Flüssigphasenepitaxie von InP/In1-xGaxP1-yAsy-Heterostrukturen: 2. Elektrische Eigenschaften von InP und InO,53GaO,47As. - 1982. - 24 S. - (
Gespeichert in:
| 1. Verfasser: | |
|---|---|
| Format: | Buch |
| Sprache: | German |
| Veröffentlicht: |
Darmstadt
1982
|
| Schriftenreihe: | Fernmeldetechnisches Zentralamt, Darmstadt, Forschungsinstitut: Technischer Bericht
262 |
Internformat
MARC
| LEADER | 00000nam a2200000 cc4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | BV000348843 | ||
| 003 | DE-604 | ||
| 005 | 00000000000000.0 | ||
| 007 | t | ||
| 008 | 870612s1982 |||| 00||| ger d | ||
| 035 | |a (OCoLC)158536998 | ||
| 035 | |a (DE-599)BVBBV000348843 | ||
| 040 | |a DE-604 |b ger |e rakddb | ||
| 041 | 0 | |a ger | |
| 049 | |a DE-12 | ||
| 100 | 1 | |a Kuphal, Eckart |e Verfasser |4 aut | |
| 245 | 1 | 0 | |a Flüssigphasenepitaxie von InP/In1-xGaxP1-yAsy-Heterostrukturen |n 2. Elektrische Eigenschaften von InP und InO,53GaO,47As. - 1982. - 24 S. - ( |
| 264 | 1 | |c 1982 | |
| 264 | 1 | |a Darmstadt | |
| 336 | |b txt |2 rdacontent | ||
| 337 | |b n |2 rdamedia | ||
| 338 | |b nc |2 rdacarrier | ||
| 490 | 1 | |a Fernmeldetechnisches Zentralamt, Darmstadt, Forschungsinstitut: Technischer Bericht |v 262 | |
| 490 | 0 | |a Fernmeldetechnisches Zentralamt <Darmstadt> / Forschungsinstitut: Technischer Bericht |v ... | |
| 773 | 0 | 8 | |w (DE-604)BV000348840 |g 2 |
| 830 | 0 | |a Fernmeldetechnisches Zentralamt, Darmstadt, Forschungsinstitut: Technischer Bericht |v 262 |w (DE-604)BV000018246 |9 262 | |
| 999 | |a oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-000216864 | ||
Datensatz im Suchindex
| _version_ | 1804114816014483456 |
|---|---|
| any_adam_object | |
| author | Kuphal, Eckart |
| author_facet | Kuphal, Eckart |
| author_role | aut |
| author_sort | Kuphal, Eckart |
| author_variant | e k ek |
| building | Verbundindex |
| bvnumber | BV000348843 |
| ctrlnum | (OCoLC)158536998 (DE-599)BVBBV000348843 |
| format | Book |
| fullrecord | <?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?><collection xmlns="http://www.loc.gov/MARC21/slim"><record><leader>01093nam a2200289 cc4500</leader><controlfield tag="001">BV000348843</controlfield><controlfield tag="003">DE-604</controlfield><controlfield tag="005">00000000000000.0</controlfield><controlfield tag="007">t</controlfield><controlfield tag="008">870612s1982 |||| 00||| ger d</controlfield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(OCoLC)158536998</subfield></datafield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(DE-599)BVBBV000348843</subfield></datafield><datafield tag="040" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-604</subfield><subfield code="b">ger</subfield><subfield code="e">rakddb</subfield></datafield><datafield tag="041" ind1="0" ind2=" "><subfield code="a">ger</subfield></datafield><datafield tag="049" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-12</subfield></datafield><datafield tag="100" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">Kuphal, Eckart</subfield><subfield code="e">Verfasser</subfield><subfield code="4">aut</subfield></datafield><datafield tag="245" ind1="1" ind2="0"><subfield code="a">Flüssigphasenepitaxie von InP/In1-xGaxP1-yAsy-Heterostrukturen</subfield><subfield code="n">2. Elektrische Eigenschaften von InP und InO,53GaO,47As. - 1982. - 24 S. - (</subfield></datafield><datafield tag="264" ind1=" " ind2="1"><subfield code="c">1982</subfield></datafield><datafield tag="264" ind1=" " ind2="1"><subfield code="a">Darmstadt</subfield></datafield><datafield tag="336" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">txt</subfield><subfield code="2">rdacontent</subfield></datafield><datafield tag="337" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">n</subfield><subfield code="2">rdamedia</subfield></datafield><datafield tag="338" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">nc</subfield><subfield code="2">rdacarrier</subfield></datafield><datafield tag="490" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">Fernmeldetechnisches Zentralamt, Darmstadt, Forschungsinstitut: Technischer Bericht</subfield><subfield code="v">262</subfield></datafield><datafield tag="490" ind1="0" ind2=" "><subfield code="a">Fernmeldetechnisches Zentralamt <Darmstadt> / Forschungsinstitut: Technischer Bericht</subfield><subfield code="v">...</subfield></datafield><datafield tag="773" ind1="0" ind2="8"><subfield code="w">(DE-604)BV000348840</subfield><subfield code="g">2</subfield></datafield><datafield tag="830" ind1=" " ind2="0"><subfield code="a">Fernmeldetechnisches Zentralamt, Darmstadt, Forschungsinstitut: Technischer Bericht</subfield><subfield code="v">262</subfield><subfield code="w">(DE-604)BV000018246</subfield><subfield code="9">262</subfield></datafield><datafield tag="999" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-000216864</subfield></datafield></record></collection> |
| id | DE-604.BV000348843 |
| illustrated | Not Illustrated |
| indexdate | 2024-07-09T15:12:43Z |
| institution | BVB |
| language | German |
| oai_aleph_id | oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-000216864 |
| oclc_num | 158536998 |
| open_access_boolean | |
| owner | DE-12 |
| owner_facet | DE-12 |
| publishDate | 1982 |
| publishDateSearch | 1982 |
| publishDateSort | 1982 |
| record_format | marc |
| series | Fernmeldetechnisches Zentralamt, Darmstadt, Forschungsinstitut: Technischer Bericht |
| series2 | Fernmeldetechnisches Zentralamt, Darmstadt, Forschungsinstitut: Technischer Bericht Fernmeldetechnisches Zentralamt <Darmstadt> / Forschungsinstitut: Technischer Bericht |
| spelling | Kuphal, Eckart Verfasser aut Flüssigphasenepitaxie von InP/In1-xGaxP1-yAsy-Heterostrukturen 2. Elektrische Eigenschaften von InP und InO,53GaO,47As. - 1982. - 24 S. - ( 1982 Darmstadt txt rdacontent n rdamedia nc rdacarrier Fernmeldetechnisches Zentralamt, Darmstadt, Forschungsinstitut: Technischer Bericht 262 Fernmeldetechnisches Zentralamt <Darmstadt> / Forschungsinstitut: Technischer Bericht ... (DE-604)BV000348840 2 Fernmeldetechnisches Zentralamt, Darmstadt, Forschungsinstitut: Technischer Bericht 262 (DE-604)BV000018246 262 |
| spellingShingle | Kuphal, Eckart Flüssigphasenepitaxie von InP/In1-xGaxP1-yAsy-Heterostrukturen Fernmeldetechnisches Zentralamt, Darmstadt, Forschungsinstitut: Technischer Bericht |
| title | Flüssigphasenepitaxie von InP/In1-xGaxP1-yAsy-Heterostrukturen |
| title_auth | Flüssigphasenepitaxie von InP/In1-xGaxP1-yAsy-Heterostrukturen |
| title_exact_search | Flüssigphasenepitaxie von InP/In1-xGaxP1-yAsy-Heterostrukturen |
| title_full | Flüssigphasenepitaxie von InP/In1-xGaxP1-yAsy-Heterostrukturen 2. Elektrische Eigenschaften von InP und InO,53GaO,47As. - 1982. - 24 S. - ( |
| title_fullStr | Flüssigphasenepitaxie von InP/In1-xGaxP1-yAsy-Heterostrukturen 2. Elektrische Eigenschaften von InP und InO,53GaO,47As. - 1982. - 24 S. - ( |
| title_full_unstemmed | Flüssigphasenepitaxie von InP/In1-xGaxP1-yAsy-Heterostrukturen 2. Elektrische Eigenschaften von InP und InO,53GaO,47As. - 1982. - 24 S. - ( |
| title_short | Flüssigphasenepitaxie von InP/In1-xGaxP1-yAsy-Heterostrukturen |
| title_sort | flussigphasenepitaxie von inp in1 xgaxp1 yasy heterostrukturen |
| volume_link | (DE-604)BV000348840 (DE-604)BV000018246 |
| work_keys_str_mv | AT kuphaleckart flussigphasenepitaxievoninpin1xgaxp1yasyheterostrukturen2elektrischeeigenschaftenvoninpundino53gao47as198224s |