Herstellung und Eigenschaften von GaAs-Schottky-Gate-Feldeffekttransistoren mit Kanälen hoher Elektronenkonzentration:
Gespeichert in:
| 1. Verfasser: | |
|---|---|
| Format: | Buch |
| Sprache: | German |
| Veröffentlicht: |
1983
|
| Schlagworte: | |
| Beschreibung: | Duisburg, Univ. Gesamthochsch., Diss. |
| Beschreibung: | VII, 186 S. Ill., graph. Darst. |
Internformat
MARC
| LEADER | 00000nam a2200000 c 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | BV002039852 | ||
| 003 | DE-604 | ||
| 005 | 00000000000000.0 | ||
| 007 | t | ||
| 008 | 890928s1983 ad|| m||| 00||| ger d | ||
| 035 | |a (OCoLC)57598551 | ||
| 035 | |a (DE-599)BVBBV002039852 | ||
| 040 | |a DE-604 |b ger |e rakddb | ||
| 041 | 0 | |a ger | |
| 049 | |a DE-91 |a DE-29T |a DE-83 |a DE-11 | ||
| 084 | |a ELT 321d |2 stub | ||
| 100 | 1 | |a Dämbkes, Heinrich |e Verfasser |4 aut | |
| 245 | 1 | 0 | |a Herstellung und Eigenschaften von GaAs-Schottky-Gate-Feldeffekttransistoren mit Kanälen hoher Elektronenkonzentration |
| 264 | 1 | |c 1983 | |
| 300 | |a VII, 186 S. |b Ill., graph. Darst. | ||
| 336 | |b txt |2 rdacontent | ||
| 337 | |b n |2 rdamedia | ||
| 338 | |b nc |2 rdacarrier | ||
| 500 | |a Duisburg, Univ. Gesamthochsch., Diss. | ||
| 650 | 0 | 7 | |a Galliumarsenid-MES-FET |0 (DE-588)4155868-6 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a MES-FET |0 (DE-588)4120727-0 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Elektronendichte |0 (DE-588)4151864-0 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 655 | 7 | |0 (DE-588)4113937-9 |a Hochschulschrift |2 gnd-content | |
| 689 | 0 | 0 | |a Galliumarsenid-MES-FET |0 (DE-588)4155868-6 |D s |
| 689 | 0 | |5 DE-604 | |
| 689 | 1 | 0 | |a MES-FET |0 (DE-588)4120727-0 |D s |
| 689 | 1 | 1 | |a Elektronendichte |0 (DE-588)4151864-0 |D s |
| 689 | 1 | |8 1\p |5 DE-604 | |
| 940 | 1 | |q TUB-nveb | |
| 999 | |a oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-001333879 | ||
| 883 | 1 | |8 1\p |a cgwrk |d 20201028 |q DE-101 |u https://d-nb.info/provenance/plan#cgwrk | |
Datensatz im Suchindex
| _version_ | 1804116490155196416 |
|---|---|
| any_adam_object | |
| author | Dämbkes, Heinrich |
| author_facet | Dämbkes, Heinrich |
| author_role | aut |
| author_sort | Dämbkes, Heinrich |
| author_variant | h d hd |
| building | Verbundindex |
| bvnumber | BV002039852 |
| classification_tum | ELT 321d |
| ctrlnum | (OCoLC)57598551 (DE-599)BVBBV002039852 |
| discipline | Elektrotechnik |
| format | Book |
| fullrecord | <?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?><collection xmlns="http://www.loc.gov/MARC21/slim"><record><leader>01408nam a2200397 c 4500</leader><controlfield tag="001">BV002039852</controlfield><controlfield tag="003">DE-604</controlfield><controlfield tag="005">00000000000000.0</controlfield><controlfield tag="007">t</controlfield><controlfield tag="008">890928s1983 ad|| m||| 00||| ger d</controlfield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(OCoLC)57598551</subfield></datafield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(DE-599)BVBBV002039852</subfield></datafield><datafield tag="040" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-604</subfield><subfield code="b">ger</subfield><subfield code="e">rakddb</subfield></datafield><datafield tag="041" ind1="0" ind2=" "><subfield code="a">ger</subfield></datafield><datafield tag="049" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-91</subfield><subfield code="a">DE-29T</subfield><subfield code="a">DE-83</subfield><subfield code="a">DE-11</subfield></datafield><datafield tag="084" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">ELT 321d</subfield><subfield code="2">stub</subfield></datafield><datafield tag="100" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">Dämbkes, Heinrich</subfield><subfield code="e">Verfasser</subfield><subfield code="4">aut</subfield></datafield><datafield tag="245" ind1="1" ind2="0"><subfield code="a">Herstellung und Eigenschaften von GaAs-Schottky-Gate-Feldeffekttransistoren mit Kanälen hoher Elektronenkonzentration</subfield></datafield><datafield tag="264" ind1=" " ind2="1"><subfield code="c">1983</subfield></datafield><datafield tag="300" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">VII, 186 S.</subfield><subfield code="b">Ill., graph. Darst.</subfield></datafield><datafield tag="336" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">txt</subfield><subfield code="2">rdacontent</subfield></datafield><datafield tag="337" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">n</subfield><subfield code="2">rdamedia</subfield></datafield><datafield tag="338" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">nc</subfield><subfield code="2">rdacarrier</subfield></datafield><datafield tag="500" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">Duisburg, Univ. Gesamthochsch., Diss.</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Galliumarsenid-MES-FET</subfield><subfield code="0">(DE-588)4155868-6</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">MES-FET</subfield><subfield code="0">(DE-588)4120727-0</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Elektronendichte</subfield><subfield code="0">(DE-588)4151864-0</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="655" ind1=" " ind2="7"><subfield code="0">(DE-588)4113937-9</subfield><subfield code="a">Hochschulschrift</subfield><subfield code="2">gnd-content</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="0"><subfield code="a">Galliumarsenid-MES-FET</subfield><subfield code="0">(DE-588)4155868-6</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2=" "><subfield code="5">DE-604</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="1" ind2="0"><subfield code="a">MES-FET</subfield><subfield code="0">(DE-588)4120727-0</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="1" ind2="1"><subfield code="a">Elektronendichte</subfield><subfield code="0">(DE-588)4151864-0</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="1" ind2=" "><subfield code="8">1\p</subfield><subfield code="5">DE-604</subfield></datafield><datafield tag="940" ind1="1" ind2=" "><subfield code="q">TUB-nveb</subfield></datafield><datafield tag="999" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-001333879</subfield></datafield><datafield tag="883" ind1="1" ind2=" "><subfield code="8">1\p</subfield><subfield code="a">cgwrk</subfield><subfield code="d">20201028</subfield><subfield code="q">DE-101</subfield><subfield code="u">https://d-nb.info/provenance/plan#cgwrk</subfield></datafield></record></collection> |
| genre | (DE-588)4113937-9 Hochschulschrift gnd-content |
| genre_facet | Hochschulschrift |
| id | DE-604.BV002039852 |
| illustrated | Illustrated |
| indexdate | 2024-07-09T15:39:20Z |
| institution | BVB |
| language | German |
| oai_aleph_id | oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-001333879 |
| oclc_num | 57598551 |
| open_access_boolean | |
| owner | DE-91 DE-BY-TUM DE-29T DE-83 DE-11 |
| owner_facet | DE-91 DE-BY-TUM DE-29T DE-83 DE-11 |
| physical | VII, 186 S. Ill., graph. Darst. |
| psigel | TUB-nveb |
| publishDate | 1983 |
| publishDateSearch | 1983 |
| publishDateSort | 1983 |
| record_format | marc |
| spelling | Dämbkes, Heinrich Verfasser aut Herstellung und Eigenschaften von GaAs-Schottky-Gate-Feldeffekttransistoren mit Kanälen hoher Elektronenkonzentration 1983 VII, 186 S. Ill., graph. Darst. txt rdacontent n rdamedia nc rdacarrier Duisburg, Univ. Gesamthochsch., Diss. Galliumarsenid-MES-FET (DE-588)4155868-6 gnd rswk-swf MES-FET (DE-588)4120727-0 gnd rswk-swf Elektronendichte (DE-588)4151864-0 gnd rswk-swf (DE-588)4113937-9 Hochschulschrift gnd-content Galliumarsenid-MES-FET (DE-588)4155868-6 s DE-604 MES-FET (DE-588)4120727-0 s Elektronendichte (DE-588)4151864-0 s 1\p DE-604 1\p cgwrk 20201028 DE-101 https://d-nb.info/provenance/plan#cgwrk |
| spellingShingle | Dämbkes, Heinrich Herstellung und Eigenschaften von GaAs-Schottky-Gate-Feldeffekttransistoren mit Kanälen hoher Elektronenkonzentration Galliumarsenid-MES-FET (DE-588)4155868-6 gnd MES-FET (DE-588)4120727-0 gnd Elektronendichte (DE-588)4151864-0 gnd |
| subject_GND | (DE-588)4155868-6 (DE-588)4120727-0 (DE-588)4151864-0 (DE-588)4113937-9 |
| title | Herstellung und Eigenschaften von GaAs-Schottky-Gate-Feldeffekttransistoren mit Kanälen hoher Elektronenkonzentration |
| title_auth | Herstellung und Eigenschaften von GaAs-Schottky-Gate-Feldeffekttransistoren mit Kanälen hoher Elektronenkonzentration |
| title_exact_search | Herstellung und Eigenschaften von GaAs-Schottky-Gate-Feldeffekttransistoren mit Kanälen hoher Elektronenkonzentration |
| title_full | Herstellung und Eigenschaften von GaAs-Schottky-Gate-Feldeffekttransistoren mit Kanälen hoher Elektronenkonzentration |
| title_fullStr | Herstellung und Eigenschaften von GaAs-Schottky-Gate-Feldeffekttransistoren mit Kanälen hoher Elektronenkonzentration |
| title_full_unstemmed | Herstellung und Eigenschaften von GaAs-Schottky-Gate-Feldeffekttransistoren mit Kanälen hoher Elektronenkonzentration |
| title_short | Herstellung und Eigenschaften von GaAs-Schottky-Gate-Feldeffekttransistoren mit Kanälen hoher Elektronenkonzentration |
| title_sort | herstellung und eigenschaften von gaas schottky gate feldeffekttransistoren mit kanalen hoher elektronenkonzentration |
| topic | Galliumarsenid-MES-FET (DE-588)4155868-6 gnd MES-FET (DE-588)4120727-0 gnd Elektronendichte (DE-588)4151864-0 gnd |
| topic_facet | Galliumarsenid-MES-FET MES-FET Elektronendichte Hochschulschrift |
| work_keys_str_mv | AT dambkesheinrich herstellungundeigenschaftenvongaasschottkygatefeldeffekttransistorenmitkanalenhoherelektronenkonzentration |