Verfügbarkeit: Charakterisierung der Halbleiter/Isolator Grenzfläche von MIS-Strukturen mit Plasma-Siliziumnitrid als Isolator

Charakterisierung der Halbleiter/Isolator Grenzfläche von MIS-Strukturen mit Plasma-Siliziumnitrid als Isolator:

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser:	Blumenstock, Karl-Dieter (VerfasserIn)
Format:	Buch
Sprache:	German
Veröffentlicht:	1986
Schlagworte:	Grenzfläche Haftstelle Halbleitergrenzfläche Kristallfläche MIS Siliciumnitrid Hochschulschrift MIS-Struktur
Beschreibung:	Erlangen-Nürnberg, Univ., Diss.
Beschreibung:	133 S.

Internformat

MARC


LEADER	00000nam a2200000 c 4500
001	BV000494619
003	DE-604
005	00000000000000.0
007	t
008	870612s1986 m\|\|\| 00\|\|\| ger d
035			\|a (OCoLC)64254854
035			\|a (DE-599)BVBBV000494619
040			\|a DE-604 \|b ger \|e rakddb
041	0		\|a ger
049			\|a DE-12 \|a DE-83 \|a DE-11
100	1		\|a Blumenstock, Karl-Dieter \|e Verfasser \|4 aut
245	1	0	\|a Charakterisierung der Halbleiter/Isolator Grenzfläche von MIS-Strukturen mit Plasma-Siliziumnitrid als Isolator
264		1	\|c 1986
300			\|a 133 S.
336			\|b txt \|2 rdacontent
337			\|b n \|2 rdamedia
338			\|b nc \|2 rdacarrier
500			\|a Erlangen-Nürnberg, Univ., Diss.
650		7	\|a Grenzfläche \|2 swd
650		7	\|a Haftstelle \|2 swd
650		7	\|a Halbleitergrenzfläche \|2 swd
650		7	\|a Kristallfläche \|2 swd
650		7	\|a MIS \|2 swd
650		7	\|a Siliciumnitrid \|2 swd
650	0	7	\|a Haftstelle \|0 (DE-588)4246560-6 \|2 gnd \|9 rswk-swf
650	0	7	\|a Kristallfläche \|0 (DE-588)4151344-7 \|2 gnd \|9 rswk-swf
650	0	7	\|a Siliciumnitrid \|0 (DE-588)4127841-0 \|2 gnd \|9 rswk-swf
650	0	7	\|a Grenzfläche \|0 (DE-588)4021991-4 \|2 gnd \|9 rswk-swf
650	0	7	\|a Halbleitergrenzfläche \|0 (DE-588)4158802-2 \|2 gnd \|9 rswk-swf
650	0	7	\|a MIS \|0 (DE-588)4139664-9 \|2 gnd \|9 rswk-swf
655		7	\|0 (DE-588)4113937-9 \|a Hochschulschrift \|2 gnd-content
655		7	\|a MIS-Struktur \|2 swd
655		7	\|a MIS-Struktur \|2 gnd \|9 rswk-swf
689	0	0	\|a MIS \|0 (DE-588)4139664-9 \|D s
689	0	1	\|a Siliciumnitrid \|0 (DE-588)4127841-0 \|D s
689	0	2	\|a Grenzfläche \|0 (DE-588)4021991-4 \|D s
689	0		\|5 DE-604
689	1	0	\|a MIS-Struktur \|A f
689	1	1	\|a Siliciumnitrid \|0 (DE-588)4127841-0 \|D s
689	1	2	\|a Kristallfläche \|0 (DE-588)4151344-7 \|D s
689	1		\|5 DE-604
689	2	0	\|a MIS \|0 (DE-588)4139664-9 \|D s
689	2	1	\|a Haftstelle \|0 (DE-588)4246560-6 \|D s
689	2	2	\|a Halbleitergrenzfläche \|0 (DE-588)4158802-2 \|D s
689	2		\|5 DE-604
940	1		\|q TUB-nveb
999			\|a oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-000305936

Datensatz im Suchindex

_version_	1804114948005036032
any_adam_object
author	Blumenstock, Karl-Dieter
author_facet	Blumenstock, Karl-Dieter
author_role	aut
author_sort	Blumenstock, Karl-Dieter
author_variant	k d b kdb
building	Verbundindex
bvnumber	BV000494619
ctrlnum	(OCoLC)64254854 (DE-599)BVBBV000494619
format	Book
fullrecord	<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?><collection xmlns="http://www.loc.gov/MARC21/slim"><record><leader>02015nam a2200589 c 4500</leader><controlfield tag="001">BV000494619</controlfield><controlfield tag="003">DE-604</controlfield><controlfield tag="005">00000000000000.0</controlfield><controlfield tag="007">t</controlfield><controlfield tag="008">870612s1986 m\|\|\| 00\|\|\| ger d</controlfield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(OCoLC)64254854</subfield></datafield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(DE-599)BVBBV000494619</subfield></datafield><datafield tag="040" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-604</subfield><subfield code="b">ger</subfield><subfield code="e">rakddb</subfield></datafield><datafield tag="041" ind1="0" ind2=" "><subfield code="a">ger</subfield></datafield><datafield tag="049" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-12</subfield><subfield code="a">DE-83</subfield><subfield code="a">DE-11</subfield></datafield><datafield tag="100" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">Blumenstock, Karl-Dieter</subfield><subfield code="e">Verfasser</subfield><subfield code="4">aut</subfield></datafield><datafield tag="245" ind1="1" ind2="0"><subfield code="a">Charakterisierung der Halbleiter/Isolator Grenzfläche von MIS-Strukturen mit Plasma-Siliziumnitrid als Isolator</subfield></datafield><datafield tag="264" ind1=" " ind2="1"><subfield code="c">1986</subfield></datafield><datafield tag="300" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">133 S.</subfield></datafield><datafield tag="336" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">txt</subfield><subfield code="2">rdacontent</subfield></datafield><datafield tag="337" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">n</subfield><subfield code="2">rdamedia</subfield></datafield><datafield tag="338" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">nc</subfield><subfield code="2">rdacarrier</subfield></datafield><datafield tag="500" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">Erlangen-Nürnberg, Univ., Diss.</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1=" " ind2="7"><subfield code="a">Grenzfläche</subfield><subfield code="2">swd</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1=" " ind2="7"><subfield code="a">Haftstelle</subfield><subfield code="2">swd</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1=" " ind2="7"><subfield code="a">Halbleitergrenzfläche</subfield><subfield code="2">swd</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1=" " ind2="7"><subfield code="a">Kristallfläche</subfield><subfield code="2">swd</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1=" " ind2="7"><subfield code="a">MIS</subfield><subfield code="2">swd</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1=" " ind2="7"><subfield code="a">Siliciumnitrid</subfield><subfield code="2">swd</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Haftstelle</subfield><subfield code="0">(DE-588)4246560-6</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Kristallfläche</subfield><subfield code="0">(DE-588)4151344-7</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Siliciumnitrid</subfield><subfield code="0">(DE-588)4127841-0</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Grenzfläche</subfield><subfield code="0">(DE-588)4021991-4</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Halbleitergrenzfläche</subfield><subfield code="0">(DE-588)4158802-2</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">MIS</subfield><subfield code="0">(DE-588)4139664-9</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="655" ind1=" " ind2="7"><subfield code="0">(DE-588)4113937-9</subfield><subfield code="a">Hochschulschrift</subfield><subfield code="2">gnd-content</subfield></datafield><datafield tag="655" ind1=" " ind2="7"><subfield code="a">MIS-Struktur</subfield><subfield code="2">swd</subfield></datafield><datafield tag="655" ind1=" " ind2="7"><subfield code="a">MIS-Struktur</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="0"><subfield code="a">MIS</subfield><subfield code="0">(DE-588)4139664-9</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="1"><subfield code="a">Siliciumnitrid</subfield><subfield code="0">(DE-588)4127841-0</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="2"><subfield code="a">Grenzfläche</subfield><subfield code="0">(DE-588)4021991-4</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2=" "><subfield code="5">DE-604</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="1" ind2="0"><subfield code="a">MIS-Struktur</subfield><subfield code="A">f</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="1" ind2="1"><subfield code="a">Siliciumnitrid</subfield><subfield code="0">(DE-588)4127841-0</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="1" ind2="2"><subfield code="a">Kristallfläche</subfield><subfield code="0">(DE-588)4151344-7</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="1" ind2=" "><subfield code="5">DE-604</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="2" ind2="0"><subfield code="a">MIS</subfield><subfield code="0">(DE-588)4139664-9</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="2" ind2="1"><subfield code="a">Haftstelle</subfield><subfield code="0">(DE-588)4246560-6</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="2" ind2="2"><subfield code="a">Halbleitergrenzfläche</subfield><subfield code="0">(DE-588)4158802-2</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="2" ind2=" "><subfield code="5">DE-604</subfield></datafield><datafield tag="940" ind1="1" ind2=" "><subfield code="q">TUB-nveb</subfield></datafield><datafield tag="999" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-000305936</subfield></datafield></record></collection>
genre	(DE-588)4113937-9 Hochschulschrift gnd-content MIS-Struktur swd MIS-Struktur gnd
genre_facet	Hochschulschrift MIS-Struktur
id	DE-604.BV000494619
illustrated	Not Illustrated
indexdate	2024-07-09T15:14:49Z
institution	BVB
language	German
oai_aleph_id	oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-000305936
oclc_num	64254854
open_access_boolean
owner	DE-12 DE-83 DE-11
owner_facet	DE-12 DE-83 DE-11
physical	133 S.
psigel	TUB-nveb
publishDate	1986
publishDateSearch	1986
publishDateSort	1986
record_format	marc
spelling	Blumenstock, Karl-Dieter Verfasser aut Charakterisierung der Halbleiter/Isolator Grenzfläche von MIS-Strukturen mit Plasma-Siliziumnitrid als Isolator 1986 133 S. txt rdacontent n rdamedia nc rdacarrier Erlangen-Nürnberg, Univ., Diss. Grenzfläche swd Haftstelle swd Halbleitergrenzfläche swd Kristallfläche swd MIS swd Siliciumnitrid swd Haftstelle (DE-588)4246560-6 gnd rswk-swf Kristallfläche (DE-588)4151344-7 gnd rswk-swf Siliciumnitrid (DE-588)4127841-0 gnd rswk-swf Grenzfläche (DE-588)4021991-4 gnd rswk-swf Halbleitergrenzfläche (DE-588)4158802-2 gnd rswk-swf MIS (DE-588)4139664-9 gnd rswk-swf (DE-588)4113937-9 Hochschulschrift gnd-content MIS-Struktur swd MIS-Struktur gnd rswk-swf MIS (DE-588)4139664-9 s Siliciumnitrid (DE-588)4127841-0 s Grenzfläche (DE-588)4021991-4 s DE-604 MIS-Struktur f Kristallfläche (DE-588)4151344-7 s Haftstelle (DE-588)4246560-6 s Halbleitergrenzfläche (DE-588)4158802-2 s
spellingShingle	Blumenstock, Karl-Dieter Charakterisierung der Halbleiter/Isolator Grenzfläche von MIS-Strukturen mit Plasma-Siliziumnitrid als Isolator Grenzfläche swd Haftstelle swd Halbleitergrenzfläche swd Kristallfläche swd MIS swd Siliciumnitrid swd Haftstelle (DE-588)4246560-6 gnd Kristallfläche (DE-588)4151344-7 gnd Siliciumnitrid (DE-588)4127841-0 gnd Grenzfläche (DE-588)4021991-4 gnd Halbleitergrenzfläche (DE-588)4158802-2 gnd MIS (DE-588)4139664-9 gnd
subject_GND	(DE-588)4246560-6 (DE-588)4151344-7 (DE-588)4127841-0 (DE-588)4021991-4 (DE-588)4158802-2 (DE-588)4139664-9 (DE-588)4113937-9
title	Charakterisierung der Halbleiter/Isolator Grenzfläche von MIS-Strukturen mit Plasma-Siliziumnitrid als Isolator
title_auth	Charakterisierung der Halbleiter/Isolator Grenzfläche von MIS-Strukturen mit Plasma-Siliziumnitrid als Isolator
title_exact_search	Charakterisierung der Halbleiter/Isolator Grenzfläche von MIS-Strukturen mit Plasma-Siliziumnitrid als Isolator
title_full	Charakterisierung der Halbleiter/Isolator Grenzfläche von MIS-Strukturen mit Plasma-Siliziumnitrid als Isolator
title_fullStr	Charakterisierung der Halbleiter/Isolator Grenzfläche von MIS-Strukturen mit Plasma-Siliziumnitrid als Isolator
title_full_unstemmed	Charakterisierung der Halbleiter/Isolator Grenzfläche von MIS-Strukturen mit Plasma-Siliziumnitrid als Isolator
title_short	Charakterisierung der Halbleiter/Isolator Grenzfläche von MIS-Strukturen mit Plasma-Siliziumnitrid als Isolator
title_sort	charakterisierung der halbleiter isolator grenzflache von mis strukturen mit plasma siliziumnitrid als isolator
topic	Grenzfläche swd Haftstelle swd Halbleitergrenzfläche swd Kristallfläche swd MIS swd Siliciumnitrid swd Haftstelle (DE-588)4246560-6 gnd Kristallfläche (DE-588)4151344-7 gnd Siliciumnitrid (DE-588)4127841-0 gnd Grenzfläche (DE-588)4021991-4 gnd Halbleitergrenzfläche (DE-588)4158802-2 gnd MIS (DE-588)4139664-9 gnd
topic_facet	Grenzfläche Haftstelle Halbleitergrenzfläche Kristallfläche MIS Siliciumnitrid Hochschulschrift MIS-Struktur
work_keys_str_mv	AT blumenstockkarldieter charakterisierungderhalbleiterisolatorgrenzflachevonmisstrukturenmitplasmasiliziumnitridalsisolator

Verfügbarkeit

Es ist kein Print-Exemplar vorhanden.

Fernleihe Bestellen Achtung: Nicht im THWS-Bestand!

MARC

Datensatz im Suchindex

Es ist kein Print-Exemplar vorhanden.

Ähnliche Einträge