Halbleiter und Phosphore: Vorträge des Internationalen Kolloquiums 1956 "Halbleiter und Phosphore" in Garmisch-Partenkirchen = Semiconductors and phosphors = Semiconducteurs et phosphores
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Braunschweig
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| adam_text | HALBLEITER UND PBOSPHORE
Vorträge des Internationalen Kolloquiums 1956
„Halbleiter und Phosphore in Garmisch-Partenkirchen
Herausgegeben im Auftrag des Kural )riums von
Prof Dr M Schön, München
und
Prof Dr H Welker, Erlangen
6
S
4 1
FRIEDSVIEWEG amp;SOHN • BRAINSCHWEIG1958
Inhaltsverzeichnis
W Schottky, Geleitwort • 1
Ii Billig, Growth and Defects of Semiconductor Crystal^ • 2
F A Kröger and H J Vinlc, The Inoorporation of Foreign Atoms in Crystalline solids 17
N Riehl, Chemismus der Leuchtzentrenbildung in II-VI-Verbindungen 35
P T Landsberg, Some Statistical Problems in Semicond u ctors 45
P Brauer, Energiefragen beim Einbau von Fremdionen in Ionenkristalle 63
J Bardeen, Methods for Determination of Distribution ol Surfaee States in Ge and Si 81
T S Moss, Photo-EIectro-Magnetic and Magnetic Barrii r Layer Effects 98
H ¥ Fan and K Lark-Horovitz, Irradiation of Semiconductors 113
W Hanle, Beeinflussung von Leuchtstoffen durch energioreiche Strahlung 139
G A Busch, Magnetische Suszeptibilität von Halbleitern 158
)(o Madelung, Thermoelektrische und thermomagnetisch - Effekte in Halbleitern 178
Conyers Herring, The Role of Low-Frequency Phonons in Thermoelectricity and
Thermal-Conduction 184
B W Keyes, The Effects of Elastic Strain on the Conductivity of Homopolar Semi-
conductors • 236
H A Klasens, Elektrolumineszenz von suspendierten Sulfidphosphoren 247
S T Henderson, A Review of Non-Sulphide Phosphors 263
H P Kallmann, M Fürst and F H Brown, Investigntion of Energy- IVansfer in
Liquid Organic Systems 269
W Hoogenstraaten, Der nicht-elektronische Energietransport in Phosphoren ; 285
0 Stasiw, Elektronen- und Ionenprozesse^^in Silberhalogonidkristallen 306
IV Franz, Zener-Effekt und Stoßionisation 317
F M Smits, H G Miller and R L Batdorf, Surfaee Effects on the Diffusion of
Impurities in Semiconductors : 329
M G Petit-Le Du, Sur la Technique de Tirage des Moni icristaux de Germanium n-p-n 338
MGA Bernard, Mesures en Fonction de la Tempi rature du Courant dans les
Jonctions de Germaniuni n-p , 344
FWG Rose, Trap rConcentrations in Germanium, their Determination from
• Lifetime Measurements and the Relation to ä Pra tical Breakdown Voltage in
1 p-n Junction Rectifiers • : • 356
P Günther and G Köhl, Der Einfluß von schnellen a-Teilchen auf die Eigenschaften
von Silizium p-?i-Photoelementen 362
R Gremmelmaier und II Welker, p-?i-Übergänge aus In] zum Nachweis von Neutrönen-
strahlung 363
j 8 van Wieringen, Paramagnetic Resonance in Singlo Crysta-ls of SiC Doped with •
-N, P, B or AI - 367
E Burstein, G S Picus and H A Gebbie, Infrared CycL itron Resonance and Magneto-
optical Band Gap Effects in InSb 1 370
R Kessler, Zur Temperaturabhängigkeit der -p-Absoi ptionsbanden iti Germanium 375
• P A Lee, Hall and Conductivity Mobiiities in p-T}^pe Silicon 380
A Paulisch, Über den Hoehtemperatur-Leitungsmech inismus thermisch Elektronen
emittierender Oxyde 386
M Zerbsl und W Heyivang, Zur Temperaturabhängi^ keit der Trägerlebensdauer in
hochreinem Silizium 392
Wayne II Scanion, The Lifetime of Charge Carriers in PbS 399
Hazimu Kawamura, Jun-ichi Okada, Hiroshi Okura and Yasutada Uemura, The Carrier
Trapping due to the Dislocations in Polar and Nonpolar Semiconductors 400
Hazimu Kaioamura and Takeo Kikuchi, The Trapping Centers of Electrons in Glass 402
,AK Jonscher, Drift of Minority Carriers in the Preseuce of Trapping 402
MS_ Ridout, Measurement~of Minority Carrier Lifetime by the Phase Shift of Photo-
conductivity 408
Inlialtsverzeich is VII
H Jacobs, I N Greenberg, L Ooble, A Ramsa, Resonan* ePotentials in Thin Films of
Potassium Chloride 1 413
Z Matyäs, Mechanismus der Lumineszenz von Silberh/i logeniden lind Versetzungen 426
P Siiptitz, Zur Driftbeweglichkeit von • Elektronen in Silberchlorid 429
H J Oel, Fehlordnungseigenschaften am Silberjodid 431
H Kallmann und M Silver, Hole Motion, in Anthracene Qrystals 435
H K Bothe und L Herforth, Experimenteller Beitrag zum Energieiibertragungs-
• mechanismus in Polystyrolphosphoren 439
A Schmillen, Zur Frage der Energieübertragung in organischen Kristallen 445
H Schultz, Die magnetische Widerstandsänderung von Germanium im Temperatur
bereich von 10 bis 20°K 451
M Olicksman, The Galvanomagnetic Effects in the Germanium-Silicon Alloys 452
R Broom, R Barrie and I M Boss, Magnetoresistance Effects in Gallium Arsenide 453
R 0 Breckenridge, Magnetoresistänce and Hall Effect Studies in Graphite 456
J Appel, Zur Theorie der longitudinalen Widerstandsänderung in kovalenten Halb
leitern • 462
G A Wolff,- L Töman jr ,NJ Field and J 0 Clark, Relationship of Hardness,
Energy Gap and Melting Point of Diamond Type and Related Structures 463
G Busch, P Jttnod, E Mooser und H Schade, Die elektrischen Eigenschaften von
HgIn2Te4 470
0 0 Folberth und H Pfister, Über neue halbleitende Verbindungen mit Chalkopyrit-
struktur 474
D A Wright, Some Physical Properties of Bismuth Teil uride 477
P Penning, Generation of Imperfections by Thermal S1 cess 482
E N Adams and P N Argyres, Effect of Orbital Qu antization on Magneto Conduc-
tivit} in Semiconductors 485
Jan Taue, Über die Entstehung von elektromotorischen Kräften in Halbleitern 486
D Geist und / Helmen, Die magnetische Suszeptibilitii i von eisen-dotiertem
Germanium • 491
J E Parrolt, The Interaction of Electrons and Phonons in Semiconductor Transport
Phenomena 495
H Weiss, Wärmeleitfähigkeit von InSb 497
G: G Macfarlane and V Roberts, The Spectrum of the Photoconductive and Photo-
magnetie Effects in Semiconductors 500
E Groschwitz, Zur Plasmatheorie elektronischer Halbleiter | 501
I f Theis, Elektronenoptische Untersuchungen spezieller Kristallisationserscheinungen
des Selens : 510
E Schillmann, Die Dotierung von Indiumarsenid mit den Metallen der ersten Neben-
gruppe des periodischen Systems • 511
J A Lely and F A Kröger, Optical Properties of Pure and Doped SiG 514
J A Lely and F A Kröger, Electrica! Properties of llexagonal SiC Doped with N,
B or AI 525
D G Thomas and J J Lander, Hydrogen as a Donor in Zilie Oxide 534
H Ortmann, Diffusion von Aktivatoren in luminesziereiiclem Zinksulfid 535
H Gobrecht, D Hahn und K Scheffler, Über denEffekt derKathodothermolumineszenz 538
G Destriau pnA L Domergue, Über die -Nichtexistenz einer Anregungsschwelle der
Elektrolumineszenz ; 544
K G McKay, Photon Emission from Breakdown in Silicon • 546
JR Haynes, Radiation Resulting from the Recombination of Holes and Electrons
in Silicon 546
G A Wolff, R A Hebert and J D Broder, Recent Investigations on the Electro-
luminescence of Gallium Phosphide , 547
A Fischer, Probleme der p-ra-Elektrolumineszenz im sichtbaren Spektralbereich 551
M R Freymann, Absorption Dipolaire Debye de 1 Oxyde de Zinc, du Seleniüm et du
Carbüre de Silicium ! 554
M R Freymann et E Grillot, Absorption Photodipolair;e du Sulfure de Zinc 557
VIII Inhaltsverzeichnis t
- S Ni kitine, Spectres d absorption et d emission attribues ä l excitonr 560
E Grillot, Sur la nature de Demission fluorescente de CdS pur ä tres hasse temperature 561
H Haken, Theorie stationärer und nichtstationärer Zustände des Exzitons im polaren
Kristall 565
J Eozix, Application de l Effet Photodielectrique ä l Etude des Pieges ä Electrons 568
P F Schmidt, Anodic Oxide Formation on Silicon • 570
J D Kixon and P C Banbury, Junctions Induced in Germanium Surfaces by
Transverse Electric Fields 576
D Haneman and A J Mortlock, Transfer of M aterial from K adioäcti ve Point Contacts
on Germanium 576
K E Boelers, H fiobreclit und F Niemeck, Über den Einfiul l von Gasen und Dämpfen
auf die Photoleitung und die Dunkelleitung dünner Bleisclenidschichten 577
K Seeger, Verzögerte Elektronenemission von Germanium 581
J Lohff und H Raether, Die Elektronenemission bei der Oxydation von Metall
oberflächen : • • 583
• Ryogo Kubo, On Thermal Transition Process of Electrons in Solids 584
L Merten, Berechnung der Gitterschwingungen in Kristallen mit Zinkblendestruktur 587
M Fock, Äußere Tilgung, Aktivatorenwechsel Wirkung und Wanderung der Löcher in
den ZnSCu- und ZnSCuCo-Phosphoren 593
- W van Gool, Fluoreszenz und Photoleitfähigkeit in Zink-Kadmium-Sulfiden aktiviert
mit Silber • , 602
Mine M Grillot-Bande, Facteurs Extincteurs de la Fluorescence de CdS (Ag) 610
F Matossi, Theory of Dynamic Quenching of Photoconductivity and Luminescenee 613
A Bartschat und H -Qobrecht, Optische Anisotropie und Verhalten von Cadmiumsulfid-
Einkristallen in Hochfrequenz-Feldern - 622
E Spenke, Siliziumleistungsgleichrichter 630
KDN Nasledov, Elektrische Eigenschaften einiger binärer ] [albleiterverbindungen ,641
B M Wul, Über den Durchschlag in p-«,-Übergängen in Germanium 647
Takeshi Miyauchi, A Note on the Energy Gaps of Semiconductors 650
D ArPetroiv, J M Schaschkow, A S Belanouslci, Die Diffusion der Beimengungen im
Silizium 652
G I Skanawi, Die relaxationsmäßige Dielektrikapolarisation und das innere Feld in
KristallenundPolykristallen- 656
L, Sosnowski, Determination of Surfaee States in PbS Crysi als 674
• N A Oorjunova und B T Kolomijez, Glasartige Halbleiter I:678
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