Elektronische Eigenschaften von Ge-GaAs Heterostrukturen:
Gespeichert in:
| 1. Verfasser: | |
|---|---|
| Format: | Buch |
| Sprache: | German |
| Veröffentlicht: |
Dortmund
1981
|
| Schlagworte: | |
| Beschreibung: | Dortmund, Univ., Diss., 1981 |
| Beschreibung: | IV, 105 S. graph. Darst. |
Internformat
MARC
| LEADER | 00000nam a2200000 c 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | BV002008545 | ||
| 003 | DE-604 | ||
| 005 | 00000000000000.0 | ||
| 007 | t | ||
| 008 | 890928s1981 d||| m||| 00||| ger d | ||
| 035 | |a (OCoLC)603909529 | ||
| 035 | |a (DE-599)BVBBV002008545 | ||
| 040 | |a DE-604 |b ger |e rakddb | ||
| 041 | 0 | |a ger | |
| 049 | |a DE-91 | ||
| 100 | 1 | |a Mazur, Albert |e Verfasser |4 aut | |
| 245 | 1 | 0 | |a Elektronische Eigenschaften von Ge-GaAs Heterostrukturen |
| 264 | 1 | |a Dortmund |c 1981 | |
| 300 | |a IV, 105 S. |b graph. Darst. | ||
| 336 | |b txt |2 rdacontent | ||
| 337 | |b n |2 rdamedia | ||
| 338 | |b nc |2 rdacarrier | ||
| 500 | |a Dortmund, Univ., Diss., 1981 | ||
| 650 | 4 | |a ARSENIC-GALLIUM/COMPOSÉS (CHIMIE INORGANIQUE) | |
| 650 | 4 | |a CONDUCTIBILITÉ DANS LES SEMICONDUCTEURS (ÉLECTRODYNAMIQUE) | |
| 650 | 4 | |a CONDUCTIVITY OF SEMICONDUCTORS (ELECTRODYNAMICS) | |
| 650 | 4 | |a GALLIUM-ARSEN-VERBINDUNGEN (ANORGANISCHE CHEMIE) | |
| 650 | 4 | |a GALLIUM-ARSENIC COMPOUNDS (INORGANIC CHEMISTRY) | |
| 650 | 4 | |a HETEROJUNCTION + HETEROSTRUCTURE (CRYSTALLOGRAPHY) | |
| 650 | 4 | |a HETEROKONTAKT + HETEROSTRUKTUR (KRISTALLOGRAPHIE) | |
| 650 | 4 | |a HÉTÉROJONCTION + HÉTÉROSTRUCTURE (CRISTALLOGRAPHIE) | |
| 650 | 4 | |a LEITFÄHIGKEIT VON HALBLEITERN (ELEKTRODYNAMIK) | |
| 650 | 0 | 7 | |a Metall-Halbleiter-Kontakt |0 (DE-588)4169590-2 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 655 | 7 | |0 (DE-588)4113937-9 |a Hochschulschrift |2 gnd-content | |
| 689 | 0 | 0 | |a Metall-Halbleiter-Kontakt |0 (DE-588)4169590-2 |D s |
| 689 | 0 | |5 DE-604 | |
| 999 | |a oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-001310504 | ||
Datensatz im Suchindex
| _version_ | 1804116456602861568 |
|---|---|
| any_adam_object | |
| author | Mazur, Albert |
| author_facet | Mazur, Albert |
| author_role | aut |
| author_sort | Mazur, Albert |
| author_variant | a m am |
| building | Verbundindex |
| bvnumber | BV002008545 |
| ctrlnum | (OCoLC)603909529 (DE-599)BVBBV002008545 |
| format | Book |
| fullrecord | <?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?><collection xmlns="http://www.loc.gov/MARC21/slim"><record><leader>01527nam a2200409 c 4500</leader><controlfield tag="001">BV002008545</controlfield><controlfield tag="003">DE-604</controlfield><controlfield tag="005">00000000000000.0</controlfield><controlfield tag="007">t</controlfield><controlfield tag="008">890928s1981 d||| m||| 00||| ger d</controlfield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(OCoLC)603909529</subfield></datafield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(DE-599)BVBBV002008545</subfield></datafield><datafield tag="040" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-604</subfield><subfield code="b">ger</subfield><subfield code="e">rakddb</subfield></datafield><datafield tag="041" ind1="0" ind2=" "><subfield code="a">ger</subfield></datafield><datafield tag="049" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-91</subfield></datafield><datafield tag="100" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">Mazur, Albert</subfield><subfield code="e">Verfasser</subfield><subfield code="4">aut</subfield></datafield><datafield tag="245" ind1="1" ind2="0"><subfield code="a">Elektronische Eigenschaften von Ge-GaAs Heterostrukturen</subfield></datafield><datafield tag="264" ind1=" " ind2="1"><subfield code="a">Dortmund</subfield><subfield code="c">1981</subfield></datafield><datafield tag="300" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">IV, 105 S.</subfield><subfield code="b">graph. Darst.</subfield></datafield><datafield tag="336" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">txt</subfield><subfield code="2">rdacontent</subfield></datafield><datafield tag="337" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">n</subfield><subfield code="2">rdamedia</subfield></datafield><datafield tag="338" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">nc</subfield><subfield code="2">rdacarrier</subfield></datafield><datafield tag="500" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">Dortmund, Univ., Diss., 1981</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1=" " ind2="4"><subfield code="a">ARSENIC-GALLIUM/COMPOSÉS (CHIMIE INORGANIQUE)</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1=" " ind2="4"><subfield code="a">CONDUCTIBILITÉ DANS LES SEMICONDUCTEURS (ÉLECTRODYNAMIQUE)</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1=" " ind2="4"><subfield code="a">CONDUCTIVITY OF SEMICONDUCTORS (ELECTRODYNAMICS)</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1=" " ind2="4"><subfield code="a">GALLIUM-ARSEN-VERBINDUNGEN (ANORGANISCHE CHEMIE)</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1=" " ind2="4"><subfield code="a">GALLIUM-ARSENIC COMPOUNDS (INORGANIC CHEMISTRY)</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1=" " ind2="4"><subfield code="a">HETEROJUNCTION + HETEROSTRUCTURE (CRYSTALLOGRAPHY)</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1=" " ind2="4"><subfield code="a">HETEROKONTAKT + HETEROSTRUKTUR (KRISTALLOGRAPHIE)</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1=" " ind2="4"><subfield code="a">HÉTÉROJONCTION + HÉTÉROSTRUCTURE (CRISTALLOGRAPHIE)</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1=" " ind2="4"><subfield code="a">LEITFÄHIGKEIT VON HALBLEITERN (ELEKTRODYNAMIK)</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Metall-Halbleiter-Kontakt</subfield><subfield code="0">(DE-588)4169590-2</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="655" ind1=" " ind2="7"><subfield code="0">(DE-588)4113937-9</subfield><subfield code="a">Hochschulschrift</subfield><subfield code="2">gnd-content</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="0"><subfield code="a">Metall-Halbleiter-Kontakt</subfield><subfield code="0">(DE-588)4169590-2</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2=" "><subfield code="5">DE-604</subfield></datafield><datafield tag="999" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-001310504</subfield></datafield></record></collection> |
| genre | (DE-588)4113937-9 Hochschulschrift gnd-content |
| genre_facet | Hochschulschrift |
| id | DE-604.BV002008545 |
| illustrated | Illustrated |
| indexdate | 2024-07-09T15:38:48Z |
| institution | BVB |
| language | German |
| oai_aleph_id | oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-001310504 |
| oclc_num | 603909529 |
| open_access_boolean | |
| owner | DE-91 DE-BY-TUM |
| owner_facet | DE-91 DE-BY-TUM |
| physical | IV, 105 S. graph. Darst. |
| publishDate | 1981 |
| publishDateSearch | 1981 |
| publishDateSort | 1981 |
| record_format | marc |
| spelling | Mazur, Albert Verfasser aut Elektronische Eigenschaften von Ge-GaAs Heterostrukturen Dortmund 1981 IV, 105 S. graph. Darst. txt rdacontent n rdamedia nc rdacarrier Dortmund, Univ., Diss., 1981 ARSENIC-GALLIUM/COMPOSÉS (CHIMIE INORGANIQUE) CONDUCTIBILITÉ DANS LES SEMICONDUCTEURS (ÉLECTRODYNAMIQUE) CONDUCTIVITY OF SEMICONDUCTORS (ELECTRODYNAMICS) GALLIUM-ARSEN-VERBINDUNGEN (ANORGANISCHE CHEMIE) GALLIUM-ARSENIC COMPOUNDS (INORGANIC CHEMISTRY) HETEROJUNCTION + HETEROSTRUCTURE (CRYSTALLOGRAPHY) HETEROKONTAKT + HETEROSTRUKTUR (KRISTALLOGRAPHIE) HÉTÉROJONCTION + HÉTÉROSTRUCTURE (CRISTALLOGRAPHIE) LEITFÄHIGKEIT VON HALBLEITERN (ELEKTRODYNAMIK) Metall-Halbleiter-Kontakt (DE-588)4169590-2 gnd rswk-swf (DE-588)4113937-9 Hochschulschrift gnd-content Metall-Halbleiter-Kontakt (DE-588)4169590-2 s DE-604 |
| spellingShingle | Mazur, Albert Elektronische Eigenschaften von Ge-GaAs Heterostrukturen ARSENIC-GALLIUM/COMPOSÉS (CHIMIE INORGANIQUE) CONDUCTIBILITÉ DANS LES SEMICONDUCTEURS (ÉLECTRODYNAMIQUE) CONDUCTIVITY OF SEMICONDUCTORS (ELECTRODYNAMICS) GALLIUM-ARSEN-VERBINDUNGEN (ANORGANISCHE CHEMIE) GALLIUM-ARSENIC COMPOUNDS (INORGANIC CHEMISTRY) HETEROJUNCTION + HETEROSTRUCTURE (CRYSTALLOGRAPHY) HETEROKONTAKT + HETEROSTRUKTUR (KRISTALLOGRAPHIE) HÉTÉROJONCTION + HÉTÉROSTRUCTURE (CRISTALLOGRAPHIE) LEITFÄHIGKEIT VON HALBLEITERN (ELEKTRODYNAMIK) Metall-Halbleiter-Kontakt (DE-588)4169590-2 gnd |
| subject_GND | (DE-588)4169590-2 (DE-588)4113937-9 |
| title | Elektronische Eigenschaften von Ge-GaAs Heterostrukturen |
| title_auth | Elektronische Eigenschaften von Ge-GaAs Heterostrukturen |
| title_exact_search | Elektronische Eigenschaften von Ge-GaAs Heterostrukturen |
| title_full | Elektronische Eigenschaften von Ge-GaAs Heterostrukturen |
| title_fullStr | Elektronische Eigenschaften von Ge-GaAs Heterostrukturen |
| title_full_unstemmed | Elektronische Eigenschaften von Ge-GaAs Heterostrukturen |
| title_short | Elektronische Eigenschaften von Ge-GaAs Heterostrukturen |
| title_sort | elektronische eigenschaften von ge gaas heterostrukturen |
| topic | ARSENIC-GALLIUM/COMPOSÉS (CHIMIE INORGANIQUE) CONDUCTIBILITÉ DANS LES SEMICONDUCTEURS (ÉLECTRODYNAMIQUE) CONDUCTIVITY OF SEMICONDUCTORS (ELECTRODYNAMICS) GALLIUM-ARSEN-VERBINDUNGEN (ANORGANISCHE CHEMIE) GALLIUM-ARSENIC COMPOUNDS (INORGANIC CHEMISTRY) HETEROJUNCTION + HETEROSTRUCTURE (CRYSTALLOGRAPHY) HETEROKONTAKT + HETEROSTRUKTUR (KRISTALLOGRAPHIE) HÉTÉROJONCTION + HÉTÉROSTRUCTURE (CRISTALLOGRAPHIE) LEITFÄHIGKEIT VON HALBLEITERN (ELEKTRODYNAMIK) Metall-Halbleiter-Kontakt (DE-588)4169590-2 gnd |
| topic_facet | ARSENIC-GALLIUM/COMPOSÉS (CHIMIE INORGANIQUE) CONDUCTIBILITÉ DANS LES SEMICONDUCTEURS (ÉLECTRODYNAMIQUE) CONDUCTIVITY OF SEMICONDUCTORS (ELECTRODYNAMICS) GALLIUM-ARSEN-VERBINDUNGEN (ANORGANISCHE CHEMIE) GALLIUM-ARSENIC COMPOUNDS (INORGANIC CHEMISTRY) HETEROJUNCTION + HETEROSTRUCTURE (CRYSTALLOGRAPHY) HETEROKONTAKT + HETEROSTRUKTUR (KRISTALLOGRAPHIE) HÉTÉROJONCTION + HÉTÉROSTRUCTURE (CRISTALLOGRAPHIE) LEITFÄHIGKEIT VON HALBLEITERN (ELEKTRODYNAMIK) Metall-Halbleiter-Kontakt Hochschulschrift |
| work_keys_str_mv | AT mazuralbert elektronischeeigenschaftenvongegaasheterostrukturen |