APA (7th ed.) Citation

Dämbkes, H. (1983). Herstellung und Eigenschaften von GaAs-Schottky-Gate-Feldeffekttransistoren mit Kanälen hoher Elektronenkonzentration.

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Dämbkes, Heinrich. Herstellung Und Eigenschaften Von GaAs-Schottky-Gate-Feldeffekttransistoren Mit Kanälen Hoher Elektronenkonzentration. 1983.

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Dämbkes, Heinrich. Herstellung Und Eigenschaften Von GaAs-Schottky-Gate-Feldeffekttransistoren Mit Kanälen Hoher Elektronenkonzentration. 1983.

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