Berechnung der elektronischen Struktur tiefer Störstellen in Silizium:
Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: Beeler, Franz (VerfasserIn)
Format: Abschlussarbeit Buch
Sprache:German
Veröffentlicht: 1986
Schlagworte:
Beschreibung:280 S. graph. Darst.

Es ist kein Print-Exemplar vorhanden.

Fernleihe Bestellen Achtung: Nicht im THWS-Bestand!