLGEMEINES 467
9.3.2.1.2. SONNENSCHUTZFILTER 468 9.3.2.1.3. REFLEXIONSMINDERNDE
SCHICHTEN AUF BRILLENGLAESERN UND LINSEN 471 9.3.2.2. HOCHREFLEKTIERENDE
SCHICHTEN UND FILTERSCHICHTEN 475 9.3.2.2.1. ALLGEMEINES 475 9.3.2.2.2.
HOCHREFLEKTIERENDE METALLISCHE SPIEGEL 475 9.3.2.2.3. VIELSCHICHTSYSTEME
AUS DIELEKTRISCHEN SCHICHTEN 477 9.3.3. PRUEFUNG DUENNER SCHICHTEN FUER DIE
OPTIK 484 9.3.4. AUFBAU UND BETRIEB VON ANLAGEN ZUM HERSTELLEN DUENNER
SCHICHTEN FUER DIE OPTIK 488 9.3.4.1. ALLGEMEINES ZUR VERFAHRENSTECHNIK
ZUM HERSTELLEN DUENNER, OPTISCH WIRKSAMER SCHICHTEN 488 9.3.4.2.
VERGLEICHENDE BETRACHTUNGEN UEBER AUFDAMPFEN IM HOCHVAKUUM UND
KATODENZERSTAEUBUNG 489 9.3.4.3. AUFDAMPFANLAGEN UND ZUBEHOER 494
9.3.4.3.1. ALLGEMEINES 494 9.3.4.3.2. VAKUUMAUSRUESTUNG 494 9.3.4.3.3.
VERDAMPFUNGSQUELLEN UND SUBSTRATHALTER 497 9.3.4.3.4. SUBSTRATHEIZUNG
497 9.3.4.3.5. GLIMMEINRICHTUNG 498 9.3.4.3.6. TESTGLASWECHSLER 499
9.3.4.3.7. BLENDEN . 500 XIV 9.3.4.3.8. WEITERES ZUBEHOER ZU
AUFDAMPFANLAGEN 500 9.3.4.3.9. SCHICHTDICKENGLEICHMAESSIGKEIT 502 9.3.4.4.
KATODENZERSTAEUBUNGSANLAGEN FUER DIE HERSTELLUNG OPTISCH WIRK- SAMER
SCHICHTEN 509 9.4. ENERGIEEINSPARUNG DURCH BESCHICHTETES ARCHITEKTURGLAS
511 9.4.1. ALLGEMEINES 511 9.4.2. OPTISCHE EIGENSCHAFTEN VON FENSTERGLAS
512 9.4.3. WAERMEDAEMMSCHICHTEN 513 9.4.3.1. GRUNDSAETZLICHES 513 9.4.3.2.
UNBESCHICHTETE EINFACHVERGLASUNGEN 514 9.4.3.3. UNBESCHICHTETE
DOPPELVERGLASUNGEN (ISOLIERGLAS) 514 9.4.3.4. BESCHICHTETE
DOPPELVERGLASUNGEN (ISOLIERGLAS) 515 9.4.3.5. LEISTUNGSBILANZ BEI
ISOLIERGLAS 515 9.4.4. SONNENSCHUTZSCHICHTEN . . . 516 9.4.4.1.
GRUNDSAETZLICHES 516 9.4.4.2. BEISPIELE 517 9.4.5. SCHICHTSYSTEME UND
SCHICHTEIGENSCHAFTEN 518 9.4.5.1. ALLGEMEINES 518 9.4.5.2.
WAERMEDAEMMSCHICHTEN OHNE WESENTLICHE SONNENSCHUTZWIRKUNG . 519 9.4.5.2.1.
EINFACHSCHICHTEN 519 9.4.5.2.2. SCHICHTSYSTEME , 520 9.4.5.3. SCHICHTEN
MIT WAERMEDAEMM- UND SONNENSCHUTZWIRKUNG . . . . 521 9.4.5.4.
SONNENSCHUTZSCHICHTEN OHNE WESENTLICHE WAERMEDAEMMWIRKUNG . 522 9.4.6.
BESCHICHTUNGSTECHNOLOGIEN 523 9.4.6.1. CHEMISCHE BESCHICHTUNGSVERFAHREN
523 9.4.6.2. BESCHICHTEN DURCH AUFDAMPFEN IM HOCHVAKUUM . 523 9.4.6.3.
BESCHICHTEN DURCH KATODENZERSTAEUBUNG 525 9.4.6.3.1. ALLGEMEINES 525
9.4.6.3.2. EINKAMMERANLAGEN 525 9.4.6.3.3. ZWEIKAMMERANLAGEN 527
9.4.6.3.4. MEHRKAMMERDURCHLAUFANLAGEN 527 9.4.7. ZUSAMMENFASSENDE
BEMERKUNGEN 530 9.5. TRIBOLOGIE 531 9.5.1. ALLGEMEINES 531 9.5.2.
VERSCHLEISSMECHANISMEN . . . 532 9.5.3. VERSCHLEISSPRUEFUNG DURCH DIREKTE
UND INDIREKTE MESSMETHODEN . . .533 9.5.4. VERSCHLEISSMINDERUNG DURCH
OBERFLAECHENBESCHICHTUNG 534 9.5.5. BEVORZUGTE BESCHICHTUNGSMETHODEN FUER
TRIBOLOGISCH BEANSPRUCHTE SCHICHTEN 540 9.5.5.1. ALLGEMEINES 540
9.5.5.2. CVD-VERFAHREN 540 9.5.5.3. PVD-VERFAHREN 543 9.5.6. ANWENDUNGEN
546 9.5.6.1. DEKORATIVE ABRIEBFESTE SCHICHTEN 546 9.5.6.2.
VERSCHLEISSMINDERUNG BEI WERKZEUGEN 549 9.5.6.2.1. ALLGEMEINES 549
9.5.6.2.2. ANWENDUNG CVD-VERFAHREN 550 9.5.6.2.3. ANWENDUNG
PVD-VERFAHREN 553 XV 9.5.6.3. REIBUNGSMINDERNDE SCHICHTEN UNTER
GLEITBEANSPRUCHUNG . . . . 559 9.5.6.3.1. ALLGEMEINES 559 9.5.6.3.2.
WEICHMETALLISCHE SCHICHTEN 559 9.5.6.4. REIBUNGSMINDERNDE SCHICHTEN BEI
WAELZBEANSPRUCHUNG 562 9.5.6.4.1. ALLGEMEINES . 562 9.5.6.4.2. MOS R
SCHICHTEN 562 9.5.6.5. HARTSTOFFSCHICHTEN AUF BAUTEILEN 562 9.5.6.5.1.
ALLGEMEINES 562 9.5.6.5.2. TRIBOLOGISCHES VERHALTEN VON TIN-SCHICHTEN IN
FLUEGELZELLEN- PUMPEN 563 9.6. BESCHICHTUNG VON KUNSTSTOFFORMTEILEN 565
9.6.1. ALLGEMEINES 565 9.6.2. ARBEITSGAENGE VOR UND NACH DEM
METALLISIEREN VON KUNSTSTOFF- FORMTEILEN 566 9.6.2.1. GRUNDLACKIERUNG
566 9.6.2.2. SCHUTZLACKIERUNG 566 9.6.3. ANLAGEN ZUM METALLISIEREN VON
KUNSTSTOFFORMTEILEN 566 9.6.4. ANWENDUNGEN 570 9.6.4.1. KUNSTSTOFFTEILE
MIT HOHEM REFLEXIONSVERMOEGEN IM SICHTBAREN SPEKTRALBEREICH 570 9.6.4.2.
ERZEUGUNG VERSCHIEDENER GOLDTOENE 571 9.6.4.3. ERZEUGUNG VERSCHIEDENER
FARBTOENE 572 9.6.4.4. IRIS-EFFEKTE (REGENBOGENEFFEKT) 572 9.6.4.5.
ABSCHIRMSCHICHTEN 572 9.7. FOLIENBESCHICHTUNG 572 9.7.1.
PROBLEMSTELLUNGEN BEI DER FOLIENBESCHICHTUNG 572 9.7.2. AUFBAU UND
WIRKUNGSWEISE VON FOLIENBESCHICHTUNGSANLAGEN . . . 573 9.7.2.1.
VAKUUMTECHNIK 573 9.7.2.2. WICKELSYSTEM 577 9.7.2.3.
BESCHICHTUNGSMETHODEN 578 9.7.2.4. ZUM PROZESSABLAUF 583 9.7.3.
ANWENDUNGEN 587 9.7.3.1. KONDENSATORFOLIE 587 9.7.3.2. VERPACKUNGSFOLIE
587 9.7.3.3. FOLIEN FUER ARCHITEKTURGLAS 588 9.7.3.4. PHOTOLEITENDE
SCHICHTEN FUER DIE HERSTELLUNG VON PHOTOGRAPHISCHEN FILMEN 589 9.7.3.5.
EINIGE ZUKUENFTIGE ANWENDUNGEN VON BESCHICHTETEN FOLIEN . . . 591
9.7.3.5.1. SPEICHERSCHICHTEN 591 9.7.3.5.2. TRANSPARENTE LEITENDE
SCHICHTEN 591 9.7.3.5.3. INTERFERENZSCHICHTEN AUF KUNSTSTOFFOLIEN 592
9.7.3.6. BESCHICHTEN VON FOLIEN IN LUFT-ZU-LUFT-ANLAGEN 592 9.8. DUENNE
SCHICHTEN ZUR INFORMATIONSSPEICHERUNG 593 9.8.1. EINFUEHRUNG 593 9.8.2.
MAGNETISCHE AUFZEICHNUNG 594 9.8.2.1. AUFZEICHNUNGS- UND
WIEDERGABETECHNIK 594 9.8.2.2. LONGITUDINALE UND VERTIKALE AUFZEICHNUNG
IN DUENNEN SCHICHTEN 596 XVI 9.8.2.3. SCHICHTSYSTEME FUER DIE MAGNETISCHE
AUFZEICHNUNG 597 9.8.2.4. SCHREIB-LESE-KOEPFE IN DUENNSCHICHTTECHNIK . 602
9.8.3. MAGNETOOPTISCHE UND OPTISCHE INFORMATIONSSPEICHERUNG 603 9.9.
EIGENSCHAFTEN UND HERSTELLUNG VON OPTISCH TRANSPARENTEN, ELEKTRISCH
LEIT- FAEHIGEN OXIDSCHICHTEN 605 9.9.1. EINLEITUNG 605 9.9.2.
SCHICHTEIGENSCHAFTEN 605 9.9.3. HERSTELLUNGSMETHODEN 607 9.10.
ANWENDUNGEN DER PLASMAPOLYMERISATION 608 9.10.1. EINLEITUNG 608 9.10.2.
PLASMAPOLYMERE DURCH ELEKTRONENBESCHUSS 609 9.10.3. PLASMAPOLYMERE DURCH
IONENBESCHUSS 610 9.11. ANLAGEN ZUR KONTINUIERLICHEN BESCHICHTUNG VON
METALLBAENDERN, -DRAHTEN UND -PROFILEN 612 9.11.1. EINFUEHRUNG 612 9.11.2.
BESCHICHTEN VON DRAEHTEN 613 9.11.3. BESCHICHTEN VON BLECHEN 615 10.
AUTOMATISIERUNG VON PVD-ANLAGEN 618 10.1. VORBEMERKUNGEN 618 10.2.
BEGRIFFE UND BEGRIFFSBESTIMMUNG 618 10.2.1. ABLAUFVERKNUEPFTE STEUERUNGEN
619 10.2.2. RECHNER- ODER COMPUTER-STEUERUNG 619 10.2.3. SENSOREN UND
STELLGLIEDER 620 10.2.4. VERFAHRENSENTWICKLUNG 621 10.3.
VERFAHRENSANALYSE - PROZESSPARAMETER 622 10.3.1. AUSWAHLKRITERIEN 622
10.3.2. BEDIENUNG DER AUTOMATEN 623 10.4. AUTOMATION VON TEILSYSTEMEN
624 10.4.1. PUMPSATZ-STEUERUNGEN 624 10.4.1.1. HOCHVAKUUMPUMPSAETZE MIT
DIFFUSIONSPUMPEN 624 10.4.1.2. PUMPSAETZE MIT TURBOMOLEKULARPUMPEN 625
10.4.1.3. PUMPSAETZE MIT KYROPUMPEN 626 10.4.1.4. STEUERUNGSGERAETE FUER
PUMPSTAENDE 627 10.4.2. DRUCK- UND PARTIALDRUCKSTEUERUNG 627 10.4.2.1.
KONTROLLE UND ANALYSE DES DRUCKES VOR DER BESCHICHTUNG . . . 627
10.4.2.2. GASEINLASS UND DRUCKSTEUERUNG 629 10.4.2.3. EINLASS VON
REAKTIONSGASEN 629 10.4.3. AUTOMATION VON ANTRIEBEN UND
SUBSTRATTRANSPORT 630 10.4.3.1. SUBSTRATBEWEGUNG 630 10.4.3.2.
SCHLEUSENSYSTEME UND MEHRKAMMER-IN-LINE-ANLAGEN 630 10.4.3.3.
FOLIENTRANSPORT UND BESCHICHTUNG 632 10.4.4. REGELUNG DER
SUBSTRATTEMPERATUR 632 XVII 10.4.4.1. HEIZEINRICHTUNGEN IM VAKUUM 632
10.4.4.2. MESSUNG UND REGELUNG DER SUBSTRATTEMPERATUREN 633 10.4.5.
STABILISIERUNG UND REGELUNG VON VERDAMPFERN 633 10.4.5.1.
WIDERSTANDSBEHEIZTE VERDAMPFER 633 10.4.5.2. INDUKTIVE VERDAMPFER 633
10.4.5.3. ELEKTRONENSTRAHLVERDAMPFER 633 10.4.6. STABILISIERUNG UND
REGELUNG VON SPUTTERPROZESSEN 634 10.4.7. SCHICHTDICKENKONTROLLEN UND
RATENREGELUNG 635 10.4.7.1. KONTROLLEN UND REGELUNGEN BEI
AUFDAMPFPROZESSEN 635 10.4.7.1.1. SCHWINGQUARZ-MESSTECHNIK 635
10.4.7.1.2. PHOTOMETRISCHE MESSMETHODEN 636 10.4.7.1.3. ELEKTRISCHE UND
ANDERE MESSMETHODEN 637 10.4.7.2. KONTROLLEN UND REGELUNG VON
SPUTTERPROZESSEN 637 10.4.7.3. RATENREGELUNG BEI REAKTIVEN PVD-PROZESSEN
638 10.5. BEISPIELE FUER DIE AUTOMATION VON PVD-PROZESSEN 638 10.5.1.
PROZESSSTEUERUNG MIT SCHWINGQUARZMESSTECHNIK 638 10.5.2. PROZESSSTEUERUNG
FUER OPTISCHE MEHRFACHSCHICHTEN 639 10.5.3. AUTOMATISIERUNG VON
IN-LINE-BESCHICHTUNGSANLAGEN 641 11. SCHRIFTTUM 643 12.
SACHWORTVERZEICHNIS 684 XVIII
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Inhaltsverzeichnis
THWS Schweinfurt Magazin
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2801 1991:1564 |
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| Exemplar 1 | bestellbar aus dem Magazin Verfügbar Bestellen |
THWS Schweinfurt Zentralbibliothek Lesesaal
| Signatur: |
2000 ZN 4150 F893 |
|---|---|
| Exemplar 1 | ausleihbar Missing Vormerken |