Grundlagen der technischen Elektronik:
Gespeichert in:
| Vorheriger Titel: | Bystron, Klaus Technische Elektronik |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , |
| Format: | Buch |
| Sprache: | German |
| Veröffentlicht: |
München [u.a.]
Hanser
1988
|
| Schriftenreihe: | Studienbücher der technischen Wissenschaften
|
| Schlagworte: | |
| Online-Zugang: | Inhaltsverzeichnis |
| Beschreibung: | XI, 371 S. graph. Darst. |
| ISBN: | 3446145648 |
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Datensatz im Suchindex
| _version_ | 1804115202664300544 |
|---|---|
| adam_text | INHALT
1 EINFUEHRUNG IN DIE PHYSIK DER HALBLEITER 1
1.1 LEITUNGSMECHANISMUS 1
1.2 EIGENLEITUNG 2
1.3 STOERSTELLENLEITUNG 5
1.4 ELEKTRONENTHEORETISCHE DEUTUNG DES STROMES IN METALLEN UND
HALBLEITERN . . 6
1.5 PN-UEBERGANG 10
1.5.1 DIODENKENNLINIE 14
2 UEBERTRAGUNGSVERHALTEN LINEARER SIGNALUEBERTRAGER 16
2.1 DEFINITION DES FREQUENZGANGES 16
2.2 ORTSKURVEN 18
2.3 VERKNUEPFUNG VON UEBERTRAGUNGSGLIEDERN 18
2.3.1 REIHENSCHALTUNG 19
2.3.2 PARALLELSCHALTUNG 19
2.3.3 MITKOPPLUNG 20
2.3.4 GEGENKOPPLUNG 20
2.4 BODE-DIAGRAMM 22
2.5 BODE-DIAGRAMME ELEMENTARER UEBERTRAGUNGSGLIEDER 24
2.5.1 PROPORTIONALGLIED (P-GLIED) 24
2.5.2 INTEGRALGLIED (I-GLIED) 24
2.5.3 DIFFERENTIALGLIED (D-GLIED) 25
2.5.4 PD-GLIED 25
2.5.5 VERZOEGERUNGSGLIED 1. ORDNUNG 27
2.5.6 VERZOEGERUNGSGLIED 2. ORDNUNG 28
2.5.7 UEBERTRAGUNGSVERHALTEN VON RC-GLIEDERN 32
2.5.7.1 RC-HOCHPASS 32
2.5.7.2 RC-TIEFPASS 36
2.5.7.3 SELEKTIVES FILTER 38
2.5.7.4 DOPPEL-T-FILTER 41
2.5.7.5 WIEN-BRUECKE 42
2.5.8 FREQUENZGANG DES OPERATIONSVERSTAERKERS 44
2.5.9 FREQUENZGANG DES PID-REGLERS 45
3 HALBLEITERDIODEN 46
3.1 DURCHBRUCHSPANNUNG 46
3.2 HALBLEITERSTRUKTUREN BEI LEISTUNGSDIODEN 47
3.3 THERMISCHES VERHALTEN 48
3.3.1 TEMPERATURABHAENGIGKEIT DER DIODENKENNLINIE 48
3.3.2 VERLUSTE 52
3.3.3 THERMISCHES ERSATZSCHALTBILD 53
3.4 DYNAMISCHES VERHALTEN 60
3.4.1 EINSCHALT
VERHALTEN 60
3.4.2 AUSSCHALTVERHALTEN 62
3.5 SPITZENDIODEN 63
3.6 FLAECHENDIODEN 63
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VIII
INHALT
3.7 KAPAZITAETS-VARIATIONSDIODE (VARICAP) * 63
3.7.1 AUSDEHNUNG DER RAUMLADUNGSZONE BEIM ABRUPTEN PN-UEBERGANG ...
64
3.7.2 AUSDEHNUNG DER RAUMLADUNGSZONE BEIM LINEAREN PN-UEBERGANG ...
68
3.8 Z-DIODE 70
3.8.1 MAXIMALE VERLUSTLEISTUNG 72
3.8.2 BERECHNUNG VON STABILISIERUNGSSCHALTUNGEN 73
3.8.2.1 BERECHNUNG DER BETRIEBSSPANNUNG UND
DES VORWIDERSTANDES . . 74
3.8.2.2 TEMPERATURKOEFFIZIENT DER Z-DIODE 76
3.8.2.3 REIHENSCHALTUNG VON Z-DIODEN 76
3.8.3 ERWEITERTE STABILISIERUNGSSCHALTUNGEN 79
3.8.4 WEITERE ANWENDUNGEN DER Z-DIODE 85
3.8.4.1 AMPLITUDENBEGRENZUNG 85
3.8.4.2 NULLPUNKTUNTERDRUECKUNG BEI EINEM MESSINSTRUMENT 86
3.8.4.3 ENTMAGNETISIERUNGSEINRICHTUNG FUER IMPULSUEBERTRAGER 86
3.9 TUNNELDIODE 87
3.9.1 ARBEITSPUNKT DER
TUNNELDIODE 88
3.9.2 ERSATZSCHALTBILD DER TUNNELDIODE 88
3.9.3 SCHALTUNGEN MIT TUNNELDIODEN 88
3.9.3.1 RECHTECKFORMER MIT TUNNELDIODE 88
3.9.3.2 TUNNELDIODEN-MULTIVIBRATOR 90
3.9.3.3 TUNNELDIODEN-OSZILLATOR 91
3.10 BACKWARD-DIODE 93
3.11 GLEICHRICHTERSCHALTUNGEN 94
3.11.1 EINWEGSCHALTUNG 94
3.11.1.1 OHMSCH-INDUKTIVE LAST 94
3.11.1.2 KAPAZITIVE LAST 95
3.11.2 ZWEIPULSIGE GLEICHRICHTER 98
3.11.2.1 GLEICHRICHTER IN ZWEIPULSIGER MITTELPUNKTSCHALTUNG M 2 ...
99
3.11.2.2 GLEICHRICHTER IN ZWEIPULSIGER BRUECKENSCHALTUNG B 2 102
3.11.3 DREIPULSIGER GLEICHRICHTER 103
3.11.4 DREHSTROM-BRUECKENSCHALTUNG B 6 106
4 TRANSISTOREN H2
4.1 BIPOLARE TRANSISTOREN 112
4.1.1 AUFBAU UND WIRKUNGSWEISE DES BIPOLAREN TRANSISTORS . 112
4.1.2 STROM-UND SPANNUNGSBEZEICHNUNGEN BEIM TRANSISTOR 114
4.1.2.1 ZAEHLRICHTUNGEN DER STROEME 115
4.1.2.2 ZAEHLRICHTUNGEN DER SPANNUNGEN 115
4.1.3 GRUNDSCHALTUNGEN DES TRANSISTORS . . 115
4.1.4 PHYSIKALISCHES ERSATZSCHALTBILD DES TRANSISTORS 116
4.1.5 GRUNDGLEICHUNGEN FUER DEN STATIONAEREN BETRIEB 118
4.1.6 BETRIEBSBEREICHE DES TRANSISTORS 121
4.1.7 KENNLINIENFELDER DES TRANSISTORS 123
4.1.7.1 EINGANGSKENNLINIE 123
4.1.7.2 AUSGANGSKENNLINIENFELD 124
4.1.7.3 VIERQUADRANTEN-KENNLINIENFELD 126
4.1.8 ARBEITSPUNKTEINSTELLUNG DES TRANSISTORS 126
4.1.8.1 ARBEITSPUNKTEINSTELLUNG MIT BASISSPANNUNGSTEILER 128
4.1.8.2 ARBEITSPUNKTEINSTELLUNG MIT BASISVORWIDERSTAND 131
INHALT IX
4.1.8.3 ARBEITSPUNKTVERSCHIEBUNG DURCH TEMPERATUREINFLUESSE ....
131
4.1.8.4 STABILISIERUNG DES ARBEITSPUNKTES DURCH TEMPERATUR
KOMPENSATION 134
4.1.8.5 STABILISIERUNG DES ARBEITSPUNKTES DURCH GLEICHSTROM- BZW.
GLEICHSPANNUNGS-GEGENKOPPLUNG 135 I
4.1.9 TRANSISTOR IM VERSTAERKERBETRIEB 139
4.1.9.1 VERANSCHAULICHUNG DES VERSTAERKUNGSVORGANGS IM
KENNLINIENFELD 139
4.1.9.2 VIERPOLGLEICHUNGEN UND ERSATZSCHALTBILD DES TRANSISTORS ...
144
4.1.9.3 ERMITTLUNG DER H-PARAMETER
AUS DEN KENNLINIENFELDERN ....
147
4.1.9.4 ANWENDUNG DER H-PARAMETER
AUF
DIE BERECHNUNG DER
BETRIEBSEIGENSCHAFTEN DES TRANSISTORS 147
4.1.9.5 VIERPOLGLEICHUNGEN DES TRANSISTORS IM HOCHFREQUENZBEREICH . .
153
4.1.9.6 ANWENDUNG DER Y-PARAMETER AUF
DIE BERECHNUNG DER
BETRIEBSEIGENSCHAFTEN DES TRANSISTORS 155
4.1.9.7 EMITTERSCHALTUNG 156
4.1.9.8 KOLLEKTORSCHALTUNG (EMITTERFOLGER) 158
4.1.9.9 BASISSCHALTUNG 172
4.1.10 GEGENKOPPLUNG 176
4.1.10.1 GEGENKOPPLUNGS-GRUNDSCHALTUNGEN 178
4.1.10.2 STROM-SPANNUNGS-GEGENKOPPLUNG DURCH EMITTER
WIDERSTAND 178
4.1.10.3 KONSTANTSTROMQUELLEN IN EMITTERSCHALTUNG MIT STROM
GEGENKOPPLUNG 185
4.1.10.4. SPANNUNGS-STROM-GEGENKOPPLUNG DURCH KOLLEKTOR-BASIS-
WIDERSTAND 188
4.1.10.5 ZWEISTUFIGER VERSTAERKER MIT SPANNUNGS-SPANNUNGS-
GEGENKOPPLUNG 193
4.1.10.6 ZWEISTUFIGER VERSTAERKER MIT WECHSELSTROM-GEGENKOPPLUNG . . 196
4.1.11 UNTERE UND OBERE GRENZFREQUENZ
DES TRANSISTORVERSTAERKERS 200
4.1.11.1 KOPPELKONDENSATOREN 200
4.1.11.2 EMITTERKONDENSATOR 202
4.1.12 DIFFERENZVERSTAERKER 206
4.1.12.1 DIFFERENZVERSTAERKER MIT HOHER
GLEICHTAKTUNTERDRUECKUNG . . . 209
4.1.12.2 DIFFERENZVERSTAERKER MIT INTERNER GEGENKOPPLUNG 209
4.1.12.3 DARLINGTON-DIFFERENZVERSTAERKER 210
4.1.13 TRANSISTOR IM SCHALTBETRIEB 213
4.1.13.1 IDEALER SCHALTER 213
4.1.13.2 REALER SCHALTER 214
4.1.13.3 STATISCHES SCHALTVERHALTEN DES TRANSISTORS . . . . 215
4.1.13.4 TRANSISTORSCHALTER IM SERIENBETRIEB 217
4.1.13.5 TRANSISTORSCHALTER IM PARALLELBETRIEB 218
4.1.13.6 TRANSISTORSCHALTER IM SERIENBETRIEB MIT NEGATIVER
BASISVORSPANNUNG 220
4.1.13.7 TRANSISTORSCHALTER IM PARALLELBETRIEB MIT NEGATIVER
BASISVORSPANNUNG 222
4.1.13.8 DYNAMISCHES SCHALTVERHALTEN DES TRANSISTORS 224
4.1.13.9 BERECHNUNG DER
SCHALTZEITEN 225
4.1.13.10 VERBESSERUNG DES DYNAMISCHEN SCHALTVERHALTENS 231
X
INHALT
4.2 FELDEFFEKT-TRANSISTOREN (UNIPOLARE TRANSISTOREN) 236
4.2.1 SPERRSCHICHT-FELDEFFEKT-TRANSISTOR (PN-FET) 238
4.2.1.1 AUFBAU UND WIRKUNGSWEISE 238
4.2.1.2 BERECHNUNG DER KENNLINIEN 241
4.2.1.3 AUSGANGSKENNLINIENFELD UND UEBERTRAGUNGSKENNLINIE 244
4.2.1.4 TEMPERATURABHAENGIGKEIT 246
4.2.1.5 PHYSIKALISCHES ERSATZSCHALTBILD 249
4.2.2 ISOLIERSCHICHT-FELDEFFEKT-TRANSISTOR (IG-FET) 250
4.2.2.1 AUFBAU UND
WIRKUNGSWEISE 250
4.2.2.2 BERECHNUNG DER KENNLINIEN 252
4.2.2.3 AUSGANGSKENNLINIENFELD UND UEBERTRAGUNGSKENNLINIE 256
4.2.2.4 TEMPERATURABHAENGIGKEIT 259
4.2.2.5 PHYSIKALISCHES ERSATZSCHALTBILD 261
4.2.3 ARBEITSPUNKTEINSTELLUNG DES FELDEFFEKT-TRASISTORS 261
4.2.3.1 ARBEITSPUNKTEINSTELLUNG MIT GATE-SOURCE-VORSPANNUNG ....
262
4.2.3.2 ARBEITSPUNKTEINSTELLUNG MIT AUTOMATISCHER GATE-SOURCE-
VORSPANNUNG DURCH GLEICHSTROM-GEGENKOPPLUNG 263
4.2.3.3 ARBEITSPUNKTEINSTELLUNG MIT SPANNUNGSTEILER UND
GLEICHSTROM-GEGENKOPPLUNG 263
4.2.4 FELDEFFEKT-TRANSISTOR IM VERSTAERKERBETRIEB 266
4.2.4.1 VERANSCHAULICHUNG DES VERSTAERKUNGSVORGANGS IM
KENNLINIENFELD 266
4.2.4.2 VIERPOLGLEICHUNGEN UND ERSATZSCHALTBILD DES FELDEFFEKT-
TRANSISTORS 267
4.2.4.3 ANWENDUNG DER
Y-PARAMETER AUF
DIE BERECHNUNG DER
BETRIEBSEIGENSCHAFTEN DES FELDEFFEKT-TRANSISTORS 268
4.2.4.4 GRUNDSCHALTUNGEN DES FELDEFFEKT-TRANSISTORS 269
4.2.4.5 SOURCESCHALTUNG 269
4.2.4.6 DRAINSCHALTUNG (SOURCEFOLGER) 279
4.2.4.7 GATESCHALTUNG 284
4.2.5 KONSTANTSTROMQUELLEN MIT FELDEFFEKT-TRANSISTOREN 287
4.2.5.1 FELDEFFEKT-DIODE 288
4.2.5.2 KONSTANTSTROMQUELLE MIT EINSTELLBAREM AUSGANGSSTROM ....
288
4.2.5.3 KONSTANTSTROMQUELLE MIT KASKADENSCHALTUNG 289
4.2.6 FELDEFFEKT-TRANSISTOR ALS SPANNUNGSGESTEUERTER WIDERSTAND 291
4.2.7 FELDEFFEKT-TRANSISTOR IM SCHALTBETRIEB 294
4.2.7.1 STATISCHES SCHALTVERHALTEN DES FELDEFFEKT-TRANSISTORS 294
4.2.7.2 DYNAMISCHES SCHALTVERHALTEN DES FELDEFFEKT-TRANSISTORS. . . .
295
5 OPERATIONSVERSTAERKER 300
5.1 EIGENSCHAFTEN VON OPERATIONSVERSTAERKERN 301
5.1.1 WECHSELSTROMEIGENSCHAFTEN 301
5.1.2 STATISCHE EIGENSCHAFTEN 305
5.2 RUECKGEKOPPELTE OPERATIONSVERSTAERKER 306
5.3 INVERTIERENDER VERSTAERKER 308
5.3.1 KOMPENSATION VON EINGANGSRUHESTROM UND
OFFSETSPANNUNG 313
5.3.2 MIT VIERPOLEN BESCHALTETER INVERTIERENDER VERSTAERKER 314
5.4 NICHTINVERTIERENDER VERSTAERKER 315
5.5 NIEDERFREQUENZ-VERSTAERKER 318
INHALT
1
XI
5.6 ANALOGE RECHENSCHALTUNGEN 319
5.6.1 UMKEHRADDIERER 319
5.6.2 SUBTRAHIERER 320
5.6.3 MEHRFACH-SUBTRAHIERER 321
5.6.4 SYMMETRISCHER SUBTRAHIERER MIT HOHEN EINGANGSWIDERSTAENDEN 322
5.6.5 EXPONENTIALVERSTAERKER 323
5.6.6 LOGARITHMIERER 324
5.6.7 INTEGRATOREN 324
5.6.7.1 SUMMATIONS-INTEGRATOR 326
5.6.7.2 DIFFERENZ-INTEGRATOR 327
5.6.7.3 ZWEIFACH-INTEGRATOR 327
5.6.8 DIFFERENTIATOR 328
5.7 ANWENDUNGEN DES OPERATIONSVERSTAERKERS IN DER REGELUNGSTECHNIK 330
5.7.1 PI-REGLER 330
5.7.2 PD-REGLER 333
5.7.3 PID-REGLER 337
5.7.4 HOCHLAUFGEBER 340
5.8 KONSTANTSTROMQUELLEN MIT OPERATIONSVERSTAERKERN 341
5.9 GLEICHRICHTERSCHALTUNGEN MIT
OPERATIONSVERSTAERKERN 343
5.9.1 IDEALER EINWEGGLEICHRICHTER 343
5.9.2 IDEALER VOLLWEGGLEICHRICHTER 344
5.10 SPEICHERSCHALTUNGEN 345
5.10.1 MAXIMALWERTSPEICHER 345
5.10.2 MOMENTANWERTSPEICHER 346
5.11 NICHTLINEARE SCHALTUNGEN 347
5.11.1 SPANNUNGSKOMPARATOR 347
5.11.2 SCHMITT-TRIGGER 349
5.11.3 ASTABILER MULTIVIBRATOR 352
5.12 SCHALTUNGEN AUS KOMBINATIONEN VON OPERATIONSVERSTAERKERN 356
5.12.1 SPANNUNGS-FREQUENZ-UMSETZER 356
5.12.2 BEGRENZERSCHALTUNG 359
5.12.3 STEUERSATZ FUER EINEN PULSBREITENGESTEUERTEN GLEICHSTROMSTELLER
360
LITERATUR 362
SACHWORTVERZEICHNIS 363
|
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| author | Bystron, Klaus Borgmeyer, Johannes |
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| discipline | Physik Elektrotechnik Elektrotechnik / Elektronik / Nachrichtentechnik |
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